【課題】半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物であって、はんだリフロー工程において生じるクラックの発生を抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びそれを用いて得られる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材、シランカップリング剤、及びジメチルジスルフィドを含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。さらに、このエポキシ樹脂組成物は、前記ジメチルジスルフィドの含有割合が、０．１〜１質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な透明性はもちろん、基板等の金属部材に対する高い接着力を備えた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに、下記の（Ｃ）成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）ＳＨ基を少なくとも２個有するポリチオール。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化合物やアンチモン化合物などの難燃剤を使用することなく、その硬化物において難燃性を示す半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノールとジシクロペンタジエンを酸触媒により重合させて得られるフェノール樹脂を原料にエピクロロヒドリンと脱塩酸反応させることで得られるエポキシ樹脂と、硬化剤としてフェノールとビスハロゲノメチルベンゼン類などと反応させて得られるフェノール樹脂、無機充填剤および必要により硬化促進剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物による。 （もっと読む）

デバイスを密封封止するのにかかる時間を低減する封止方法、及び得られた密閉封止されたデバイス（例えば、密閉封止されたＯＬＥＤデバイス）が本明細書に開示されている。封止方法は、(1)未封止のデバイスを冷却するステップと、(2)前記冷却されたデバイスの少なくとも一部に封止材料を堆積させて、封止されたデバイスを形成するステップと、（３）前記封止されたデバイスに熱処理を施して、密閉封止デバイスを形成するステップと、を含む。１実施例においては、前記封止材料は、低液相線温度（ＬＬＴ：ｌｏｗ ｌｉｑｕｉｄｕｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）無機物質であり、低液相線温度無機物質は、例えば、例えば、スズ‐フルオロリン酸塩ガラスや、タングステンドープのスズ‐フルオロリン酸塩ガラスや、カルコゲナイドガラスや、テルライトガラスや、ホウ酸塩ガラスやリン酸塩ガラスである。別の実施例では、前記封止材料は、例えば、ＳｎＯ、ＳｎＯ＋Ｐ_２Ｏ_５，ＳｎＯ＋ＢＰＯ_４等のＳｎ^２＋含有無機酸化物質である。
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【課題】短時間処理が可能で、耐湿性、基材との接着性及び樹脂強度（硬度）に優れた光硬化性防湿絶縁塗料及びこれを塗布、硬化する防湿絶縁された電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性防湿絶縁塗料は、（Ａ）アクリロキシポリブタジエン又はアクリロキシ水添ポリブタジエンと、（Ｂ）ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレートと、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、及び（Ｄ）光重合開始剤とを含有する。（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の全量に対して、１〜３０重量％である。
【化１】


（Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^２は炭素数５〜２０のアルキル基又はアルケニル基を表す。） （もっと読む）

【課題】電子部品を配線基板に接合する場合に形成する封止構造について、熱応力を緩和するという事項と、耐湿性および／または耐水性という事項とを同時に具備することができる封止構造を提供する。
【解決手段】電子部品の封止構造は、回路基板上の接続用電極に電子部品の接続用電極を対向させて両電極の間に導電性材料による導通接続部を形成すると共に、前記基板表面と前記電子部品の少なくとも下側表面との間に前記導通接続部を封止する樹脂封止部を形成してなる電子部品の封止構造であって、前記樹脂封止部は内側樹脂層および外側樹脂層の少なくとも２層からなり、内側樹脂層と外側樹脂層との間ではガラス転移温度が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止用液状エポキシ樹脂組成物において、酸無水物硬化剤を配合使用する場合であっても、封止硬化体の耐湿性の確保とその向上を図ることのできる新しい封止用樹脂組成物とこれを用いて封止した半導体装置を提供すること。
【解決手段】以下の成分を必須として含有している封止用の液状エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）常温で液状のエポキシ樹脂 （Ｂ）酸無水物硬化剤 （Ｃ）リン系添加剤 （Ｄ）無機充填材リン系添加剤は、有機リン酸化合物および有機亜リン酸化合物のうちの１種以上であることが望ましい。また、（Ｂ）酸無水物硬化剤の（Ａ）常温で液状のエポキシ樹脂に対する配合質量比は、Ｂ／Ａとして０．５０〜１．１の範囲内であることが望ましい。更に、リン系添加剤の組成物全体量に対する配合は０．０２ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の範囲内が望ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造（封止）に用いられる、ポットライフ、流動性および硬化性に優れ、かつ塩素イオン量の少ない半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。しかも、上記（Ｃ）成分が、エポキシ樹脂組成物中に分散されている。
（Ａ）１分子中に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂。
（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物。
（Ｃ）最大粒子径が３０μｍ以下で、かつ標準偏差が５μｍ以下である、下記の一般式（１）で表される化合物からなる粒子。
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【課題】環境負荷の少ない、電子部品の絶縁に適した実装回路板用の光硬化性防湿絶縁塗料に利用される光硬化性樹脂組成物、及び絶縁処理された信頼性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性樹脂組成物は、（ａ１）ポリオレフィンポリオール化合物、（ａ２）ヒドロキシル基を有するエチレン性不飽和化合物及び（ａ３）１分子中にイソシアネート基を２個以上有する化合物を反応させて得られるエチレン性不飽和二重結合を有するウレタン化合物と、（Ｂ）光重合性単量体と、及び（Ｃ）光重合開始剤とを含有し、前記（Ｂ）成分は、（Ｂ１）分子内に５以上１０以下のエチレン性不飽和二重結合を有する光重合性単量体である。 （もっと読む）

