【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で８００℃以上１２５０℃以下に加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内が７００℃以上１０００℃以下の範囲内の温度のときに、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板にシンター処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 窒素がドープされた低酸素濃度のシリコン単結晶ウェーハに存在する、特にサイズが小さい結晶欠陥を検出することのできる結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】 窒素をドープした初期酸素濃度８ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下のシリコン単結晶ウェーハに存在する結晶欠陥の検出方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハに酸素雰囲気下にて熱処理を行うことにより、前記結晶欠陥内に酸素を注入し、欠陥サイズが２５ｎｍ以下の結晶欠陥を顕在化して検出可能にする工程と、前記熱処理後のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出する工程とを含み、前記熱処理時における、前記シリコン単結晶ウェーハの酸素固溶度と初期酸素濃度の比率を、α＝酸素固溶度／初期酸素濃度としたとき、αを１以上３以下の範囲になるように前記熱処理における熱処理温度を設定する結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成される検査用トランジスタおよび製品用トランジスタのソースおよびドレインを活性化させるアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程後における検査用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる検査用サリサイド工程と、検査用サリサイド工程後における検査用トランジスタの特性を測定する測定工程と、測定工程によって測定された特性と所望の特性との差分とに基づいて製品用トランジスタの特性を所望の特性へ近付ける特性調整アニール処理を行う特性調整アニール工程と、特性調整アニール工程後における製品用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる本サリサイド工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。
【解決手段】構造を形成するための少なくとも１つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量Ｍ_１を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量Ｍ_２を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ法により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハ、特には高抵抗率シリコンウエーハであっても、高精度、高信頼性でＰＮ判定を行うことができ、かつＰＮ（導電型）のシリコンウエーハ面内分布を判定することのできるＰＮ判定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら育成したシリコン単結晶インゴットを切断して作製したシリコンウエーハのＰＮ判定方法において、該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、その後該シリコンウエーハに対して熱処理工程を行い、その後さらに該シリコンウエーハの抵抗率を測定し、熱処理工程後抵抗率から熱処理工程前抵抗率を引いた抵抗率差が正の場合は該シリコンウエーハの該熱処理工程前のＰＮ（導電型）はＮ型、負の場合はＰ型と判定することを特徴とするシリコンウエーハのＰＮ判定方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ等の試料の熱衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価装置を提供する。
【解決手段】 脆性材料の熱衝撃耐性を評価するための装置であって、少なくとも、脆性材料である試料を載置する載置台と、前記試料を加熱するための加熱炉と、該加熱炉内に前記載置台および前記試料を搬送するための搬送手段と、落錘を前記炉内の前記試料に落下させるための落錘手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記搬送手段により前記載置台および前記試料を前記加熱炉内に搬送して前記試料を加熱した後に、前記落錘手段により前記落錘を前記加熱炉内の前記試料に向けて落下させることができるものであることを特徴とする熱衝撃耐性評価装置。 （もっと読む）

【課題】ミストに起因するインクの基板に対する密着性の低下を防止できる、液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】紫外線硬化型の液滴を基板に吐出する液滴吐出ヘッド６０と、液滴が吐出された基板に紫外線を照射するランプ部を含むランプユニットと、基板上に吐出された液滴を加熱する加熱部９６と、を備えた液滴吐出装置である。ランプユニットの基板入口又は基板出口からの紫外線の漏れ光を加熱部に反射する領域に紫外線の反射を防止する反射防止膜１５０が設けられる。 （もっと読む）

研磨および洗浄などのウエハプロセシング操作の間に与えられる金属汚染物混入の量をモニタリングするための方法を開示する。当該方法は、シリコン−オン−インシュレータ構造を半導体プロセスに供する工程、前記構造に金属汚染物質を析出させる工程、および前記金属汚染物質をデリニエーションする工程を含む。
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【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】被検査体の電気的特性を検査するプローブの状態を確認するプローブ検査方法とそれに用いる硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】被検査体の電気的特性を検査するプローブに硬化性樹脂組成物の硬化体を接触させ、硬化体にプローブの針跡を転写して、転写された針跡を基にプローブの状態を確認し、かつ、プローブの針跡を転写した後に、硬化体を硬化体のガラス転移温度以上に加熱してプローブの針跡を消去する工程を含み、繰り返し検査に供するプローブの検査方法であり、硬化性樹脂組成物が、特定の単官能（メタ）アクリレート、光重合開始剤、酸化防止剤を含有し、硬化性樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が４０℃以上１００℃未満であることを特徴とするプローブの検査方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与えるＮｉ及びＣｕについての簡便で、かつ高精度の定量分析方法を提供する。
【解決手段】被評価対象のシリコン基板の表裏面にポリシリコン膜を形成する工程(1)、ポリシリコン膜を形成した前記シリコン基板を800℃〜950℃で30分〜60分加熱する工程(2)、800℃〜950℃で加熱した前記シリコン基板を430〜480℃まで降温し、さらに430〜480℃から1〜10℃/minの冷却速度で270〜330℃まで降温する工程(3)、前記シリコン基板を270〜330℃で30分〜60分保持してから、前記シリコン基板を室温に降温する工程(4)、降温した前記シリコン基板のポリシリコン膜を溶解し、溶解液中のCu及びNiを定量する工程(5)を含む、シリコン基板中のCu及びNiの含有量の評価方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥を、さらに詳細には、少なくとも1つのゲルマニウム系の結晶表面層を有するエレメントに発生した転位を、検出する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、アニールするステップを、すなわち、ゲルマニウム系の結晶表面層に発生した転位を選択的に酸化させることができる、少なくとも酸化ガスと中性ガスとの混合物であるベースを有する雰囲気中でエレメントをアニールするステップを、備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いてパターン形成がなされていない反射率が既知の無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、反射率が既知の無地ウェハーの反射強度から反射率が１００％の理想鏡に光を照射したときに得られるはずの理想反射強度を算出する。理想反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、理想反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来困難であったμ−ＰＣＤ法によるライフタイム測定を用いた拡散ウエハのより的確な品質評価を可能にすることを課題とする。
【解決手段】本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。また、本発明によると、前記拡散ウエハの熱酸化処理は、ウェット酸化で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いて反射率が既知の標準ウェハー、パターン形成がなされていない無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、標準ウェハーの反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、標準ウェハーの反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板特性に悪影響を与える金属不純物を簡便かつ高精度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板中の金属汚染評価方法。半導体基板にリン拡散熱処理を施し、該基板の表裏面の少なくとも一方の表層部にリン含有領域を形成すること、上記リン含有領域を、該リン含有領域を溶解可能な溶液と接触させることにより溶解すること、および、上記リン含有領域を溶解した溶液中の金属成分を分析すること、を含む。 （もっと読む）