【課題】難燃性、耐水性および熱伝導性に優れた半導体封止用材料を提供する。
【解決手段】下記（ｉ）〜（ｉｖ）の要件
（ｉ）レーザー回折散乱法で測定された平均２次粒子径が５μｍ以下
（ｉｉ）ＢＥＴ法比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下
（ｉｉｉ）Ｆｅ化合物およびＭｎ化合物の含有量の合計量が金属として０．０２重量％以下
（ｉｖ）Ｕ化合物およびＴｈ化合物の含有量の合計量が金属に換算して１０ｐｐｂ以下
を満足することを特徴とする、水酸化マグネシウム粒子よりなる電子部品封止用材料 （もっと読む）

【課題】実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間隔の狭ピッチ化等に対しても、十分な接合強度をもって対応でき、しかも部品間接合の熱的信頼性を向上させ得る封止材料、はんだ付け用フラックス及びはんだペーストを提供する。
【解決手段】封止材料は、接着性樹脂と、硬化剤と、無機粉末または有機粉末の少なくとも一種とを含有する。この封止材料を用いて、電子部品、半導体チップまたは電子回路モジュールを、部品搭載基板、チップ搭載基板またはマザー基板に接合する。同様のはんだ付けフラックス及びはんだペーストが提供される。 （もっと読む）

【課題】 非常に優れた耐水性を有するリン含有被覆ＭｇＯ粉末およびその製造方法を提供すること。また、そのリン含有被覆ＭｇＯ粉末を含む、耐水性に優れた樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 表面に複酸化物よりなる被覆層を有する被覆酸化マグネシウム粉末の、前記表面の少なくとも一部に、リン酸マグネシウム系化合物よりなる被覆層をさらに有し、かつ、前記被覆酸化マグネシウム粉末に対する前記リン酸マグネシウム系化合物の含有量が、リンに換算して全体の０．１〜１０質量％であることを特徴とするリン含有被覆酸化マグネシウム粉末、及び、表面に複酸化物の被覆層を有する被覆酸化マグネシウム粉末を、リン化合物で処理したのち、３００℃以上で焼成することにより前記被覆酸化マグネシウム粉末の表面の少なくとも一部にリン酸マグネシウム系化合物を形成することを特徴とする、リン含有被覆酸化マグネシウム粉末の製造方法、並びに、その粉末を含有する樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 短時間処理が可能で、可とう性、耐湿性および補強に優れた塗料を生成する光硬化性防湿絶縁塗料およびこれを塗布、硬化する防湿絶縁された電子部品の製造法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）数平均分子量が３００〜１０，０００である光硬化性末端アクリロキシポリブタジエンまたは末端メタクリロキシポリブタジエン、（Ｂ）光重合開始剤および（Ｃ）γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシランを含有してなる光硬化性防湿絶縁塗料、上記光硬化性防湿絶縁材料により防湿絶縁された電子部品の製造法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を封止する封止体の量を常に一定にした発光装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子と、半導体素子を載置するステムと、半導体素子を覆う封止体と、を有し、ステムは半導体素子が載置される底面と側面を持つ第１の凹部が形成されており、さらに第１の凹部の外側に第２の凹部が形成されており、第１の凹部と第２の凹部は、第１の凹部の側壁により互いに分離されている半導体装置に関する。ステムの第１の凹部内に樹脂を注入すると余分な樹脂が溢れ出て、第２の凹部内に溜まり、第１の凹部内には常に一定量の封止体が配置されることとなる。 （もっと読む）

【課題】光電子部品材料として、高い光線透過性を有し、長時間の使用においても該透過性を保持し、しかも、耐熱性にも優れた光電子部品用組成物を提供することを課題としている。
【解決手段】（メタ）アクリル重合体と、分子内にアルケニル基を少なくとも２個以上有するオルガノポリシロキサンと、分子内にヒドロシリル基を少なくとも２個以上有する化合物と、ヒドロシリル化反応触媒とを含有する組成物であって、該（メタ）アクリル重合体が分子内に（メタ）アクリロイル基以外のアルケニル基と、ポリシロキサン鎖を有する（メタ）アクリル重合体であることを特徴とする光電子部品用組成物。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以上の高温で使用するＳiＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得ること。
【解決手段】ワイドギャップ半導体素子１３の外面を、シロキサン（Ｓi−Ｏ−Ｓｉ結合体）による橋かけ構造を有する１種以上のケイ素含有重合体を含有する合成高分子化合物１６で被覆する。前記合成高分子化合物は、例えば、Ｓｉ−Ｒ¹、Ｓｉ−Ｏ−Ｒ²及びＳｉ−Ｒ³−ＯＣＯＣ（Ｒ⁴）＝ＣＨ₂の群から選ばれる一種または二種以上の反応基（Ａ'）を有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量１０００以下の成分が２０重量％以下のケイ素含有重合体である。 （もっと読む）

