【課題】ウェハー検査に必要な個別工程を統合することで工程間のロスタイムを解消することができるウェハー検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明による検査装置は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第１領域、及びウェハーの検査が行われる第２領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、前記複数ウェハー載置部が設けられ、回転運動によって各ウェハー載置部の位置を第１領域と第２領域に相互に位置させる回転プレートと、前記第１領域に位置したウェハー載置部から検査完了ウェハーを脱着した後、新規検査対象ウェハーをロードするロボットと、前記第２領域に位置したウェハー載置部にロードされたウェハーの上下面を反転させるウェハー反転手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】テスタ及びプローブカードを効率的に使用でき、プロービング検査全体のコストを低減できるプローバ及びプロービング検査方法の実現。
【解決手段】ウエハW上に形成された半導体装置をテスタ30で検査をするためにテスタの各端子を電極に接続するプローバであって、電極に接触するプローブ25を有するプローブカード24と、第１のウエハチャック16Aと、第２のウエハチャック16Bと、第１のウエハチャックをプローブカードの下まで移動可能な第１の移動機構13A-18Aと、第２のウエハチャックをプローブカードの下まで移動可能な第２の移動機構13B-18Bと、を備え、第１及び第２の移動機構は、第１及び第２のウエハチャックをそれぞれ独立に移動させる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−ｓｉｔｕで安定した測定を行うことのできる反り測定システム、反り測定方法、及び成膜システムを提供する。
【解決手段】鉛直上下方向に移動可能であり、成膜用ホルダに載置されたウエハの外周部を支持して持ち上げるウエハ持ち上げ機構と、持ち上げられた前記ウエハの所定位置の高さを検出する高さ測定機構と、制御部とを具備する。前記ウエハ持ち上げ機構は、成膜チャンバ内で前記ウエハを支持する。前記制御部は、前記ウエハの成膜前後に、前記ウエハを支持した状態で前記ウエハ持ち上げ機構を測定用高さに位置させ、持ち上げられた前記ウエハの高さを測定し、成膜前後の前記ウエハの高さデータに基いて、成膜前後での前記ウエハの反り変化量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 最適な検査条件の決定に掛かる時間を短縮できる検査装置を提供する。
【解決手段】 被検物１０Ａを照明する照明手段１２と、被検物からの回折光に基づいて被検物の検査情報を生成する処理手段１３,１４と、検査情報の生成前に、被検物の検査条件を決定づける複数のパラメータのうち１つを指標として、該指標に対する回折光の強度の変化を予め定めた一定の分解能でモニタするモニタ手段１３〜１５と、指標に対する回折光の強度の変化をモニタ途中に、モニタ手段を制御し、分解能を異なる大きさに変更する制御手段１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】実質的な検査時間の短縮が図られ、かつ信頼性の高い検査が可能な半導体ウエハの検査方法、及びその検査装置を提供することにある。
【解決手段】ウエハステージ１４および恒温槽１１を検査温度まで加熱または冷却した後、検査温度まで加熱または冷却された半導体ウエハ１６を、検査温度に維持した状態で、恒温槽１１からウエハステージ１４に搬送し、半導体ウエハ１６の電気的特性をウエハプローバ１２で検査する。電気的特性を検査した半導体ウエハ１６は、検査温度に維持した状態で、ウエハステージ１４から恒温槽１１に搬送する。 （もっと読む）

