【課題】フォトリソグラフィ工程のような大掛かりな装置と多数の工程を必要せず、電子移動度や界面準位密度、正孔移動度、ＢＯＸ層電荷密度などのようなＳＯＩウエーハの電気特性を正確かつ簡便に測定する方法を提供する。
【解決手段】水銀電極を用いてＳＯＩウエーハの電気特性を評価する方法であって、前記ＳＯＩウエーハに前記水銀電極を接触させ、ゲート電圧を変化させてドレイン電流を測定して、ゲート電圧とドレイン電流との関係を求め、該ゲート電圧とドレイン電流との関係から前記電気特性を算出するとき、ゲート電圧を変化させる印加範囲を、電気特性の算出に必要な印加範囲よりも拡張してゲート電圧を印加し、少なくとも、前記電気特性の算出に必要な印加範囲のドレイン電流を測定し、前記ゲート電圧とドレイン電流との関係から前記電気特性を算出することを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 水銀プローブを用いた測定装置の測定精度を向上させる。
【解決手段】 ステージ１の表面に、外側から順に真空引き用溝２、真空測定用溝３、電極用溝４、５を設ける。真空引き用溝２に真空ポンプを接続し、真空測定用溝３に真空計２３を接続し、電極用溝４、５に、それぞれ水銀を供給できる配管４ａ、５ａを接続した構造とする。
このような構成とすることにより、真空ポンプにより真空引きを行う際に、真空計２３により測定される真空度と、電極用溝４、５の内部の実効的な真空度とを一致させることができる。これにより、実効的な真空度を正確に制御して、ウェハ３１に形成される電極の面積を一定とすることができる。従って、測定精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 低荷重のコンタクトでウエハ全面のパッド表面の酸化膜を確実に破り、ウエハ一括で安定なコンタクトを得る。
【解決手段】 半導体ウエハ１の表面と対向する検査用基板４と、配線層５ａを含む配線基板５と、弾性シート６における半導体ウエハ１の外部パッド２Ａと対応する部位に設けられ先端が平滑な円柱状のバンプ７及びダミーバンプ８と、配線基板５と弾性シート６との間に設けられ、配線層５ａの一端部と孤立パターン９とを電気的に接続する異方導電性ゴムシート１０とを有している。配線層５ａの他端部は、電源及び検査用電圧を供給する検査装置と接続されている。バンプ７とダミーバンプ８とがそれぞれ接触する半導体ウエハ１上のパッド同士は配線３を通じて接続されており、外部の電源によりバンプ７とダミーバンプ８との間に電圧を印加して、外部パッド２Ａの表面の酸化膜を絶縁破壊する。
【選択図面】 図１

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【課題】コンパクトな状態にて配置された微細な電子回路素子の検査が可能であり、かつ製造工程も簡便であるようなコンタクトプローブカードの構成を提供する。
【解決手段】絶縁シート３の所定の位置に複数個の凹部５を配置し、当該凹部５において、金属板を素材とする筒状構成によって弾性変形を可能とするプローブ１０を嵌合し、かつ固着し、前記プローブ１０が、絶縁シート３の反対側に配置されている測定端子６、又は当該測定端子６に至る配線とそれぞれ導電性部材４を介して接続されていることに基づき、前記課題を達成することを可能とするコンタクトプローブカード。 （もっと読む）

【課題】 検査工程によってチップを破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することを目的とするものである。
【解決手段】 本スクライブ領域１４に１または２以上の被検査用電極パッド３と、各被検査用電極パッド３の下層に設けられた配線４と電気的に接続された検査用電極パッド２を備え、プローブ検査時に、チップ領域内の電極パッド１３に加えて、この被検査用電極パッド３および検査用電極パッド２にもプローブ針をコンタクトし、プローブ針の圧力を徐々に加えて、被検査用電極パッド３と検査用電極パッド２が導通することにより被検査用電極パッド３の破壊を検出し、被検査用電極パッド３の特性をあらかじめ調整しておくことにより、チップ領域内の電極パッド１３が破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。 （もっと読む）