相対的な仕事関数の繰り返しパターンを有する材料の表面を検査するための方法及びシステム。前記方法及びシステムは、前記繰り返しパターンの特徴を示すデータを識別するために、センサーデータを処理し、そして、前記センサーデータは、前記繰り返しデータの特徴を示すデータを除去するために、さらに処理されて、前記材料表面の不均一性の特徴を導く。 （もっと読む）

【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃１０によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置１５０に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることに関する。
【解決手段】本発明では、複数の探針を試料に接触させ、試料に電子線を照射しつつ、探針に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針からの信号を差動増幅器に入力する。そして、差動増幅器からの出力を増幅し、これと電子線の走査情報に基づいて吸収電流像を作成することに関する。本発明により、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得でき、半導体試料の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの抵抗値異常箇所を高感度に検出する。
【解決手段】半導体検査装置４０には、照射部１、観察部２、及び検査解析部３が設けられる。観察部２には、試料ステージ１１、試料１２、プロービング部１３ａ、及びプロービング部１３ａが設けられる。試料１２は、配線パターンが形成され、試料ステージ１１に固定され、表面に照射部１から電子ビームが入射される。検査解析部３には、増幅部１４、算出部１５、記憶部１６、及び比較判定部１７が設けられる。検査解析部３では、観察部２で観察された吸収電流信号が入力され、増幅処理、電流電圧変換処理、及びデジタル変換処理が行われ、画像データ信号の輝度値が算出される。算出された輝度値と所定の輝度値が比較され、輝度差が求められる。比較判定部１７で、この輝度差を基準値と比較することにより、配線パターンの抵抗値異常個所の検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】 配線不良を確実に検出することができる様にする。
【解決手段】 電子源から発生した電子ビーム１で配線パターン３が形成された試料４上を二次元走査し、この走査により試料４から得られる信号に基づく試料像を表示部７に表示させる様に成す。試料４上の配線パターンの任意の箇所に２本のプローブ２Ａ，２Ｂを接触させ、これらのプローブを介して得られる吸収電流を差動電流電圧変換器６に入力することにより、各吸収電流の差を電圧信号に変換し、この電圧信号に基づく吸収電流像を表示部７に表示させる様に成す。 （もっと読む）

【課題】故障位置の特定のみならず、故障状態をも特定することができる半導体デバイスの欠陥評価方法及び欠陥評価装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥評価方法は、評価対象の半導体デバイスにプローブ光を照射して半導体デバイスに発生させた電流を検出する第１電流検出ステップと、発生させた電流から半導体デバイスの欠陥位置を検出する欠陥位置検出ステップと、検出した半導体デバイスの欠陥位置にプローブ光を所定範囲で波長を変化させて照射することにより、欠陥位置における電流を検出する第２電流検出ステップと、検出した欠陥位置における電流から欠陥位置の光励起準位を検出する光励起準位検出ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の量産に適した、基板の表面に付着した微細な異物を検出することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷを搬送するローダーモジュール１３と、表面処理装置１７と、表面検査装置１８とを備え、表面処理装置１７及び表面検査装置１８はそれぞれローダーモジュール１３に接続され、表面処理装置１７は、ウエハＷを収容する収容室３４と、該収容室３４内にフッ素を含むガスを供給する流体供給部３６とを有し、表面検査装置１８は、フッ素を含むガスが表面に供給されたウエハＷを収容する収容室４２と、ウエハＷの表面をレーザ光４４で照射するレーザ光照射部４５と、ウエハＷの表面からの散乱光４６の一部を受光する受光部４７と、受光した散乱光を電気信号に変換する光電変換部４８とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム１２等のプローブを測定サンプル４に照射したときに、その測定サンプル４に生じる電流を測定する手段を有する電流測定装置であって、測定サンプル４に流れる電流について増幅する増幅回路として、スイッチトキャパシタ電流増幅回路８を有することを特徴とする。 （もっと読む）

磁場を測定するプローブは、選択された測定軸に沿う磁場を感知する少なくとも一個の磁気抵抗または磁気誘導センサを備える。プローブは、その選択された測定軸が平行かつ、選択された測定軸に関して横方向に、互いにオフセットされるように、一つの場所において互いが固定して接続された少なくとも二個の磁気抵抗センサ１４、１６を備え、プローブは、その選択された測定軸に沿う各センサにより測定された磁場を表わす信号を提供するために、各磁気抵抗または磁気誘導センサに固有な出力端子を備える。
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