【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
（もっと読む）

【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した試料３２に対してレーザ光照射手段３６からレーザ光を照射する。試料３２におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段３８からマイクロ波を照射し、反射波検出手段４０でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのａ−Ｓｉ膜の物性の均一性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、装置が大型化することなく、検査のばらつきが少ない太陽電池用シリコンウェハのクラックの検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 この発明のシリコンウェハのクラックの検出方法は、シリコンウェハ１に超音波発生装置３から超音波３１を付与し、シリコンウェハ１を共振させ、この共振により、シリコンウェハ１内に不可視クラックが存在する場合にはクラックを成長させて亀裂を生じさせ、欠陥があるシリコンウェハ１を判別可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ｘａは、波長の異なる第１および第２光を、被測定試料ＳＷの半導体における互いに異なる第１および第２領域に照射する光照射部１と、第１および第２領域のそれぞれに所定の測定波を照射するとともに、第１領域での測定波の第１反射波または第１透過波と第２領域での測定波の第２反射波または第２透過波との差である差測定波を、第１反射波または第１透過波のままで用いるとともに第２反射波または第２透過波のままで用いることによって生成する測定波入出力部２と、測定波入出力部２の差測定波を検出する検出部３と、検出部３の検出結果に基づいて被測定試料ＳＷの半導体におけるキャリア寿命を求める演算制御部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査装置においては、非接触通信に適した構成を得ることが困難で、かつ高い信頼性を得ることが困難である。
【解決手段】本発明の半導体装置の検査用素子は、基材と、基材上に配置され検査回路と非接触結合回路を備えた回路層を有する検査回路基板と、検査回路基板との一の主面に接続され貫通電極を備えた支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体キャリア寿命測定装置Ａでは、マイクロ波光導電減衰法が利用されており、半導体の被測定試料Ｘが第１表面再結合速度状態である場合において、光照射部１によって互いに波長の異なる少なくとも２種類の光が被測定試料Ｘに照射されるとともに測定波入出力部２によって測定波が被測定試料Ｘに照射されて検出部３で検出された反射波または透過波の時間的な相対変化の第１差が求められ、前記第１差と同様に、第２表面再結合速度状態での第２差が求められ、これら第１および第２差に基づいて被測定試料Ｘのキャリア寿命が求められる。 （もっと読む）

【課題】試料台への基材の配置が容易でありながら基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を高感度で評価可能な半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、試料台１４に基材１１が接するよう試料１３を配置し、半導体薄膜１２に励起光を照射し、特定波長のマイクロ波を励起光が照射された半導体薄膜１２の範囲に照射し、半導体薄膜１２からの反射波の強度を測定する。このとき照射されるマイクロ波は、半導体薄膜１２の表面から配置面１４ａまでの距離の４ｎ／（１＋２Ｎ）倍（ｎ：基材の屈折率、Ｎ：０又は任意の正の整数）の波長λを、又はこれに近似する波長であって波長λをもつマイクロ波を半導体薄膜１２に照射したときに得られる反射波の信号強度Ｒ２に対し、実際に得られる信号強度Ｒ２が９０％以上となる程度まで近似した波長をもつことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の膜厚の変動に関わらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価することができる結晶性評価方法及び結晶性評価装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、半導体薄膜１２にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜１２の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜１２からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜１２から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値Ｒ３ａとに基づいて前記得られた測定値Ｒ２を補正し、この補正された測定値Ｒ２ａに基づいて半導体薄膜１２の結晶性を評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の電極パッド及びコンタクタのコンタクト部が微細化、多ピン化、狭ピッチ化した場合においても、基板上にコンタクタを高い精度で位置合わせすることができ、大きな荷重を加えることなく基板の電極パッドとコンタクタのコンタクト部との間を確実に電気的に接続することができる基板検査装置及び基板検査装置における位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】電気回路及び電極パッドが形成された基板における電気的な検査を行うための検査装置本体部１１と、検査装置本体部１１に電気的に接続されたコンタクタ１５と、を有する。コンタクタ１５は、半導体ウェハに、導電性材料により形成されたコンタクト部２１ａが形成されたものであって、コンタクト部２１ａと基板１６における電極パッド１８とを電気的に接続させることにより、基板１６における電気回路の検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヨウ素アルコール溶液によるケミカルパッシベーションを用いたμ−ＰＣＤ法による半導体ウエハの再結合ライフタイムの測定において、パッシベーション時間の違いに影響されずに安定的に再結合ライフタイムを測定できるようにすることを目的とする。
【解決手段】ヨウ素濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌのヨウ素エタノール溶液でパッシベーションを行う。パッシベーション開始後ほぼ５分以後、ウエハの複数の測定点で再結合ライフタイムを測定する。複数測定点でのライフタイム測定値と測定時刻から、ライフタイム測定値の経時変化カーブを時間の指数関数でシミュレートした補正式を決定する。その補正式を用いて、各測定点でのライフタイム測定値を補正する。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて１０８０℃以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】コストを低減して化合物半導体結晶の導電率を測定する、導電率測定方法および導電率測定装置を提供する。
【解決手段】円柱形状の化合物半導体結晶１０を準備する工程と、マイクロ波を用いて化合物半導体結晶１０の導電率を測定する工程とを備えている。化合物半導体結晶１０は、５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下の直径を有し、５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下の厚みを有することが好ましい。化合物半導体結晶１０は、側面に平坦面１１を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来困難であったμ−ＰＣＤ法によるライフタイム測定を用いた拡散ウエハのより的確な品質評価を可能にすることを課題とする。
【解決手段】本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１をフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハ１を測定ステージ２に載置し、前記シリコンウェーハ１表面と３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の間隔Ｓをあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザ４の非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質５を配置して、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持してキャリアライフタイムを測定する。 （もっと読む）

