【課題】組み立て時の応力に対して特性が安定した加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、可動電極１３と、第一、第二の固定電極１１、１２と、基板２０と、固定電極支持部位２５とを有している。第一、第二の固定電極１１、１２は可動電極１３と対向するように配置されている。基板２０は第一、第二の固定電極１１、１２を支持するためのものである。固定電極支持部位２５は基板２０に第一、第二の固定電極１１、１２を支持し、第一、第二の固定電極１１、１２に接する面積が第一、第二の固定電極１１、１２の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】検出感度を低下させることなく検出不良を防止することができる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】錘として機能する可動電極１２ｃと、可動電極１２ｃを収容する空間が形成されたシリコン製基板１１と、可動電極１２ｃをシリコン製基板１１に対して昇降可能に支持する撓み梁１１ｃと、可動電極１２ｃに対して所定の間隔を置いて対向する固定電極１４ｅを有し、シリコン製基板１１の主面に接合されたガラス基板１３とを具備し、撓み梁１１ｃは、平面視において可動電極１２ｃから所定の間隔をおいて可動電極１２ｃの周囲に沿う長尺部２１ａと、長尺部２１ａ及び可動電極１２ｃを連結する連結部２１ｂとを有しており、ガラス基板１３には、撓み梁１１ｃに対向する位置に撓み梁１１ｃとガラス基板１３とが接触するのを防止するための逃げ溝１３ａを形成して構成した。 （もっと読む）

【課題】動的な動作条件下で、バイアス誤差を加速度測定から連続的に除去する自己較正レーザ加速度計システムを提供すること。
【解決手段】動的な動作条件下で、バイアス誤差を加速度測定から連続的に除去する自己較正レーザ加速度計システムは、フレームと、そのフレーム内で位置決めされた、１対の本質的に同一の質量変調加速度計とを有する。各加速度計は、フレクシャ懸架によって検知要素フレームに取り付けられたプルーフ・マスを含む。プルーフ・マスは、入力軸に沿った検知要素フレームの加速度に応答して、出力軸の周りで回転するように構成される。第１のプルーフマスは、第１のプルーフ・マスの質量変調をもたらすように、また入力軸に対する選択的に可逆の極性をもたらすように、またバイアスの自己較正をもたらすように、出力軸の第１の側の第１の安定位置と、出力軸の第２の側の第２の安定位置との間で移動可能である二次質量を含む。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ（５２）は、基板（６２）と、前記基板（６２）から離間する可動素子（５８）と、前記基板（６２）上に形成されるサスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）と、そして前記可動素子（５８）を前記サスペンションアンカー群に相互接続する従動部材群（７４）と、を含む。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は更に、固定フィンガ群（７６）と、そして前記固定フィンガ群（７６）を前記基板（６２）に取り付ける固定フィンガアンカー群（７８）と、を含む。前記可動素子（５８）は開口部群（６４）を含む。前記サスペンションアンカー群のうちの少なくとも１つのサスペンションアンカーが、前記複数の開口部（６４）のうちの少なくとも１つの開口部内に設けられ、そして複数ペア（９４）の前記固定フィンガ群（７６）が、他の複数の開口部（６４）内に設けられる。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は対称に形成され、そして前記固定フィンガアンカー群（７８）の位置によってアンカー領域（１０３）を画定し、このアンカー領域内に、前記サスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）が配置される。
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【課題】温度特性が良好であり、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、錘部１２ａ〜１２ｄを有するシリコン製基板１１と、このシリコン製基板１１の一方の主面と接合されており、錘部１２ａ〜１２ｄに対して静電容量を検出するための固定電極１４ａ〜１４ｆを有するとガラス基板１３と、シリコン製基板１１の他方の主面と接合されたガラス基板１５とを、具備し、Ｚ軸方向用のセンサ部は、錘部１２ｃが加速度によりシリコン製基板１１に対して撓み梁１１ｃにより昇降可能に支持されてなるセンシング部Ａと、このセンシング部Ａの静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部Ｂと、を有し、参照部Ｂにおいては、錘部１２ｄがシリコン製基板１１に対して支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性センサを用いて、面内線形加速度、面内回転、面外線形加速度、及び面外回転を判定及び／又は検知する方法を提供する。
【解決手段】慣性センサ１００は、２つの慣性質量１０２、１０４を備え、左側慣性質量１０２は、第１左上検知（ＵＬＳ）電極１０６と第１左下検知（ＬＬＳ）電極１０８との間にあり、右側慣性質量１０４は、右上検知（ＵＲＳ）電極１１４と右下検知（ＬＲＳ）電極１１６との間にある。慣性センサは、慣性センサの面外運動を検知するための上下の検知電極１０６及び１０８、検知電極１１０及び１１２、検知電極１１４及び１１６、検知電極１８１及び１２０を備え、これらは、それぞれの慣性質量１０２、１０４の面外運動を検知する電極対を形成する。面内回転は、電極対１０６、１０８及び電極１１４、１１６によって検知し、面内線形加速度は、検知櫛歯１２４、１２６によって検知し、面外回転は、内検知櫛歯１２４、１２６によって検知する。 （もっと読む）

