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Fターム[4M112CA31]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | 電極 (686)

Fターム[4M112CA31]に分類される特許

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【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ1の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第1保護壁120は、放電防止用配線部25,26と可動電極4A,4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25,26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25,26の切断部分Xの金属材料Yは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25,26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】長寿命化、歩留率の向上を実現する。
【解決手段】本体1は前記一面が開口した箱状の枠体部1aとその側壁部1a1内側に位置する可動体部1bとを有し、可動体部1bは当該可動体部1b両側と枠体側面部1aの内側とを接続する一対のビーム1cを回動軸として回動可能に設けられており、可動体部1bの第一の固定基板2側には可動電極6が設けられており、第一の固定基板2には平面視で前記回動軸を挟んだ両側となる部分に第一および第二の固定電極4A,4Bが可動電極6に対向するように設けられており、平面視において第一の固定電極4Aと第二の固定電極4Bに挟まれた第一の固定基板2の領域を間隔部分7Aとし、間隔部分7Aと対向する可動体部1bの領域を間隔対向部分7Bとした場合において、間隔部分7Aと間隔対向部分7Bの少なくともいずれか一方に凹部8を設けた。 (もっと読む)


【課題】電子部品と実装基板の電気的な接続信頼性を低下させることなく実装基板上の電子部品に加わる熱応力の影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の電子部品は、MEMSチップの一種である加速度センサチップである。この加速度センサチップは、ガラス基板を用いて形成された底板部4、シリコン半導体基板を用いて形成された枠体部5、ガラス基板を用いて形成された蓋板部6からなるチップ本体2と半田実装パッド3とからなる。
本実施形態によれば方形の底面部を有する電子部品を半田実装する場合においても、熱膨張、熱集収縮が生じた際に対角線方向に加わる熱応力由来のストレスを減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性のより高い力学量センサーを提供する。
【解決手段】基板に固定されたアンカーおよび固定電極と、前記アンカーと前記固定電極の間において前記基板から離れて形成され、前記固定電極と接触すると前記固定電極と導通する可動電極と、前記アンカーに一端が接続され、前記可動電極に他端が接続され、前記基板から離れて形成されたビームとを有し、前記ビームは、複数の直線ビームと前記複数の直線ビームのうち隣接する2つの直線ビームの長手方向を異ならせて前記2つの直線ビームを接続するビーム接続部とを有する力学量センサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】検出精度の低下を抑制可能な力学量センサを提供する。
【解決手段】接合部300において、枠の外形を構成する外形輪郭線が矩形状の角部が除去された多角形状にする。これによれば、接合部が矩形枠状とされている従来の力学量センサに対して、角部が除去された部分では一辺の長さが短くなるために膨張量・収縮量が小さくなる。このため、角部が除去されることによって新たに形成された角部に発生する応力を低減することができ、当該角部からセンサ基板100に印加される応力を小さくすることができる。したがって、検出精度が低減することを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】静電容量型加速度センサ100は、一側電極セルA1と他側電極セルA2とからなる電極セル構造Aを備えている。一側電極セルA1は、重錘体101の一側に設けられた一対の可動電極101a,101bと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極111a,112aと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極111b,112bとで構成されている。他側電極セルA2は、重錘体101の他側に設けられた一対の可動電極102a,102bと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極121a,122aと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極121b,122bとで構成されている。 (もっと読む)


【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板109と、支持基板109上の固定電極104、105と、ばね性を有し、支持基板109に固定アンカ106、106を介して固定される梁部102、102と、2つの梁部102の間にあって、可動電極103を有する質量部111とを含み、2つの固定アンカ106同士を結ぶ仮想的な直線を質量部111に平行移動させた直線rによって質量部111を第1質量部110と第2質量部120とに分けた場合、第1質量部110と第2質量部120の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 (もっと読む)


