【課題】超伝導ディスク型共振器において、誘電率または磁化率が異方性の基板を用いた場合に共振カーブに発生するノッチを解消し、良好な共振特性を維持する。
【解決手段】超伝導ディスク共振器は、誘電率異方性の誘電体ベース基板（２１）と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成されるディスク型の共振器パターン（１２）と、前記誘電体ベース基板上で、前記ディスク型共振器パターンの近傍まで直線上に延びる一対の信号入出力ライン（１３）とを備え、前記信号入出力ラインに対する前記誘電体ベース基板の誘電率異方性の方向は、±９０°の向きにある。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）

【課題】大幅な小型化を実現することができる超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金製のパッケージ台座１の壁部に貫通孔が形成されており、この貫通孔をセミリジッド同軸ケーブル３が貫通している。そして、セミリジッド同軸ケーブル３の中心導体３１がはんだ材１５によって電極１４に接合されている。また、セミリジッド同軸ケーブル３には、中心導体３が貫通する絶縁材３２が設けられており、その周囲に外部導体３３が設けられている。中心導体３１及び外部導体３３は、例えばステンレスからなり、絶縁材３２は、例えばフッ素樹脂からなる。更に、貫通孔の内部において、パッケージ台座１の壁部と外部導体３３とは、円筒状のフッ素樹脂材２２に形成された孔内のステンレス材２３を介して互いに電気的に接続されている。そして、導電性のねじ１３によって、セミリジッド同軸ケーブル３等が壁部に固定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ジョセフソン接合素子、その形成方法、および超電導接合回路に関し、ＩｃＲｎ積を向上することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン接合素子は、基板１１上に形成された下部電極層１２と、絶縁膜１３と、下部電極層１２の一端に形成された斜面を覆うバリア層１４と、バリア層１４を覆う上部電極層１５を有し、超電導接合部１６が形成される。下部電極層１２及び上部電極層１５は、（ＲＥ）₁（ＡＥ）₂Ｃｕ₃Ｏ_yを主成分とする酸化物超電導材料からなり、元素ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる群のうち少なくとも１種、元素ＡＥがＢａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群のうち少なくとも１種である。バリア層１４は、元素ＲＥ、元素ＡＥ、Ｃｕ、及び酸素を含む材料からなり、この材料中のカチオンのうち、Ｃｕ含有量が３５〜５５原子％、かつ元素ＲＥ含有量が１２〜３０原子％の範囲に設定され、かつ下部電極層１２及び上部電極層１５の組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】単一光子検出の際に、より高い量子効率が得られる超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導受光材料からなる細線（１０２）を、密に詰めるようにメアンダ形状で、結晶基板（１０１）の表面に配置するとともに、そのメアンダ形状の細線の隙間に対応する位置で、結晶基板の裏面あるいは絶縁膜を介した上層に、別のメアンダ形状の細線（１０３）を配置する。これにより、複数組のメアンダ形状の細線が互いにずらされて、ほぼ隙間のなく重ねて設置される。最初のメアンダ形状の細線（１０２）の隙間に照射された光子（１０４）は、次のメアンダ形状の細線（１０３）に照射されるため、すべての光子は必ずいずれかの細線に照射され、光照射域での光子の取りこぼしが無いので、量子効率が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】超伝導接合の製造方法において、高温超伝導薄膜を、希土類常伝導相を含む三層構造薄膜にする。そして、三層構造薄膜を部分溶融することより相分離させ、超伝導薄膜に常伝導層を形成し接合を作製する。
【解決手段】常伝導/超伝導/常伝導の三層構造薄膜を堆積する。エッチング等により傾斜を持つようにパターニングする。超伝導薄膜を部分溶融し、常伝導層を形成する。エッチングにより常伝導層の厚さを制御する。超伝導薄膜を堆積し上部電極とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＦＱ論理回路との間での接続・集積化が容易な光インターフェイスを実現することが可能な光入力素子を提供する。
