【課題】ボイドの発生を有効に防止しつつ、良好な冷却機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１，２が配置される主面を有する第１の電極３と、第１の電極３の主面に配置された半導体素子１，２と、半導体素子１，２を介して、第１の電極３と対向するように配置された第２の電極４と、第１の電極３の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部５と、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成される空間に充填された第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６と、を備え、樹脂枠部５には、第２の樹脂６１が充填された空間から外部へと、樹脂枠部５を貫通する１以上の連通路５１が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】素子搭載基板からのケース及び封止部材の剥離発生を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、光取出側に開口するケース２０、及びケース２０内に充填された封止部材２１を有する樹脂パッケージ２と、樹脂パッケージ２の封止部材２１によって封止された発光素子４と、発光素子４を搭載するとともに、樹脂パッケージ２を素子搭載面３ａ側に形成する素子搭載基板３とを備え、素子搭載基板３は、ケース２０及び封止部材２１との間に互いに密着する凹凸部Ａ〜Ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、一方の主面１２ｐが大気に露出している金属板１２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成された導体パターン１６と、導体パターン１６に実装された半導体素子２０と、導体パターン１６に接合されたリードピン２２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ側を覆う樹脂部２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高エネルギー光源での劣化による着色の少なさを維持しつつ、温度条件等の変化に対する耐クラック性が良好であり、かつ硬化時の透明性に優れる硬化物を与えるエポキシ樹脂硬化剤、エポキシ樹脂組成物、その硬化物及びそれで封止した光半導体装置を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸無水物及びシロキサン構造含有高分子を含むエポキシ樹脂硬化剤であり、好ましくは、前記シロキサン構造含有高分子は、シロキサン構造含有ポリエステルである。 （もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低減でき、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、水酸基含有ポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物からなる封止層７を、光半導体装置１１に設ける。
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【課題】耐硫化性に優れる加熱硬化性シリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）シラノール基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）アルコキシリル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）縮合触媒、並びに（Ｄ）チアゾール化合物及び／又はトリアジン化合物を含有する加熱硬化性シリコーン樹脂組成物、並びに当該加熱硬化性シリコーン樹脂組成物が光半導体を封止してなる光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】硬化性に優れており、かつ保存安定性に優れており、更に硬化した封止剤の耐熱性が高い光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】光半導体装置用封止剤は、アリール基及びアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く）と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、下記式（１１）又は下記式（１２）で表されるシラン化合物とを含む。


上記式（１１）中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ、炭素数１〜８の１価の炭化水素基を表し、Ｒ５は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。上記式（１２）中、Ｒは炭素数１〜８の１価の炭化水素基を表す。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュール製造工程の歩留まり向上する事ができる基板を提供する。
【解決手段】基板部２と、基板部２の表面に形成された凹部５と、を有する基板１において、基板部２の表面上に、基板部２の表面から凹部５に向かって形成された突起部１０を設けたこと、を特徴とする基板１としたので、電子回路モジュールの製造工程のおける凹部５への樹脂の充填工程後に、樹脂部の樹脂が凹５部内部から外部へ漏れ出すことを防止することができ、電子部品と基板との電気的接続不良を防止することができるので、その基板１を用いた電子回路モジュールの製造工程の歩留まり向上する事ができる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）

【課題】パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等の悪影響を抑制してＬＥＤ素子用リードフレーム基板を製造する。
【解決手段】ＬＥＤ素子が搭載されるパッド部１１と、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたＬＥＤ素子と電気的に接続される接続エリア１２とを有するフレーム部１０と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部を有し、フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板１の製造方法は、
金属板３０にパッド部および接続エリアを形成してフレーム部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、パッド部および接続エリアにメッキ層を形成するメッキ処理工程と、メッキ処理工程後に、フレーム部に対して樹脂部を成形する樹脂部形成工程と、樹脂部形成工程後に、パッド部および接続エリア上に存在する樹脂を除去する樹脂除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールのＸ線解析を防止することにより耐タンパ性を具備する電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】プリント基板アセンブリからなる電子回路部を第２筐体５１に収容し、第２筐体に収容された電子回路部を第１筐体１で覆い、第２筐体内部に絶縁性の高い第１封止剤５５を注入し、第１筐体と第２筐体の間に、耐タンパ性を考慮した、Ｘ線透過が容易でない金属フィラー入りの第２封止剤５６を注入する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を有して構成される回路を樹脂により一体化するに際し、樹脂の膨張収縮に応じて半導体素子に作用する応力の影響を抑制する。
【解決手段】半導体素子４を載置し、ベースプレート９の基準面Ｒに接着される複数の素子基板７と、基準面Ｒに沿って複数の素子基板７の周囲を囲むケース部材２とを備え、ケース内空間に素子基板７と半導体素子４とを覆う高さまでモールド樹脂３が充填される半導体装置１００であって、ケース内空間を区画壁１２によって複数のモールド空間１１に区画する区画部材１を備える。区画壁１２は、基準面に当接すると共に基準面Ｒからの高さＨ６がモールド樹脂３の充填高さＨ５よりも高くなるように構成される。複数のモールド空間１１のそれぞれに少なくとも１つの素子基板７が収容されている。 （もっと読む）