【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室33内に設けられ基板31に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第1,第2のシリコン単結晶の振動梁32a、32bと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の一端に接続される板状の第1の電極板34aと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の間に設けられた第2の電極板34bと、第1,第2の振動梁の両側に第1,第2の振動梁を挟んで且つ第1,第2の振動梁と第1,第2の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第3,第4の電極板34c、34dと、振動梁と第2、第3,第4の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部37とを具備した。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ(部材)2とキャビティ部(空間形成部)5dを備えるキャップ(部材)5を重ね合わせて接合することで、密封された空間8が形成され、空間8内にセンサチップ(半導体チップ)1および複数のワイヤ4を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ2とキャップ5の接合部を封止する封止工程において、キャップ5の上面5a全体と、キャップ2の下面2b全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体9を形成する。これにより、封止工程において、キャップ5を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 静電容量型加速度センサのスティクションの発生と共に基板の歪みによる特性変動をも抑止する。
【解決手段】 静電容量型加速度センサにおける錘として機能する質量部101と、質量部101に両端が支持される可動電極103と、可動電極103と対向して設けられる固定電極104、105と、固定電極104、105を、この固定電極下面の支持基板109に固定する固定アンカ107、108と、を含んで静電容量型加速度センサを構成する。そして、固定アンカ107、108は、固定電極104、105下面の中央部分のみと支持基板109とを接触させて固定する。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板30の第1表面S1から第2表面S2に亘って、当該基板30を貫通するように形成されたトレンチ31aによって、当該基板30が複数の部分領域Ce,Cea〜Ced,Cek,Celに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Cea〜Cedの側壁に、第1表面S1の側から第2表面S2の側に亘って、当該基板30より高い導電率を有する導電層35が形成され、トレンチ31aに絶縁体31bが埋め込まれてなる領域分割基板A20とする。 (もっと読む)


【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するMEMSデバイスは、基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第1導電補強領域に絶縁補強領域を介して第2導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 (もっと読む)


【課題】大きな加速度が加わった場合にも、上層支持部と下層支持部との境界部分が損傷を受けることがなく、信頼性の高い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】基板101と、基板101上に固定された固定電極121、122と、固定電極121、122の上面に対向するように配置された可動電極105と、可動電極105を基板101上面に直交する方向に変位可能に基板101上に弾性支持する弾性支持部180と、を備え、弾性支持部180は、基板101上に固定された絶縁体からなる下層支持部121、122と、下層支持部121、122上に固定された上層支持部117と、基板101上面に沿って長い形状を有し、且つ一端部が上層支持部107に結合され他端部が可動電極105に結合された梁部106と、を有し、下層支持部121、122は、梁部106と上層支持部107との結合部分の直下に位置する部分に空隙部130を有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 (もっと読む)


【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域17に対応する支持基板11にレーザ光の焦点54aを合わせ、半導体層13側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点54aからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域17に位置する犠牲層12にマイクロクラック12aを形成する。この後、半導体層13の開口部15からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック12aが形成された犠牲層12をエッチングして除去することにより、支持基板11に対して構造体22〜24を浮遊させる。このように、犠牲層12にマイクロクラック12aを形成して改質度を向上させているので、犠牲層12の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層12のエッチングレートがさらに向上する。 (もっと読む)


【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板20と、前記支持基板に固定された固定電極指38、39と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指36、37とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指38、39の一面が支持基板20に固定されている。 (もっと読む)


【課題】直線加速度の影響及び検出軸以外の他軸の角速度の影響の少なくとも一方を受けることがない物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー10は、基板と、基板上の空間平面に配置され、回転軸22,32を有した第1変位部及び第2変位部21,31と、基板の第1変位部及び第2変位部21,31の各々に対向する位置に設けられた固定電極部と、第1変位部及び第2変位部の各々の回転軸を支持する支持部40と、バネ部60を介して支持部40を支持する固定部50と、支持部40を振動方向に振動させる駆動部70と、を備え、第1変位部及び第2変位部は、回転軸を軸として空間平面に対して垂直方向に変位可能であり、回転軸の各々は、第1変位部又は第2変位部の重心からずれて設けられ、第1変位部21の回転軸22と第2変位部31の回転軸32とは、重心からのずれの方向が互いに反対である。 (もっと読む)


【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、S/N比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第1可動部および第2可動部と、これらの周辺に配置されている第1ダミー部および第2ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第1ダミー部と第2ダミー部は電気的に分離されており、第1可動部と第1ダミー部には第1電位が印加され、第2可動部と第2ダミー部には第2電位が印加される。 (もっと読む)


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