【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板１上に、第１酸化物超電導体薄膜２、セリアからなる第１絶縁体薄膜３、第２酸化物超電導体薄膜４、セリアからなる第２絶縁体薄膜５を順次形成する。第２酸化物超電導体薄膜４に、第１絶縁体薄膜３に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第２絶縁体薄膜５に、第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に略連続する斜面を形成する。第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第２絶縁体薄膜５上、第２絶縁体薄膜５の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第１絶縁体薄膜３上に、第３酸化物超電導体膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現する。
【解決手段】 超伝導フィルタ装置（１）は、所定の形状の超伝導フィルタパターン（１１）が形成されたフィルタデバイス基板（１０）と、前記超伝導フィルタパターン上に搭載される誘電体基板（２０）と、前記誘電体基板上に配置される応力分散部材（２２）と、前記応力分散部材上に配置される剛性の加圧板（２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】冷却時の熱収縮による低温のセンサの変位を補正し、センサと常温の試料を接近させる。
【解決手段】センサを冷却した場合に、銅ロッドあるいはサファイヤロッドの収縮によりセンサがサファイヤウインドウから離れる方向へ変位することを抑制するために、上記変位方向とは逆方向に、銅ロッドおよびサファイヤロッドが固定されている内槽がサファイヤウインドウ側に向けて変位する機構を用いる。 （もっと読む）

【課題】 複数の水銀系超電導膜を備えた超電導積層体およびその製造方法、超電導積層体を有するジョセフソン接合素子および電子装置を提供する。
【解決手段】 超電導積層体１０は、基板１１と、基板１１上、第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４が順次積層して構成され、第１超電導膜１２および第２超電導膜１４が水銀系超電導膜からなり、絶縁膜１３がＣｅＯ₂、ＳｒＴｉＯ₃、（ＬａＡｌＯ₃）_0．3−（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＬＳＡＴ）、および（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＳＡＴ）から選択される。第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４は、それぞれ下地に対してエピタキシャル成長してなる。 （もっと読む）

【課題】基板の特定の誘電率を呈する向きの管理を簡略化し、超電導マイクロ波デバイスの生産の歩留まりの向上を実現可能とする。
【解決手段】Ｒ面サファイア基板１の矢印Ａの方向の誘電率がε１であり、これに垂直な矢印Ｂの方向の誘電率がε２とする。かかるＲ面サファイア基板１の特定の１つの辺３の両端部を夫々基準点としてマーク２ａ，２ｂを付け、辺３を基準辺とする。これにより、基準辺３に平行な方向が誘電率がε２の矢印Ｂの方向となり、これに垂直な方向が誘電率ε１の矢印Ａの方向となる。かかるＲ面サファイア基板１に所定の超電導マイクロ波デバイスを作成する場合、基準辺３をもとにして、この超電導マイクロ波デバイスの形成方向を決めることができ、これにより、このＲ面サファイア基板１毎に常に矢印ＡまたはＢの同じ方向に揃えてこのデバイスを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 同一チップ内あるいは異なるバッチ間において、ジョセフソン接合の特性のばらつきを十分に抑制し、さらに接合特性の再現性・制御性の向上を図る。
【解決手段】 第１の酸化物超伝導体層を形成した後、前記第１の酸化物超伝導体層の表面にダメージを与えることによってダメージ層を形成し、このダメージ層を大気に晒すことなく、前記ダメージ層上に第２の酸化物超伝送体層を形成して、第１の酸化物超伝導体層−障壁層−第２の酸化物超伝導体層を有するジョセフソン接合を作製する。 （もっと読む）

【課題】固有ジョセフソン接合特性とともに、温度等の物理パラメータを測定することができる固有ジョセフソン接合積層体を提供すること及びそれを用いた固有ジョセフソン接合積層体の評価方法を提供する。
【解決手段】劈開性単結晶を立体的に微細加工して作製する。すなわち、上部には上部電極Ｔを、中間部には中間電極Ｍ１，Ｍ２を、下部には下部電極Ｂを各々、積層面に並行に突き出るように形成し、その上部電極Ｔと中間電極Ｍ１,Ｍ２との間、及び中間電極Ｍ１,Ｍ２と下部電極Ｂとの間にはいずれにも固有ジョセフソン接合スタック（上部スタック及び下部スタック）を形成する。２個のスタックのうちの一方のスタックを通常の固有ジョセフソン接合特性評価用スタックとし、他方のスタックを温度測定用スタックとして用いれば、温度変化をリアルタイムでモニターしながら、ジョセフソン特性の測定が可能である。 （もっと読む）