【課題】 上面側に複数の柱状電極が設けられたシリコン基板を備えた半導体装置において、耐湿信頼性を向上する。
【解決手段】 半導体構成体１のシリコン基板２、絶縁膜４および保護膜６の周側面および半導体構成体１の配線８を含む保護膜６の上面は封止膜１２で覆われ、半導体構成体１のシリコン基板１の下面およびその周囲に設けられた封止膜１２の下面は保護膜１４で覆われている。この場合、封止膜１２および保護膜１４は水分を通さないエポキシ系樹脂によって形成しているので、耐湿信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】十分な難燃性を有するとともに耐湿性に優れ、かつ液状である、ディスペンサーによるポッティングによって半導体の封止を行うことができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂（Ｂ）硬化剤（Ｃ）無機質充填剤（Ｄ）無機質充填剤に担持されたモリブデン酸亜鉛（Ｅ）特定の構造のホスファゼン化合物を含み、（Ａ）および（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して、（Ｃ）成分の配合量は４００〜８００重量部であり、（Ｄ）成分の配合量は５〜４０重量部であり、（Ｅ）成分の配合量は５〜４０重量部であり、（Ｄ）成分と（Ｅ）成分の配合量の合計が１０〜４０重量部であり、かつ臭素化物及びアンチモン化合物を含まないことを特徴とする、半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 成形時の流動性、離型性、連続成形性が良好で、かつ耐半田性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂（ａ１）及び／又はビスフェニル構造を有するエポキシ樹脂（ａ２）を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（ｃ１）、及び／又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン（ｃ１）とエポキシ樹脂との反応生成物（ｃ２）、並びに（Ｄ）トリメチロールプロパントリ脂肪酸エステル（ｄ１）及び／又はトリメチロールプロパンと脂肪酸とジカルボン酸の複合フルエステル（ｄ２）、を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】金属ベースの厚さのばらつきがあっても、樹脂封止において樹脂漏れを生じることがなく、封止（防水）信頼性の高い電気電子モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】部品を搭載実装される回路基板５と、前記回路基板５を取り付けられる金属ベース１を封止樹脂にて一体封止する電気電子モジュールであって、溶融樹脂による封止成形時に、前記金属ベース１が成形金型に型締めされる部分と成形金型との間に、型締力によって変形する追従部材が配置されている。 （もっと読む）

【課題】耐湿性と耐マイグレーション性を両立させた半導体、特にＣＯＦ型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、該組成物を封止剤として用いてなる半導体装置および該半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、芳香族アミン（Ｂ）、金属錯体（Ｃ）、カップリング剤（Ｄ）およびシラン（Ｅ）を含み、エポキシ樹脂（Ａ）と芳香族アミン（Ｂ）の合計量１００質量部に対して金属錯体（Ｃ）が０．２〜３．０質量部、カップリング剤（Ｄ）およびシラン（Ｅ）が合わせて３．０〜５．５質量部である、低粘度の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いてなる半導体装置および該半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂組成物とした場合に、良好な硬化性と流動性とを両立し、さらには優れた保存性を与えることができるエポキシ樹脂組成物及び耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と硬化促進剤とを含むエポキシ樹脂組成物であって、フェノールのＯＨ基がプロトンを放出して形成される酸素アニオンは珪素原子と結合してキレート構造を形成し得る化合物であるプロトン供与体と一つの二級アミノ基を持つトリアルコキシシラン化合物とを反応させて得られる硬化遅延成分（Ｆ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】難燃性に優れ耐半田性、耐湿信頼性にも優れるエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と一般式（１）で表される化合物（Ｂ）とを含んでなるエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。
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【課題】作業工数を低減することができる中空構造体の製造方法およびそれによって得られた中空構造体を提供する。
【解決手段】中空構造体の製造方法は、第１板状体と第２板状体とを樹脂スペーサー３を介して接合し、第１板状体と第２板状体との間に空隙部１０１を形成してなる中空構造体の製造方法であって、官能基を有する環状オレフィン系樹脂と、光酸発生剤とを含み、光硬化後に接着性を有する樹脂組成物で構成される樹脂層を第１板状体の表面側に形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層に光を照射して樹脂層を選択的に硬化させる光硬化工程と、前記光硬化工程で前記樹脂層の未硬化の部分を除去して、前記空隙部１０１を形成するように樹脂スペーサー３を形成する現像工程と、前記樹脂層を形成した第１板状体と、第２板状体とを前記樹脂スペーサー３を介して接合し、熱圧着する熱圧着工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、溶媒を使用することなく、均一な固形樹脂組成物及び均一な液状樹脂組成物を得ることができ、短時間成形可能で、各種の成形に使用可能な生産性の高いシェラック樹脂組成物を得ることを目的としている。
【解決手段】 この発明は、シェラック樹脂、水溶性エポキシ樹脂を必須成分として用いるシェラック樹脂組成物である。これに、植物油脂、有機質充填剤または無機質充填剤を用いることが好ましい。
前記シェラック樹脂が水溶性エポキシ樹脂に溶解混合されたものであり、前記シェラック樹脂の加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以下であり、水溶性エポキシ樹脂組成物が水に対する溶解度が２０％以上であることが好ましい。この組成物を用いて製造した成形体は、弾性率が低く、高強度であり、耐衝撃性、耐湿性に優れた材料である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填材と、（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム塩（ｄ１）、ホスホベタイン化合物（ｄ２）、及びホスフィン化合物とキノン化合物との付加物（ｄ３）から選ばれる１種、又は２種以上のテトラ置換有機リン化合物と、（Ｅ）水と、を用いることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は上記に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化性を低下させずに流動性、耐半田リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）アクリル化合物を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料において、（Ｃ）アクリル化合物が、下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で示される化合物を重合して得られるアクリル化合物である封止用エポキシ樹脂成形材料。
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