【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の上面のエアダンピング効果が高い領域４ａ，４ｂに掘り込みを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出精度をより向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】可動電極４の中央部に、一対のビーム６ａ、６ｂを結ぶ境界線Ｂに対して対称に窪み５０を設けることで、可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの相対的なアライメントがｍだけずれた場合であっても、それら可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの対向面積が変化するのを抑制できるようにした。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒンジが熱応力の影響を受けないようにし、温度特性の向上を図る。
【解決手段】方形状の縁部２４を有する可動部２１が、可動部２１の内側に位置して可動部２１と同一材料で形成されたヒンジ２２により支持され、入力加速度に応じて可動部２１が変位する加速度センサにおいて、ヒンジ２２は縁部２４の一辺２４ａと平行に延伸されて一直線上に位置された一対のヒンジ２２よりなり、一対のヒンジ２２の各一端は縁部の対向二辺２４ｂ，２４ｃにそれぞれ連結され、一対のヒンジ２２の各他端はヒンジ２２と同一材料で形成された枠部３１及び接続部３２を介して固定部２３に支持される。枠部３１は固定部２３のまわりに位置し、接続部３２によって固定部２３と連結され、接続部３２はヒンジ２２の延伸方向と直交する方向に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてスティッキング抑制効果の高いストッパ構造を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に変位可能に支持された可動部２を有する機能層９と、前記機能層と高さ方向に間隔を空けて対向配置された対向部材３０と、を有し、前記対向部材３０には前記可動部と対向する位置に、前記可動部の高さ方向への変位を規制するストッパ部４６，４７が設けられており、前記ストッパ部は、突起基部４２，４３、前記突起基部の表面に形成された金属下地層４４、及び前記金属下地層の表面に形成された絶縁層４５の積層構造により形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することが出来る３軸検出角速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の３軸検出角速度センサは、Ｙ軸およびＺ軸検出用角速度センサ素子２０と別体に設けられるとともにＸ軸方向に延出された音叉型のＸ軸検出用角速度センサ素子７０とを設けたため、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、高い検出感度を有する小型の物理量センサーおよびこれを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】物理量センサー１は、４つの振動部５１〜５４と、４つの振動部５１〜５４の集合体の中心Ｏからの動径方向がＸ軸およびＹ軸の両軸に対して４５度の角度を為す方向にある４つの基板固定部６１〜６４と、基板固定部６１〜６４の各々からＺ軸まわりに隣接する２つの振動部へ延びた２つのバネ機構７１１〜７４２と、第１振動部５１、５２をＸ方向に逆位相で振動させつつ、第２振動部５３、５４をＹ方向に互いに逆位相で振動させる振動手段４とを有している。また、２つのバネ機構は、振動部５１〜５４の振動に応じて、ＸＹ平面内で音叉振動する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、高い検出感度を有する小型の物理量センサーおよびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】物理量センサー１は、円環振動可能なリング部３１と、４つの支持部６１〜６４と、支持部６１〜６４とリング部３１の円環振動の節となる部位とを連結する４つの梁７１〜７２と、可動部を有しリング部３１を介してＸ１軸向に対向配置された一対の第１質量部５１、５２と、可動部を有しリング部３１を介してＹ軸方向に対向配置された一対の第２質量部５３、５４と、一対の第１質量部５１、５２および一対の第２質量部５３、５４のうちの少なくとも一方を第１の周波数で互いに逆位相となるように振動させる振動手段４とを有し、リング部３１は、前記第１の周波数に応じて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に対して円環振動する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板１０２と、基板の第１電極部１０８ａが配置された側に配置された制御素子であるＩＣ１１０と、可動部１３３と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド１３６とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材１４２と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、基部３１と、基部３１からＹ軸方向に延出し、Ｚ軸方向を法線とする板面を有する梁部３４と、梁部３４の先端部に設けられた質量部３５と、梁部３４の板面上に第１電極層４２１、圧電体層４２２および第２電極層４２３がこの順で積層され、梁部３４のＺ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子４２とを有し、梁部３４は、Ｚ軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 （もっと読む）

【課題】測定圧に対する感度を落とすことなく、高静圧下においても座屈せずに機能できる振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】シリコン基板に設けられた板状のダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの少なくとも一方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を防止する座屈防止部材を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】 特に、高さ方向（Ｚ軸方向）への検出レンジを広げることができ、さらに安定したセンサ感度を得ることが可能な薄型の物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 固定支持されるアンカ部と、高さ方向に変位する可動部２と、弾性変形可能な連結部を介して回動自在に連結された支持部３，４と、可動部２の変位を検知するための検知部３６とを有している。支持部には、可動部２が高さ方向に変位したときに可動部２の変位方向に対し逆方向に変位する脚部３ｂ，４ｂが設けられている。脚部３ｂ，４ｂが前記可動部と高さ方向にて対向する対向部３０の表面３０ａに当接した状態から撓んで、可動部２が対向部の表面から更に離れる方向に変位可能なように、脚部３ｂ，４ｂが弾性変形可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板１と、基板に対向して配置された検出フレーム２１，２２と、基板に対向して配置された慣性質量体５と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極４１、４２とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極１０１，１０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に可動電極５ａ，６ａが形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂと、が形成されている。そして、１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂのうちいずれか一方のビーム部７ｂ，８ｂが他方のビーム部７ａ，８ａよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減できるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて配置される封止材と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、ケースにより前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に空間を確保し、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に、前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて封止材を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）