【課題】基材の厚み及び誘電率の変動にかかわらず、精度良く半導体薄膜の結晶性を評価すること。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３の表面に励起光を照射する励起光源６と、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３にマイクロ波を照射するマイクロ波放射部７と、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜３からのマイクロ波の反射波のうち、ガラス基板２の誘電率及び厚みに起因して変動する直流成分の強度と、前記誘電率、厚み及びキャリアの生成に起因して変動する交流成分の強度とを検出可能な検出部８と、既知の誘電率、厚み及び結晶性に設定された試料４について予め測定された直流成分の強度と交流成分の強度のピーク値とをパラメータとしてｐ−Ｓｉ半導体薄膜３の結晶性を示す指標データを記憶するとともに、検出部８によって検出された直流成分の強度、交流成分の強度のピーク値及び指標データに基づいて、ｐ−Ｓｉ半導体薄膜の結晶性を評価するコンピュータ９とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低汚染で高ライフタイムのシリコンウェーハにおいてウェーハ表面での再結合過程を抑制し、適切な再結合ライフタイムが測定できるような前処理方法を提供する。
【解決手段】まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。例えばキャリアボックスから発生して付着したと思われるようなＨＦ溶液による処理によって除去できない有機汚染物も除去できるため、シリコンウェーハ表面でのキャリアの再結合を一層抑制することができ、バルクライフタイムに近く適切にシリコンウェーハの品質評価が行えるような再結合ライフタイムを測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 短時間且つ低コストでの実施が可能なスクリーニング方法を提供し、かかるスクリーニング方法を用いた不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 制御ゲートと浮遊ゲートを備えるメモリ素子を複数有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、複数のメモリ素子が形成された後、最終配線工程が完了した不揮発性半導体記憶装置のウェハ上に形成された複数のメモリ素子に対して、消去電圧ストレスを印加した後、ウェハ全面に対し電磁波を照射することで浮遊ゲート内を電気的に中性な状態にする。その後、ウェハ上面に電磁波に対する透過性を有しない保護膜を成膜した後、ウェハテストによる良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】表層にイオン注入がなされた半導体におけるイオン注入量を，その半導体にダメージを与えることなく，かつ，比較的簡易な構成によって高い精度で測定できるイオン注入量測定装置を提供すること。
【解決手段】マイクロ波発振器１からイオン注入物である試料６に対しマイクロ波波を照射し，励起レーザ光源１２から，試料６に対する浸透長がその試料６におけるイオン注入深さよりも短く，かつ試料６のバンドキャップ以上のエネルギーを有する励起光を試料６に照射し，励起光の照射により変化する，試料６からの反射マイクロ波の強度をミキサ１０により検出し，その検出強度の信号からロックインアンプ１５により光励起キャリアのライフタイムの指標値を検出し，その指標値から計算機１６によりイオン注入量を算出する。 （もっと読む）