【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＡ工程において、高速、かつ目視検査員の品質評価値や最終画質と整合のとれた基板の品質評価方法及びその装置を提供する。
【解決手段】評価対象となる基板５を一方向に連続的に移動させながら基板５に斜め方向から光を照射して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜により発生する１次回折光による像を撮像して１次回折光像を取得すると共に、基板５からの正反射光又は透過光の光軸近傍の散乱光の像を撮像して光軸近傍の散乱光像を取得し、この取得した１次回折光像の画像と光軸近傍の散乱光像の画像を処理して複数の特徴を抽出し、この抽出した複数の特徴のうち、少なくとも１つ以上の特徴を用いて、事前に設定した評価基準に従って基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質評価値を算出して基板５上に形成された多結晶シリコン薄膜の品質を評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】スキップロットサンプリングに関する仮定が成立しない場合であっても、抜取検査を容易且つ高精度に設計する。
【解決手段】検査工程をスキップする頻度を示すスキップ頻度と、スキップ頻度に基づいて決まる非検査ロットの直前に連続するｉ（ｉは２以上の整数）個のロットのうち、少なくともｑ（ｑは２以上且つｉ以下の整数）個のロットが不合格であった場合に次の非検査ロットを検査ロットに変更するというスキップ条件と、を受け付け、スキップ条件を用いて検査工程を実行したと仮定したときの第１合格率を計算し、スキップ頻度及びスキップ条件を用いて検査工程を実行したと仮定したときのロットの総数に対する検査ロットの数の割合である検査率を計算し、製造ラインが停滞しない場合には、スキップ頻度をサンプリングプランとして決定し、製造ラインが停滞する場合には、スキップ頻度を変更し、サンプリングプランとして決定する。 （もっと読む）

【課題】判定作業の効率化を図り、被測定用半導体材料を面的にＰＮ判定する。
【解決手段】ＰＮ型判定装置は、被測定用半導体材料に検査光を照射する光学系と、前記検査光が照射される部分に発生する電磁波を検出する同調コイルと、当該同調コイルで検出した検出波形の位相のずれ方をもとにＰ型又はＮ型を判定する判定部とを備えた。前記判定部は、前記検出波形と基本波形とを比較したとき、Ｐ型とＮ型の２種類の検出波形のうちの一方が前記基本波形と逆位相又は他方の検出波形と比較して逆位相に近いときＰ型と判定し、前記２種類の検出波形のうちの他方が前記基本波形と同位相又は一方の検出波形と比較して同位相に近いときＮ型と判定する。ＰＮ型判定方法の要部は、前記判定部での処理機能と同様である。 （もっと読む）

【課題】積層基板６に存在する転位には、表面から中間深さまで伸びている転位ａ、表面から基板との界面８まで伸びている転位ｂ、表面から界面を越えて基板４にまで伸びている転位ｃが存在するところ、その出現深さを特定する方法が存在しない。転位の出現深さを特定できる技術を提供する。
【解決手段】 半導体層の表面からエッチングする。そのときに、エッチピットの内部に平坦底面ｆａ，ｆｂが出現するまでエッチングするか、あるいは、半導体層２を貫通する転位に沿って形成されるエッチピットが半導体層２を貫通する時間以上に亘ってエッチングする。その後にエッチピットの内部の出現した平坦底面ｆａ，ｆｂの深さを特定する。その深さが転位の出現深さに等しいことから、転位の出現深さが特定できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、得られたパターン画像等に基づいて、正確なプロセスモニタ可能とする半導体製造装置の管理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の位置のパターンの形状情報と、露光装置の露光条件との関連を記憶するライブラリと、画像情報から抽出された複数の位置の形状情報と、ライブラリに記憶された形状情報を比較し、画像情報から抽出された複数のパターンの形状情報に相当する複数の露光条件の範囲の論理積に基づいて、前記露光条件を抽出する演算装置を備えた半導体製造装置の管理装置、及び上記処理を実行するコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりＦｅ−Ｂペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる２つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記２つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 （もっと読む）

【課題】製造上のばらつきの影響がないパターン付き標準ウエハを実現する。
【解決手段】標準ウエハ４となるウエハ上にパターン幅２３０ｎｍで、一定のパターンピッチＸを有する複数のパターンからなるチップ１を形成する。そして、チップ１の隣のチップ２は、パターン幅を同一とし、パターンピッチにわずかな差（Δｄ）を持たせる（パターンピッチＸ＋Δｄ）。さらにその隣のチップ３のパターンピッチを２Δｄだけ差をもたせる（パターンピッチＸ＋２Δｄ）。以降、パターンピッチはＸ＋ｎΔｄとなっていく（ｎは３以上の自然数である）。パターンの幅自体に意識的にばらつきを持たせる必要はなく、パターンの幅はウエハ製造上の最適の条件で設定可能であり、パターンのピッチを一定値ずつ増加させることにより、装置を校正する上で必要する特性を創出する。 （もっと読む）

