【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】工程間時間に基づいた工程解析を容易に行うことができる工程解析システムを提供すること。
【解決手段】実施形態の工程解析システムは、基準判定部が、各ロットの工程間時間が基準範囲内であるか否かを工程毎に判定する。割合算出部は、前記工程間時間が基準範囲外となったロットの割合を工程毎に算出する。基準外工程抽出部は、前記割合が所定値以上である工程を基準範囲外工程として抽出し、所定期間における抽出回数を前記工程毎に記憶部に記憶させる。工程抽出部は、前記抽出回数に基づいて、トラブル発生の可能性がある工程を抽出する。相関関係算出部は、抽出された工程で処理されたロット内の基板が有する回路パターンに関する特性と、前記工程間時間と、の相関関係を算出する。限界値算出部は、前記相関関係に基づいて、前記工程間時間の限界値を算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の薄化工程および薄化後の工程において半導体基板を補強し、且つ補強したまま素子特性が取得できる半導体装置の製造方法および補強板を提供する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、半導体基板１１を接着剤４２で覆い、補強板３０を第１パッド１６、１７、１８と第１貫通孔３１、３２、３３が上下重なるように接合する。半導体基板１１を第２の面１１ｂ側から所定の厚さになるまで除去し、所定の処理を施した後、電極膜１９を形成する。第１貫通孔３１、３２、３３に接着剤４０の除去液４３を注入して、第１パッド１６、１７、１８を露出させる。第１パッド１６、１７、１８に第１貫通孔３１、３２、３３を通してプローブ４５、４６、４７を当接し、プローブ４５と電極膜１９の間の電流を測定する。第１貫通孔３１、３２、３３に除去液５１を注入し、半導体基板１１と補強板３０を分離する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを確実に吸着保持する静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 （もっと読む）

【課題】充分な保持剛性で基板を浮上保持すると共に省スペース化を可能とする。
【解決手段】エア浮上ユニット５０は、ベース５１の盤面５１ａ上でエアを吹出及び吸引することで基板を浮上保持する。ベース４１は、盤面５１ａに形成されエアを噴き出すための複数の噴出孔５２と、盤面５１ａに形成されエアを吸引するための複数の吸引孔５３と、ベース５１の内部にて水平方向に延在するように設けられ噴出孔５２から噴き出すエアを流通させて該エアの圧力を損失させるための圧損回路５４と、を備えている。ここで、圧損回路５４は、水平方向に曲がる曲がり部６４を有しており、水平方向に曲がりくねるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数台の画像処理装置を用いて欠陥レビューないし欠陥分類を実行する欠陥レビュー装置において、１台の画像処理装置が故障しても欠陥レビューを継続可能な欠陥レビュー装置を実現する。
【解決手段】複数台の画像処理装置間を統括制御する画像処理制御部を設け、複数台の画像処理装置間で常に生存信号を送受信する。生存信号に何らかの障害が検出された場合（タイムアウトなど）、複数台の画像処理装置間で実行している画像処理について、画像処理制御部が画像処理を実行する画像処理装置の再割り当てを行う。
【効果】障害が発生しても欠陥レビュー装置の動作を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハ欠陥検査又は測定における設計主導型の検査/測定方法および装置を提供する。
【解決手段】レシピ１５５は、検査/測定システム１５０に対して、ウエーハ１６０を検査/測定する方法を指示するためのウエーハ処理パラメータ、検査パラメータまたは制御パラメータを含む命令のセットである。設計データはレシピ抽出システム１５０に取り込まれ、該レシピ抽出システム１５０は、ターゲット構造のインスタンスを認識し、これに応じてレシピパラメータを構成し、これにより、マニュアルでの機器セットアップ時間を減少させ、検査/測定の精度を向上させ、製造効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】スループットを犠牲にせずに処理精度を望ましいレベルにする。
【解決手段】レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための装置及び方法は、前記複数の部品の少なくとも一つの部品に対して行われる加工を計算するための初期設定レシピを調整する。個別の部品に対して行われる加工は、初期設定レシピと、初期設定レシピのパラメータを変更したものを含む個別部品特有レシピとを用いて分析される。初期または個別部品特有レシピは、望ましい処理結果に基づいて選択され、初期設定レシピが選択されたレシピと置き換えられ、レーザーを基にしたシステムを用いて、行うべき加工を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置において装置のロット所要時間にはレシピ情報が必須となっている。（レシピ情報を指定しない場合に装置は予測時間を計算しない。）
