【課題】ウエハの製造を分析するための機構を提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値１０６の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報１０７は、性能パラメータ値１０６が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】非接触で良品との比較なしに不良品単独で不良箇所を判定できる半導体装置の不良解析方法、不良解析装置、及びそれらのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】半導体装置の露出した導電層を帯電させ荷電粒子を照射して電位コントラスト像を取得する観測画像取得工程と、導電層の接続先の終点を設計データから探索する配線探索工程と、接続先の終点の状態毎にあらかじめ３段階以上のレベルに分類した電位コントラストと、観測画像取得工程で取得した電位コントランス像とを比較し、一致／不一致を検出する判定工程と、を備える。３段階以上のレベルに分類するので、たとえば、トランジスタの拡散層へ接続されている導電層と配線間のショートを区別すること等もできる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃１０によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置１５０に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることに関する。
【解決手段】本発明では、複数の探針を試料に接触させ、試料に電子線を照射しつつ、探針に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針からの信号を差動増幅器に入力する。そして、差動増幅器からの出力を増幅し、これと電子線の走査情報に基づいて吸収電流像を作成することに関する。本発明により、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得でき、半導体試料の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】ＥＢＡＣ解析は解析対象配線に吸収された電流を検出するため、アンプ接続されたプローブ針を解析対象配線に当てる必要があり、その作業が作業者にとって大きな負担である。たとえば、針当て対象パターンを探し出してＳＥＭ画面中央に位置させた後、プローブ針先端をＳＥＭ画面中央に移動させなければならないが、この操作は、ＳＥＭ像の倍率を低倍にしてプローブ針をＳＥＭ画面内に移動させ、ＳＥＭ観察倍率を上げながらプローブ針を針当てパターン上に移動させる作業を繰り返す必要がある。
【解決手段】本願発明は試料中の解析対象位置（針当て位置）を画像表示部の視野の中心部に移動すると、それに対応して、プローバのプローブ針の先端部を自動的に画像表示部の視野内に移動することができる走査型電子顕微鏡装置である。 （もっと読む）

【課題】吸収電流法による半導体装置の特に、微細・大規模・多様形状の配線の検査において、欠陥箇所の抽出・位置同定を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】検査配線の吸収電流像と、基準配線パターン像との差分処理で欠陥像部分のみを抽出し、さらにこれをＳＥＭ像に重畳する。基準配線パターン像は、正確に形成されたことが確認された基準配線の吸収電流像あるいは検査配線のＣＡＤパターン像からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析において、プロービング対象へのアクセスとレイアウトデータ上の座標との関連付けを容易にして、解析のＴＡＴを短縮すると共に、オペレータへの負担を軽減することができる技術を提供する。
【解決手段】リアルタイムのＳＥＭ画像でのプロービング位置の確認については、ＳＥＭ画像側の座標系とレイアウト画像側の座標系を対応させる座標系ロックを実施後、レイアウト座標系側でプロービング位置を指定した情報を、ＳＥＭ画像側に表示し、それをマークとしてプロービング操作を実行するように解析システムを構成する。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度調整を局所的に行うことにより、試料ドリフトを抑制することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体試料１１８を保持する試料ステージ１０９と、半導体試料１１８上の半導体素子の電気特性測定に用いる複数のプローブ１０６と、プローブ１０６に前記プローブに電圧及び／又は電流を印加する電源と、前記プローブが接触した前記試料上の半導体素子の電気特性を測定する検出器と、半導体試料１１８の測定対象箇所に電磁波を照射する電磁波照射機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの抵抗値異常箇所を高感度に検出する。
【解決手段】半導体検査装置４０には、照射部１、観察部２、及び検査解析部３が設けられる。観察部２には、試料ステージ１１、試料１２、プロービング部１３ａ、及びプロービング部１３ａが設けられる。試料１２は、配線パターンが形成され、試料ステージ１１に固定され、表面に照射部１から電子ビームが入射される。検査解析部３には、増幅部１４、算出部１５、記憶部１６、及び比較判定部１７が設けられる。検査解析部３では、観察部２で観察された吸収電流信号が入力され、増幅処理、電流電圧変換処理、及びデジタル変換処理が行われ、画像データ信号の輝度値が算出される。算出された輝度値と所定の輝度値が比較され、輝度差が求められる。比較判定部１７で、この輝度差を基準値と比較することにより、配線パターンの抵抗値異常個所の検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】 配線不良を確実に検出することができる様にする。
【解決手段】 電子源から発生した電子ビーム１で配線パターン３が形成された試料４上を二次元走査し、この走査により試料４から得られる信号に基づく試料像を表示部７に表示させる様に成す。試料４上の配線パターンの任意の箇所に２本のプローブ２Ａ，２Ｂを接触させ、これらのプローブを介して得られる吸収電流を差動電流電圧変換器６に入力することにより、各吸収電流の差を電圧信号に変換し、この電圧信号に基づく吸収電流像を表示部７に表示させる様に成す。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】試料上にレジスト材料が形成されていても、その表面形状を、ミラー電子プロジェクション式検査装置によって検出可能にするパターン検査技術を提供する。
【解決手段】試料７のレジスト材料表面に照射することでその表面の電気伝導度を上げることのできる波長（１６０〜２５０ｎｍ）の紫外光を、紫外光源３０より試料表面に対して全反射する角度（試料水平方向に対して約１０度以下）以下で入射させることにより、試料表面のみを導電性にするよう構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム１２等のプローブを測定サンプル４に照射したときに、その測定サンプル４に生じる電流を測定する手段を有する電流測定装置であって、測定サンプル４に流れる電流について増幅する増幅回路として、スイッチトキャパシタ電流増幅回路８を有することを特徴とする。 （もっと読む）