カップリング装置は、平行な軸に沿った慣性センサエレメントフレームの逆位相の運動を許すが、フレームの同位相の運動を実質的に妨げる。カップリング装置は、第一と第二のセンサエレメントフレームとの間に結合されたバーおよびバーを支持する少なくとも１つの支持構造を含む。少なくとも１つの構造は、フレームの下にある基板に結合される。構造は、フレームが実質的に平行な軸に沿って互いに逆位相で動くときには、バーがピボットポイントで回転することを許すが、フレームの同位相の動きを実質的に妨げる。
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【課題】
【解決手段】一例における装置は、第一の入力軸線に沿った第一の加速度を検知すべく採用可能な第一のプルーフマスと、第二の入力軸線に沿った第二の加速度を検知すべく採用可能な第二のプルーフマスと、第三の入力軸線に沿った第三の加速度を検知すべく採用可能な第三のプルーフマスとを備えている。第一の入力軸線、第二の入力軸線及び第三の入力軸線は実質的に直交する。第一のプルーフマス、第二のプルーフマス及び第三のプルーフマスは実質的に面一である。プルーフマスのキャビティは重心を配置する機能を果たす。入力軸線は、これらの入力軸線が共通の点にて交差し且つ、互いに直交するよう配置することができる。
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電子センサ・デバイス２０用のセンサ素子２４に関する。センサ素子２４は、基板４３、一対のプルーフマス３４ａ，３４ｂ、一対の駆動ビーム４４、及び１つ以上の基部ビーム４６を備える。一対のプルーフマス３４ａ，３４ｂは基板４３の上方に懸架され、係留点５０にて基板４３に取り付けられている。一組の駆動ビーム４４はプルーフマス３４ａ，３４ｂと係留点５０との間に配設されている。各駆動ビーム４４は、第１の方向に延在する第１の長尺状基部６２と、第２の方向に沿って延在する第１の可撓性バネ部材６４とを含む。基部ビーム４６は一組の駆動ビーム４４を相互接続し、第２の長尺状基部７２及び第２の可撓性バネ部材７４とを備える。第２の長尺状基部７２は第２の方向に延在し、第２の可撓性バネ部材７４は第１の方向に延在する。第１及び第２の可撓性バネ部材６４，７４は、折り曲げたビームの柱又は襞状バネなど、蛇行形状であってよい。
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【課題】半導体基板に形成した三次元構造体を封止する中空構造のサイズを小さく、かつ簡素化する。また、前記構造体と半導体チップとの熱膨張係数の差による熱応力等に起因する特性の変化を防止する。
【解決手段】半導体基板に三次元構造体を形成した半導体チップを中空構造で封止した半導体装置において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。また、その製造方法において、前記半導体基板に、前記三次元構造体を囲む凸部を形成する工程と、前記凸部に蓋部材を接着する工程とを有し、この凸部と蓋部材とによって前記中空構造を構成する。上述した本発明によれば、半導体チップの凸部と蓋部材とによって中空構造を構成するため、中空構造に要するスペースが小さくなり、凸部が半導体チップと同一材料であり、熱膨張による応力を防止することが可能となる。 （もっと読む）