【課題】周縁部と内側部とに段差を有する極薄の半導体ウエハを安全にかつ確実に支持する。
【解決手段】周縁部１７Ａが肉厚に形成され内側部１７Ｂが肉薄に形成された半導体ウエハ１７をチャック１１上に載置して支持し、当該半導体ウエハ１７にプローブ針７を接触させて検査を行うプローバである。チャック１１は、半導体ウエハ１７の周縁部１７Ａに当接して当該周縁部１７Ａを支持する周縁支持部１２と、当該周縁支持部１２に対して段差を設けて半導体ウエハ１７の内側部１７Ｂに当接してこの内側部１７Ｂを支持する内側支持部１３と、前記周縁支持部１２と内側支持部１３とを相対的にずらして任意の高さの段差を作る移動機構１４とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】外観検査装置において、被検体を効率よく移動することができて検査効率を向上することができるようにする。
【解決手段】半導体ウエハ１０１をウエハカセット１０５との間で受け渡しするウエハ受け渡し位置Ｐ１、Ｐ４と、半導体ウエハ１０１を互いに異なる検査位置および異なるタイミングで検査を行うミクロ検査部１１０、マクロ検査部１２０と、ウエハ受け渡し位置Ｐ１とマクロ検査部１２０、ウエハ受け渡し位置Ｐ４とミクロ検査部１１０、または、マクロ検査部１２０とミクロ検査部１１０との間で、装置本体に受け渡された半導体ウエハ１０１を移動するウエハ搬送機構１０６、ウエハ保持部１１３と、ウエハ受け渡し位置Ｐ１、Ｐ４とウエハカセット１０５との間で、被検体を受け渡しするウエハ搬送ロボット１０４を備える。 （もっと読む）

【課題】調整可能なＺＩＦコネクタ付きプローブカードの提供。
【解決手段】プローブカード４０を、第１表面４１１、第２表面４１２、並びに第１表面４１１に垂直な複数の第１スルーホール４１３を有するディスク状の基板部４１、第２スルーホール４２１を有する複数のＺＩＦコネクタ４２、及びＺＩＦコネクタ４２を基板部４１に組立、分解するための複数の調整可能な固定部４３で構成する。基板部４１の第２表面４１２からウェハに接触して検査するための複数の電気端子を突設する（不図示）。これら基板部４１とＺＩＦコネクタ４２との組合わせ体に対して調整可能な固定部４３を、互いに連結して貫通し、かつ、基板部４１の中心に向かい円形に並べた第１スルーホール４１３と第２スルーホール４２１の中にボルト４３１を挿入し、端部にはナット４３２を配置することによって構成する。 （もっと読む）

【課題】プローブカードの大口径化に伴い必要となる補強部材等により発生する問題を解決するために、プローブカードの固定方法を変更したプローブ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハの電気的特性を測定するための、プローブピンを有するプローブカードを備えるプローブ装置１を、半導体ウエハ６を固定するための、略垂直に設けられた検査台５と、該検査台５と対向して略垂直にプローブカード２を設置するためのプローブカード固定手段４と、該検査台５の表面と該プローブカード２の表面を相対的に接近させるために検査台５を水平に移動させる可動手段７とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】照明光を短波長化しなくても、確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の表面検査装置は、被検査基板を照明するための直線偏光の発散光束を射出する光源手段と、前記直線偏光の発散光束を該光束の主光線が所定の入射角を有するように入射して前記被検査基板に導く光学部材と、前記検査基板からの光束のうち前記直線偏光とは偏光方向が直交する直線偏光を受光する受光手段と、前記光源手段と前記受光手段との間の光路中に配置され、前記光学部材に起因して発生する偏光面の乱れを解消する少なくとも１つの偏光補正部材と、を有し、前記受光手段で受光した光に基づいて前記被検査基板の表面の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】
多数の最適候補条件の下でそれぞれ検査を行うと全体の処理時間が長くなる。そこで、多数の最適候補条件のうち、検査に適するものを選んで最適条件とすることが望まれている。そのために、まず、画像を順位つけした後分類を行うことが考えられているが、適切な分類方法はいまのところ提案されていない。
【解決手段】
請求項１に係る発明は、表面検査装置の装置条件を順次変更し、被検物体の画像データを順次、取り込み、複数の画像データを記憶し、前記複数の画像データに所定の処理を施して前記画像データの順位つけをすると共に、前記複数の画像データの特徴量をそれぞれ抽出して、その特徴量に基づいて前記複数の画像データを分類し、その結果、画像データのうち順位の高いものを、各分類毎の候補画像データとして、各分類毎の候補画像データを取得した際の装置条件を最終的な装置条件に設定する。 （もっと読む）