低損失、大電流対応可能な酸化物超伝導体を用いた伝送線路を提供する。超伝導体伝送線路は、内部導体と、該内部導体の周囲を囲み、断面が中空４角形の各角部が除去された形状を有する４つの面を有し、隣接する面間にλ／４（但し、λは伝送する高周波の波長）未満のスリットが形成されている、酸化物超伝導体で形成された外部導体と、を有する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、小電流・小電力領域でも高性能で、大電流・大電力領域でも特性低下の小さい超電導バルク体を提供する。
【解決手段】超電導バルク体１において、該超電導バルク体１の少なくとも表面の一部の臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きい表面超電導領域２が設けられていることを特徴とする超電導バルク体である。表面超電導領域２は、（ａ）のように、超電導バルク体１の一つの表面全面に形成しても良いし、また、（ｂ）のように、超電導バルク体１の一つの表面の一部に形成しても良い。あるいは、（ｃ）のように、超電導バルク体１の２つの表面形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】 プルームの測定方法、その評価方法、レーザアブレーション方法、及び、レーザアブレーション装置に関し、安定した結晶性或いは安定した特性を有するレーザアブレーションによる薄膜を再現性良く成膜する。
【解決手段】 チャンバー１内のターゲット２にパルスレーザ光４を照射することでターゲット材料を瞬間的に蒸発させ、相対する基板３上に蒸発材料の薄膜を成長させる際に、ターゲット２にレーザ光４を照射した時に発生するプルーム５の大きさおよび形状を、光強度のデジタル情報としてマトリックス状に取得する。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。導体パターンは、円形または楕円形であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 同軸コネクタに於ける中心導体と信号入出力線の電極とを接合し、その接合箇所が常温と極低温との間を往来しても剥離を生ずることがなく高い信頼性を維持できる超伝導デバイスを実現させようとする。
【解決手段】 超伝導デバイスに於ける信号入出力線１３Ｃに形成した電極１３Ｄとパッケージ１１に固着された同軸コネクタ１２に於ける中心導体１２Ａとを結ぶボンディングワイヤ１４と、ボンディング箇所に融着されて当該箇所を補強するＩｎ系はんだ１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路パターン（１２）とを備え、前記２次元回路パターンは、少なくとも一部に円弧を含むノッチ（２０）を有し、ノッチの円弧部分の曲率半径Ｒは、実効波長λの１／４以下である。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液１１が満たされたエッチング槽１２と、エッチング槽１２の底部１２ａに設けられたホットプレート１３と、液面１１ａ付近に設けられた冷却器１４と、被処理面１５ａを下方に向けてエッチング液１１に浸漬された基板１５を保持する基板保持具１６等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第１液温に加熱し、冷却器１４により液面１１ａ付近のエッチング液１１を第１液温よりも低い第２液温に設定することで、エッチング液１１の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面１５ａに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 超電導回路装置及びその製造方法に関し、工程を工夫することによって、平均表面粗さを安定した回路動作が可能な程度まで小さくするとともに、高速動作化を可能にする。
【解決手段】 高温超電導体からなるグランドプレーン２上に、第１の絶縁層３を介して高温超電導体からなるジョセフソン素子４を設けるとともに、グランドプレーン２の側端面をジョセフソン素子４のカウンター電極７を覆う第２の絶縁層１０と直接接触させる。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
（もっと読む）

【解決手段】基本周波数ｆ０の、準周期的源から来る信号（Ｓｉｎ）の位相ノイズを低減するための装置が、磁束量子φ０を移動することによって電圧パルスを伝送するためのアクティブ線路を備えた超伝導回路を含む。この回路は、０．３ｆｃが、入力として印加される準周期的信号（Ｓｉｎ）の基本周波数ｆ０以下であるような特性周波数ｆｃを有するように定義され、かつ基本周波数ｆ０の電圧パルス信号を出力として送出する。
（もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、デバイス基板（１１）と、前記デバイス基板上に超伝導材料で形成された超伝導パターン（１２）と、前記超伝導パターンを覆って、前記デバイス基板に均一に密着する誘電体粉末固定層（１９）とを備える。 （もっと読む）