【課題】装置の性能に影響する動作異常又は異常の可能性を、試料の処理シーケンス中に検出し、リアルタイムでフィードバックすることで、欠陥の見逃しなどレビュー性能の劣化に起因する工程トラブルの増大を防止する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の各処理ステップにおいて、電子線の制御状態，ウェーハ位置決め時のオフセット量，欠陥座標誤差オフセット量など、装置の動作状態を表すモニタリング項目を試料の処理シーケンス中にモニタリングし、履歴情報として保存する。また、処理シーケンス途中に、予め設定された判定基準で、モニタリング項目の値と、当該モニタリング項目に対応する過去の履歴情報との比較判定を行い、過去の履歴情報からの変動幅が基準範囲を外れた場合はアラートを発する。 （もっと読む）

【課題】処理装置によって基板上に成膜する処理を含む製造プロセスによって製造される又は製造された製造品について、上記基板上に異常が生じたか否かを検査するマクロ検査方法であって、マクロレベルの異常を客観的に検出することができるものを提供すること。
【解決手段】或る処理装置による処理を受けた後の製造品を撮像して検査対象マクロ画像を取得する一方、その製造品がその処理装置による処理を受ける以前に、その処理装置による処理を受けた同種の製造品を撮像して得られたマクロ画像の中から、比較の基準となる比較基準マクロ画像を用意する（Ｓ１０１，Ｓ１０２）。検査対象マクロ画像と比較基準マクロ画像との間で、互いに類似している程度を定量的に表す類似度を算出する（Ｓ１０３）。類似度が予め決められた管理範囲から外れたかどうかを判断する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求めること、求められたΔＰＬと既知の鉄濃度とに基づき、（ΔＰＬ）²と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】合わせずれ検査のサンプリングの精度を保持したままで合わせずれ補正係数を適正化する。
【解決手段】測定値の許容範囲を決定する工程と、第１サンプリングプランと第１合格判定値の算出条件を決定する工程と、第１測定値を取得する工程と、第１分布関数、合わせずれ誤差要因、第１合格率および第１補正係数精度を求める工程と、第２サンプリングプランを上記合わせずれ誤差要因に基づいて決定し、第２合格判定値の算出条件を決定する工程と、第２測定値を取得する工程と、第２分布関数、第２合格率および第２補正係数精度を求める工程と、上記許容範囲を用いて、上記第１分布関数、上記第１合格率および上記第１補正係数精度、並びに、上記第２分布関数、上記第２合格率および上記第２補正係数精度を比較することにより、上記第１サンプリングプランおよび第２サンプリングプランのいずれが適切かを評価する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに付された情報を確実に読み取ることのできる、半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法を提供する。
【解決手段】集積回路が形成され、印字面を有するチップと、前記印字面の一部の領域に印字された印字部とを具備する。前記印字部は、超音波探傷を用いて前記印字面における他の領域と区別可能な材料により、形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上のどの位置にフェイルが密集しているのかを容易に判別し、フェイルの解析にかかる時間を短縮することが可能なフェイルビットマップ表示装置を実現することにある。
【解決手段】複数の被試験対象デバイスのそれぞれの試験結果である複数のフェイルビットマップデータをフェイルビットマップの該当座標に圧縮して表示部に表示するフェイルビットマップ表示装置において、該当座標にあるフェイルの数に応じて該当座標の表示形態を決定する表示決定手段と、表示決定手段で決定された該当座標の表示形態を表示部に表示させる表示制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像を、受像処理装置に伝送する際の欠落やデータ化けを、高速性を損なわずに検出できる仕組みを提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置で撮像された試料の画像又はその一部画像の識別子を生成する。一方、受像処理装置は、受信データに基づいて試料の画像又はその一部画像に対応する識別子を生成し、別に受信した識別子と比較する。二つの識別子が一致しなければ、画像の欠損やデータ化けが発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体層の結晶性を、赤外光のＬＯフォノンバンド波数の値によって簡易に評価する方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射してＬＯフォノンバンド波数を測定し、前記複数の試料のそれぞれについてＸ線回折の成長表面に垂直な方向の歪により半導体化合物結晶層の残留応力を測定し、ＡＦＭ像を用いて前記複数の試料のそれぞれの半導体化合物結晶層の結晶性を評価し、前記評価において結晶性が良好と判断された前記試料のうち前記ＬＯフォノンバンド波数が最も低いものを基準値とし、評価対象の化合物半導体結晶層に赤外反射法または赤外透過法で赤外光を照射して得られたＬＯフォノンバンド波数が前記基準値超の場合に、評価対象の化合物半導体結晶層が良好な結晶性に達していると判断することを特徴とする化合物半導体結晶層の結晶性評価方法が提供される。 （もっと読む）