【課題】 １つのＩＣチップの検査に必要なプローブ針を１枚のプローブカードに持たせ、複数パターンの測定が行なえるようにする。
【解決手段】 被検査物を載せる載置台と、該載置台を上下左右方向へ移動させるための駆動機構と、載置台に対向して配置された複数のプローブ針とを備え、駆動機構により載置台を移動させることで、載置台に載せた被検査物の複数の電極にプローブ針を接触させて、被検査物を検査する構成とし、前記被検査物の個々の電極と、各電極に対応する前記プローブ針の接触部分との相対距離を少なくとも１つ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】形状が異常なバンプを有する半導体装置を予め検出することができる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体検査装置は、半導体装置に形成された凸部２ａに接続し、半導体装置に検査信号を入力するプローブカード１４と、前記凸部２ａの高さを測定するレーザー距離計１２と、前記レーザー距離計１２が測定した前記凸部２ａの高さと、前記凸部２ａにおける高さの規格範囲とを比較し、前記凸部の高さが規格範囲外であるか否かを判断する演算制御部１６とを具備する。前記演算制御部１６は、前記凸部２ａの高さが規格範囲外である半導体装置が前記プローブカード１４に接続しないように、ウェハチャック１０ｂの移動を制御する。 （もっと読む）

【課題】個々のプローブカードにおいてカードメンテナンスのタイミングの最適化が図れるプローブカード及びプローバー装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プローブカード１０は、開口部１２の周辺部から中心方向に向って複数のプローブ針１３が伸長している。プローブ針１３は回路基板１１の周辺部に配列された図示しない端子と配線を介して接続されている。回路基板１１の所定領域上にデータ蓄積部１４を有する。データ蓄積部１４は少なくともこのプローブカード１０の使用履歴やそれに伴う各プローブ針１３の状態に関する情報が記憶されている。データ蓄積部１４は、少なくとも初期状態の各プローブ針１３の先端径及び長さ、かつ累積するコンタクト回数、カードメンテナンスの時期と回数、それに応じて変化する前記各プローブ針の先端径及び長さの情報が保持される。 （もっと読む）

【課題】口径の異なるインゴットに対しても複雑な光学系の調整が不要で、インゴットのフォトルミネッセンススペクトルの分布を求め得る半導体の特性評価装置を提供する。
【解決手段】インゴット１の半導体結晶を保持するインゴット保持機構６と、ウェハ９の半導体結晶を保持するウェハ保持機構９とを備え、インゴット保持機構６とウェハ保持機構９とが交換可能に設けられる。インゴット１の口径が異なっても半導体結晶への励起光としてのレーザ光の照射及びフォトルミネッセンス光ＰＬ１の集光を行う光学系の調整をしないでインゴット１を保持できる。半導体インゴットやウェハのキャリア濃度やその一次元及び二次元の分布測定を、容易に、高速で、かつ、高精度で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
大面積基板に製膜された膜全面の特性をオンラインで自動的に、迅速且つ正確に測定する。
【解決手段】
測定子１０、保持部５、１７、８、９、４、７、３、２、１９、及び制御部３０を具備する膜特性検査装置を用いる。測定子は、基板１５上に製膜された膜の電気特性の計測に用いる。保持部は、測定子を基板の移動する経路上にその経路から離れて保持する。制御部は、測定子と保持部とを制御する。制御部は、移動中の基板が所定の位置に到達したことを示す検知信号に基づいて、保持部へ測定開始信号を出力する。保持部は、その測定開始信号に基づいて、測定子を、移動中の基板上に乗せて一時的に基板と共に移動するように保持する。制御部は、移動中の基板上のその膜の電気特性を測定子を用いて測定する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）