【課題】平面外ＭＥＭＳデバイスから加速度および回転を決定するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）慣性センサシステムおよび方法は、線形加速度および回転を決定するように動作させることができる。一例示的実施形態は、第１の電極対を介して第１のプルーフマスに第１の線形加速度再平衡力を加え、第２の電極対を介して第２のプルーフマスに第２の線形加速度再平衡力を加え、第３の電極対を介して第１のプルーフマスに第１のコリオリ再平衡力を加え、第４の電極対を介して第２のプルーフマスに第２のコリオリ再平衡力を加え、加えられた第１および第２の線形加速度再平衡力に対応する線形加速度を決定し、かつ、加えられた第１および第２のコリオリ再平衡力に対応する回転を決定する。 （もっと読む）

【課題】外力検知装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。外力に応じ、錘部７の変位と、これに伴う梁部６の変形とが生じる構成とする。錘部７と支持部５とを隔てる間隙部８の形成位置の上部層２を第１のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、間隙部８の形成位置の下部層４および梁部６の形成位置の下部層４を第１のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、間隙部８の形成位置の中間層３を第２のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有する。上部層エッチング工程におけるエッチング溝９の平面形状を複数の方向性を持つ溝形状とする。 （もっと読む）

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２上には、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５が設けられている。ＸＹ可動電極３は、ＸＹ固定電極４と対向し、その対向方向に変位可能である。Ｚ可動電極５は、シリコン基板２と対向し、その対向方向に変位可能である。また、シリコン基板２上には、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５を取り囲む環状の壁部６が設けられている。この壁部６上には、壁部６に沿った環状の接地用導電部９が設けられている。接地用導電部９に囲まれる開口部は、レジストテープからなるキャップ１２により閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】角速度センサの封止圧力と加速度センサの封止圧力とを同一にする場合であっても、角速度センサの検出感度の向上と加速度センサの検出感度の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】角速度センサと加速度センサ３とを同一の封止圧力で封止する。このときの封止圧力は、角速度センサの検出感度を向上させる観点から、大気圧よりも低い減圧状態とする。そして、減圧下においても、加速度センサ３の検出感度を向上するために、加速度センサ３の可動体１４の移動を抑制する移動抑制部（ダンパー）２３を設ける。この移動抑制部２３は、可動体１４と一体的に形成された複数の突起部２３ａと、周辺部１２と一体的に形成された複数の突起部２３ｂを有し、突起部２３ａと突起部２３ｂは、交互に等間隔で離間して配置される。 （もっと読む）

【課題】加速度センサや角速度センサのようにバルクマイクロマシニング技術により形成したＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の小型化や薄型化と、高感度化を両立しつつ、ＭＥＭＳセンサとＬＳＩ回路からなる半導体装置の実装構造を簡易化する。
【解決手段】ＳＯＩ基板のシリコン層１０２上にＭＩＳＦＥＴや配線を有する集積回路を形成し、ＳＯＩ基板の基板層１００を加工して、構造体１２５を含むＭＥＭＳセンサを形成している。すなわち、ＳＯＩ基板の両面を使用して、１つのＳＯＩ基板に集積回路とＭＥＭＳセンサを搭載する。そして、集積回路とＭＥＭＳセンサとは、ＳＯＩ基板の内部に設けられている貫通電極１２１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