【課題】金属フレーム部・放熱板との接着力が向上し、成形時の金属フレーム部・放熱板との間での剥離の発生を抑制することのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の式（１）で表される無水トリメリット酸および下記の式（２）で表されるトリメリット酸の少なくとも一方からなる接着付与剤。
【化１】


【化２】


（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】 硬化途上で接触する基材に十分に密着し、長期間経過後も該基材から界面剥離する硬化物を形成する室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および長期間経過後も、電気回路または電極から前記硬化物を除去でき、補修やリサイクルが可能な電気・電子機器を提供する。
【解決手段】 （Ａ）分子鎖中のケイ素原子に結合したトリアルコキシシリル含有基を一分子中に２個有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）アルコキシシランまたはその部分加水分解縮合物、（Ｃ）平均粒径０.１〜２０μｍの球状シリカ微粉末、および（Ｄ）縮合反応用触媒からなる室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器中の電気回路または電極が前記組成物により形成された硬化物によりシールまたはコーティングされている電気・電子機器。 （もっと読む）

【課題】 硬化途上で接触する基材に十分に密着し、長期間経過後も該基材から界面剥離する硬化物を形成する室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および長期間経過後も、電気回路または電極から前記硬化物を除去でき、補修やリサイクルが可能な電気・電子機器を提供する。
【解決手段】 （Ａ）分子鎖中のケイ素原子に結合したトリアルコキシシリル含有基を一分子中に２個有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ジオルガノジアルコキシシランまたはその部分加水分解縮合物、（Ｃ）分子鎖中のケイ素原子に結合したフェニル基を一分子中に少なくとも１個有し、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を有さないオルガノポリシロキサン、および（Ｄ）チタンキレート触媒からなる室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器中の電気回路または電極が前記組成物により形成された硬化物によりシールまたはコーティングされている電気・電子機器。 （もっと読む）

エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、シリコーンゴムを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、該エポキシ樹脂の２０〜８０質量％がビフェニル型エポキシ樹脂であり、該無機充填材の９９．９質量％以上が粒径２０μｍ以下であり、該シリコーンゴムの添加量が全エポキシ樹脂組成物の３〜１０質量％であり、該エポキシ樹脂組成物のゲルタイムが４５〜８０秒であり、該硬化剤が特定の構造のフェノール樹脂からなり、該エポキシ樹脂のビフェニル型エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂として、特定の構造の化合物を用いることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物は、ＷＬ−ＣＳＰ用の、充填性、低反り性、高信頼性を併せ持つ封止材として使用可能である。 （もっと読む）

電子部品を製造する方法は、半導体デバイスをオーバーモールドするための液体射出成形方法を含む。液体射出成形方法は、ｉ）開いたモールド内に半導体デバイスを置くこと、ｉｉ）モールドを閉じて、モールドキャビティを形成すること、ｉｉｉ）モールドキャビティを加熱すること、ｉｖ）モールドキャビティ内に硬化性液体を射出成形して、基板上に半導体ダイをオーバーモールドすること、ｖ）モールドを開け、且つステップｉｖ）の製造物を取り除くこと、及び任意に、ｖｉ）ステップｖ）の製造物をポストキュアさせることを含む。半導体デバイスは、ダイ装着接着剤によって基板に装着される集積回路を有し得る。

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【課題】 面倒な封装樹脂の粘度管理等を不要として工程数を増やすこと無く半導体チップを封装する封装樹脂体を精度よく形成する。
【解決手段】 回路基板２上に半導体チップ１０を実装するとともに半導体チップ１０を封装樹脂体２０によって封装してなる。回路基板２上に、半導体チップ１０実装領域３を囲む環状溝部９とソルダレジスト印刷とシルク印刷とによって形成され、ソルダレジスト層７と絶縁インク層８とが積層形成され、半導体チップ１０に塗布される封装樹脂の流れを規制して封装樹脂体２０を成形する枠状の樹脂流れ規制部６を形成する。 （もっと読む）