【解決手段】検査パターンをＤＢとしてメモリに所持し、レシピ情報指定無しで処理ウエハ枚数のみを入力とした場合でも最短・最長のロット所要予測時間を提供する。また、レシピが指定された場合は特定された検査パターンによるロット所要予測時間を提供する。さらに、既にロット処理中の場合は処理済み時間を減算したロット所要予測時間を提供する。 （もっと読む）

【課題】特定箇所の発見をより容易にすること。
【解決手段】表面４のうちの特定表面領域６の表面目印２−ｉに対する相対位置７を特定するステップと、半導体装置１を研磨することにより断面３−ｊを露出させるステップと、表面目印２−ｉに対応する断面目印５−ｉと相対位置７とに基づいて断面３−ｊのうちの特定断面領域１０を特定するステップと、特定断面領域１０を観察するステップとを備えている。このような半導体装置不良解析方法によれば、ユーザは、半導体装置１の内部の特定断面領域１０をより容易に特定することができ、特定断面領域１０をより容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に形成されたパターンに接触することなくこのウェハを搬送することができる搬送装置、及び、この搬送装置を有する検査装置を提供する。
【解決手段】搬送装置１００は、略円板形状のウェハ９１の外周の対向する少なくとも２箇所の外周部を支持する支持部１０ｄ，１０ｅを有するフィーダアーム１０と、このフィーダアーム１０を駆動するアーム駆動部１４と、ウェハ９１の対向する方向と略直交する方向の少なくとも２箇所の外周部を保持可能なウェハ載置部２２，２３、及び、フィーダアーム１０に支持された状態のウェハ９１をウェハ載置部２２，２３に移載する時に、これらが干渉しないように設けられるアーム退避空間２１ａを有するパレット２０と、ウェハ９１をこのパレット２０と共に搬送するチェンジアーム５０と、アーム駆動部１４とチェンジアーム５０とを制御する制御部８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に形成されたパターンに接触することなくこのウェハを搬送することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ９１を搬送する搬送装置１００は、フィーダアーム１０の上面に、基準点Ｏを中心に対向するように形成され、ウェハ９１の水平方向の移動を規制する２つの壁部１０ｃ，１０ｇと、この壁部１０ｃ，１０ｇの各々の基準点Ｏ側に低く形成され、ウェハ９１の下面の周縁部を支持する２つの支持部１０ｄ，１０ｅと、２つの支持部１０ｄ，１０３の間に、低く形成された逃げ部１０ｆと、を有し、支持部１０ｄ，１０ｅの壁部１０ｃ，１０ｇとの境界の形状は、基準点Ｏを中心とし、ウェハ９１の直径よりも大きい直径を有する円の一部として形成され、支持部１０ｄ，１０ｅの逃げ部１０ｆとの境界の形状は、基準点Ｏを中心とし、ウェハ９１の直径よりも小さい直径を有する円の一部として形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのデバイス領域を犠牲にすることなくダイシング領域を有効に利用して、半導体チップの製造工程における位置情報を追跡することが可能な半導体チップ、半導体チップの製造方法並びに半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面に半導体製造工程を経て形成され、個々に区画するダイシング領域２４を切断することで分離される半導体素子部と、前記半導体素子部以外に設けられ、前記ダイシング領域を切断した後も前記個々の半導体素子部の外周領域に残り、前記半導体素子部を個々に識別するための少なくとも１つ以上の凹部又は凸部からなる識別部２７を備えるように構成した。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度と局所的電気特性（広がり抵抗、静電容量特性及び非線形誘電率特性を含む）との相関を従来よりも正確に求めることができる走査プローブ顕微鏡用標準試料及びキャリア濃度測定方法を提供する。