【課題】優れた接着強度を有する金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品を提供する。
【解決手段】融点が５００℃以上の高融点金属を含む金属部材１と樹脂部材２とを一体化した金属樹脂複合構造体１０において、金属部材１と樹脂部材２との間に、５００℃未満の融点を有する低融点金属を含んでなる合金層３が設けられ、合金層３と樹脂部材２との接合面において、合金層３の平均表面粗さが５ｎｍ以上１μｍ未満であり、合金層３の接合面に形成される凹凸の凹凸周期が５ｎｍ以上１μｍ未満であることを特徴とする、金属樹脂複合構造体。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れ、硬化物が変色しにくい、加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）成分；１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を２個以上有する、シランおよび／またはポリシロキサンと、（Ｃ）成分；ジルコニウム化合物と、（Ｄ）成分；スズ化合物と、（Ｅ）１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を１個以上およびエポキシ基を１個以上を有し、エポキシ当量が１４０〜１０００ｇ／ｍｏｌであり、２５℃における粘度が５〜５００ｍＰａ・ｓである、オリゴマー型シランカップリング剤とを含有する、加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物、ならびに当該加熱硬化型光半導体封止用シリコーン組成物によって封止された光半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や耐光性が極めて高く、成形までの可使時間を十分に確保した材料を用いて作成した半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリオルガノシロキサン樹脂、（Ｂ）フィラー、及び（Ｃ）硬化触媒を含有する樹脂成形体２、を少なくとも備える半導体発光装置用パッケージであって、前記フィラーを除いた前記樹脂成形体中における前記硬化触媒の金属成分含有量を０．４ｐｐｍ以上、２５ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子１と絶縁基板４間の接合を長寿命化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板４毎に上面に接合した第１金属回路箔５ｃと、第１金属回路箔５ｃに半田で下面が接合した半導体素子１と、第１金属回路箔５ｃから離れて絶縁基板４毎の上面に接合し、金属ワイヤ３を介して半導体素子１の上面に接続する第２金属回路箔５ａと、金属ワイヤ３と半導体素子１との接続部を被覆する絶縁性の第１樹脂１７ｃと、第１金属回路箔５ｃと第２金属回路箔５ａの側面を被覆する絶縁性の第２樹脂１７ａ、１７ｂとを有し、第１金属回路箔５ｃと、半導体素子１と、金属ワイヤ３と、第２金属回路箔５ａと、第１樹脂１７ｃと、第２樹脂１７ａ、１７ｂを被覆し、第１樹脂１７ｃと第２樹脂１７ａ、１７ｂより硬く、線膨張係数が半田と略等しい絶縁性の第３樹脂１８を有し、第３樹脂１８が、複数の絶縁基板４毎に設けられ、互いに離れている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えることによりＬＥＤ素子からの光の反射特性を維持することが可能なＬＥＤ用基板、ＬＥＤ実装モジュール、およびＬＥＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１を備えている。本体部１１の載置面１１ａには、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。反射用金属層１２により、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子２１からの光の反射特性を維持することが可能である。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）熱硬化性シリコーン樹脂、（Ｂ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂組成物、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤（但し、白色顔料を除く）、（Ｅ）酸化防止剤を含有し、（Ｅ）成分の酸化防止剤が、一般式（１）
Ｐ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）₂ （１）
（Ｒ¹、Ｒ²は同一又は異種の炭素数６以上の有機基である。）
で表されるホスファイト化合物であり、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との配合比率が質量比で５：９５〜９５：５である光半導体基板形成用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物。
【効果】本発明の白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物は、硬化性に優れ、良好な強度を有すると共に、長期間にわたり耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変の少ない硬化物を与えるものである。 （もっと読む）