ヨーレートセンサにおいて、基板と、多数の可動の部分構造体とが設けられており、該部分構造体が、基板の表面の上に配置されており、可動の部分構造体が、１つの共通の、特に中央のばねエレメントに連結されており、可動の部分構造体を励振させて、基板の表面に対して平行な平面内でのカップリングされた振動を生ぜしめるための手段が設けられており、可動の部分構造体が、コリオリ素子を有しており、該コリオリ素子の、コリオリ力によって生ぜしめられた変位を検出するための手段が設けられており、第１のコリオリ素子が、第１の軸回りの回転角速度を検出するために設けられており、第２のコリオリ素子が、第２の軸回りの回転角速度を検出するために設けられており、第２の軸が、第１の軸に対して特に直角に向けられていることを特徴とするヨーレートセンサ。
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本発明は、角速度を測定するのに使用される計測デバイスに関し、より正確には、振動型微小機械角速度センサに関する。本発明による角速度センサにおいて、ばね（１）、（２）、（３）、（４）、（２２）、（２４）によって伝達される一方の運動モードから別の運動モードへの結合が、ばねまたはそれぞれの支持体の歪度に起因する非理想的な性質によって生じる結合を打ち消したりあるいは緩和させたりするように、質量体は、非対称のばね構造体（１）、（２）、（３）、（４）、（２２）、（２４）を利用してセンサ構成要素のフレームに対して支持される。本発明による角速度センサの構造体によって、特に角速度センサに小型の振動型微小機械技術を使用する解決法において、優れた性能によって信頼できる測定を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】センサのサイズを拡大することなく、他軸感度の発生を抑えることができ、かつ直線性のよい２軸静電容量型加速度センサを実現する。
【解決手段】１以上のＸ軸固定電極１１１と、１以上のＹ軸固定電極１１２とが同一の板面に形成された基板１１０と、基板１１０と平行に対向して配置され外周縁に設けられたフレーム１２１と、フレーム１２１の内側に複数の梁１２２によりＸ軸方向に変位自在に支持され、Ｘ軸方向への変位と、上記Ｘ軸固定電極１１１と対向する面積の変化との間にあらかじめ定めた関係が成立するＸ軸可動電極１２３と、Ｘ軸可動電極１２３の内側に、複数の梁１２４によりＹ軸方向に変位自在に支持され、Ｙ軸方向への変位と、上記Ｙ軸固定電極１１２と対向する面積の変化との間にあらかじめ定めた関係が成立するＹ軸可動電極１２５とを有する構造体１２０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 センサーチップに加わる外乱力に対して感度などの特性が変動しにくい加速度
センサーを実現する。
【解決手段】 支持枠部と可撓性の梁部を介して支持枠内に支持される錘部と、梁部に設
けられた半導体ピエゾ抵抗素子とそれらを接続する配線を有し、ピエゾ抵抗素子の抵抗変
化から加速度を検出する加速度センサーであって、梁部のピエゾ抵抗素子の形成部以外の
部分に応力緩衝部を形成する。応力緩衝部は梁部の略中央部に形成する。センサー素子に
外乱力がり梁部の長手方向に力が加わっても、応力緩衝部で外乱力を吸収する。梁部の長
手方向の応力が変化しにくいため、梁の変形しやすさも変化しにくくなり、外乱力の影響
による感度の変化を低減することができる。 （もっと読む）

対称型差分容量センサ（６０）が、幾何学的中心である回転軸（７０）の周りに旋回可能な可動要素（６６）を備えている。前記要素（６６）は区分（８６、８８）を備えている。区分（８６、８８）はそれぞれ、回転軸（７０）から等しく離れて配置された止め具（９４、９６）を有する。また区分（８６、８８）はそれぞれ、異なる構成（１０４、１０８）のアパーチャ（１０２、１０６）を有する。アパーチャ（１０２、１０６）の構成（１０４、１０８）によって、区分（８６、８８）間で質量不均衡が生じる結果、要素（６６）が、加速度に応答して回転軸（７０）の周りで旋回する。またアパーチャ（１０２、１０６）によって、製造中のエッチ・リリースが促進され、要素（６６）が回転するときの空気制振が減る。アパーチャ（１０２、１０６）の下に設けられた電極（７８、８０）内にアパーチャ（１２６、１２８）を形成して、可動要素（８６）の二つの区分（８６、８８）間で容量を整合させ、同じ双方向駆動能力を実現する。
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【課題】物理量センサにおいて、長期信頼性を確保しつつ、小型化、高密度化を図ること。
【解決手段】物理量センサ５０は、支持基板２と、センサ素子３０を有し且つ支持基板２上に絶縁層３を介して接合された素子基板１と、センサ素子３０の領域を覆い且つ素子基板１に接合されたガラスキャップ１２と、センサ素子３０へ電気的に接続された貫通配線１０とを備える。貫通配線１０は素子基板１、絶縁層３及び支持基板２を貫通する貫通孔に形成されている。ガラスキャップ１２における貫通配線１０の領域を覆った部分と素子基板１とが陽極接合されている。 （もっと読む）

【課題】 センサ部を複数個共通の半導体基板上に形成した温度特性が良好な容量式半導体加速度センサを実現する。
【解決手段】 センサチップ１１には、センサ部１２及びセンサ部１３が長手方向に並んで形成されている。センサ部１２及びセンサ部１３の間の領域には、素子形成基板２０ｃの表面２０ｅから埋込酸化膜２０ｂに向かって、センサチップ１１の厚さを薄く形成するための溝状の薄肉部３１が短手方向に略平行に形成されており、薄肉部３１に対向して、支持基板２０ａの表面２０ｄから埋込酸化膜２０ｂに向かって、溝状の薄肉部３２が形成されている。センサチップ１１に、薄肉部３１及び薄肉部３２を形成することにより、センサチップ１１の内部応力や接着層３０に起因する温度変化に伴うセンサチップ１１の反りを、長手方向において減少させることができるので、温度特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】落下検知センサを小型、且つ、安価に構成する。
【解決手段】落下検知センサ１は、可動電極とこの可動電極に対向配置された固定電極とをｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸毎に有する３軸加速度センサ２と、可動電極と固定電極間の静電容量をｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸毎に検出し、検出された静電容量からｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸方向の加速度を算出するＡＳＩＣ３とを備え、可動電極と固定電極は静電容量が自由落下時に最大となるように対向配置され、ＡＳＩＣ３はｘ軸，ｙ軸，及びｚ軸の静電容量が所定値以上になった場合、自由落下していると判定する。 （もっと読む）