【解決手段】標準試料１０は、シリコン単結晶よりなる半導体基板１の上に、不純物を添加せずにエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる不活性層３と、不純物を添加してエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる活性層２Ａ〜２Ｆと、を交互に積層して形成される。各活性層２Ａ〜２Ｆはそれぞれ異なるキャリア濃度（不純物濃度）を有しており、キャリア濃度が少なく電気抵抗率の大きな不活性層３で分離されている。このため、異なる活性層間での信号電流のリークを抑制して、キャリア濃度と局所的電気特性との相関を正確に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】被試験ウェハの試験を行っている最中に、被試験ウェハの搬送、アライメントを行って次の被試験ウェハに対する試験の準備を行う技術の提供。
【解決手段】動作電圧及びテスト信号を発生すると共に被試験ウェハの良否判定を行なう試験装置１１と、テストユニット１２Ａ、１２Ｂと、試験装置で発生される動作電圧及びテスト信号を切り替えてテストユニット１２Ａ、１２Ｂ内の複数のテストコンタクト部に供給する信号切り替え回路１３と、ロットケース１６に収納された被試験ウェハ１７を取り出してテストユニット１２Ａ、１２Ｂ内のウェハステージ上に搬送し、かつ試験済みウェハをテストユニット１２Ａ、１２Ｂ内のウェハステージから搬送してロットケース１６に収納するウェハ搬送ロボット１４と、ウェハ搬送ロボット１４の動作を制御する制御回路１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の伝送路を介したデータ転送を個別に行う場合であっても同期的に行う場合であっても効率的に行うことができるデータ転送装置を提供する。
【解決手段】データ転送装置１は、データＤ１を格納するＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎと、ＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎから読み出されるデータＤ２ａ〜Ｄ２ｎをシリアルデータＤ３ａ〜Ｄ３ｎに変換するＰ／Ｓ変換器３２ａ〜３２ｎとをデータの伝送路毎に備えるとともに、ＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎに対するデータの格納状況に応じてＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎからデータを読み出してＰ／Ｓ変換器３２ａ〜３２ｎに変換させる第１制御を伝送路毎に行うとともに、ＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎに対するデータの格納状況及びＰ／Ｓ変換器３２ａ〜３２ｎによるデータの変換状況に応じて転送すべき新たなデータをＦＩＦＯメモリ３１ａ〜３１ｎに書き込む第２制御を行うコントローラ３３を備える。 （もっと読む）

【課題】後の製造工程で発生する可能性がある進行性の欠陥を見出す方法の提供。
【解決手段】基板９、配線パターン（第１の配線パターン）１０、層間絶縁膜１１および配線パターン（第２の配線パターン）１２によって構成される回路基板に対して、バイアス電源８に接続したグリッド部５を通過したプラズマ生成部２で発生させたプラズマを照射して、前記回路基板に電気的ストレス及び熱ストレスを掛けることにより、進行性を有する欠陥を顕在化させるスクリーニング装置１及びそれによるスクリーニング方法である。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイスを基板単位で製造するデバイス製造工程において、検査項目における計測データの特性に応じて、信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定する方法の提供。
【解決手段】本発明にかかる検査位置決定方法は、基板上の所定の検査候補位置において検査項目に関する計測が行われた（Ｓ１０１）基板毎の計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを基板毎に生成し（Ｓ１０２）と、複数の基板モデルに基づいて、検査項目に対応するデータモデルである代表モデルを生成し（Ｓ１０４）と、所定の検査候補位置の計測データ及び代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定する（Ｓ１０５）。 （もっと読む）

【課題】暗視野検査装置の測定結果を微小領域まで保証できる技術を提供する。
【解決手段】表面に不規則な凹凸パターンのマイクロラフネスが精度よく形成され、その表面のマイクロラフネスの粗さが保証されたバルクウエハを基準ウエハとして暗視野検査装置の校正を行う。マイクロラフネスは、薬液による化学処理により精度よく形成することができる。このようなマイクロラフネスをＡＦＭを用いて測定し、測定値を基にヘイズ期待値を求める。その後、校正する暗視野検査装置で基準ウエハの表面のヘイズを測定してヘイズ実測値を求め、ヘイズ期待値とヘイズ実測値との差を求める。この差を基にヘイズ実測値がヘイズ期待値と合致するように暗視野検査装置のヘイズ測定パラメータを調整する。 （もっと読む）