【解決手段】高温超伝導体により構成される制御電流線１００と、制御電流線１００を流れるパルス電流により発生する磁束が侵入し、かつパルス光が照射されるジョセフソン接合１２０を有し、高温超伝導体により構成されるバイアス電流線１１０と、ジョセフソン接合１２０に開口部２００ａを有し、バイアス電流線１１０を覆う第１遮光膜２００と、制御電流線１００を覆う第２遮光膜２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】クラスタービーム自体を補助的に噴射／成長させる方法で超伝導膜内にナノ粒子を形成させることにより、磁束線のピン止め力を向上させて超伝導体の臨界電流密度を増大させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜の製造方法、製造装置、及びその方法によって製造される高温超伝導膜の提供。
【解決手段】真空チャンバー内で蒸発法によって高温超伝導膜を形成させる高温超伝導膜製造方法において、高温超伝導体材料物質を蒸発させて高温超伝導体物質を蒸気状態にして基板に蒸着させると同時に、ハウジングの内部に充填されたクラスタービーム材料物質を加熱して気体原子に形成させ、形成された気体原子をハウジングの入り口のノズルを通過させた後、クラスタービームの形で基板側に噴射／成長させることにより、高温超伝導膜の内部にピン止め点を形成させる、補助クラスタービームの噴射による高温超伝導膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）

【課題】超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２の上に形成された第１超電導体パターン３ａと、第１超電導体パターン３ａ上に形成された絶縁パターン５ａと、下面若しくは膜中にジョセフソン接合のバリア層８ｂが形成されたと共に、絶縁パターン５ａ上において回路要素を構成し、且つ多層の超電導体パターンの中で最上層に形成された第２超電導体パターン８ａとを有する超電導素子による。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件の変化に依存せずに、配向性に優れるYBCO系高温超電導体膜を成膜することができる、配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材を提供するとともに、優れた配向性を有するYBCO系高温超電導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶方位の揃った基材表面にZrまたはZr酸化物が部分的に存在することを特徴とする配向再現性に優れたYBCO系高温超電導体成膜用複合基材、および、該YBＣO系高温超電導体成膜用複合基材を用いて超電導体膜を作製することを特徴とする配向性に優れたYBCO系高温超電導体膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導デバイスの製造方法に関し、高温超伝導膜と電極とを接続した場合、室温及び低温の環境下で接続が剥離しないように、また、電極の半田食われが発生しないようにして、高温超伝導デバイスの信頼性を向上しようとする。
【解決手段】基板１１上に高温超伝導膜１２Ａを形成する工程と、高温超伝導膜１２Ａのライン・パターンを形成する工程と、該ライン・パターンの端部に電極１３を積層形成する工程と、電極１３上に第１の温度で熱処理することにより半田を形成する工程と、基板１１をパッケージ１５内に収容後、パッケージ１５を貫通する同軸コネクタと該電極１３とを接続するために該半田を該第１の温度よりも高い第２の温度で加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上することのできる超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層３を形成する気相工程と、超電導層３に接するように、液相法により超電導層４を形成する液相工程とを備えている。超電導層３と金属基板１との間に中間層２を形成する工程がさらに備えられていることが好ましい。金属基板１は金属よりなっており、かつ中間層２は岩石型、ペロブスカイト型、またはパイロクロア型のいずれかの結晶構造を有する酸化物よりなっており、かつ超電導層３および超電導層４はいずれもＲＥ１２３系の組成を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 各々の量子ビットの長いコヒーレンス時間を維持したまま，量子ビット間の相互作用をオンオフ制御することのできる量子演算回路を提供する。
【解決手段】 集積化された磁束量子ビット101，102と，各々の磁束量子ビットにバイアス磁束を印加するためのバイアス電流線104と、隣接する量子ビット間に配置された２つのトランスフォーマー，すなわちSQUID107でシャントされた超伝導ループからなるトランスフォーマー105と，それと同様だがループにひねり109を持つトランスフォーマー106と，各々のトランスフォーマーに付随したSQUID制御用電流線110と，各々のトランスフォーマーに付随した直流磁場相殺用の直流磁束調整用電流線111と，量子ビット読み出し用SQUID103を設ける。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、サブミリ波帯受信に有用な超伝導素子などの薄層デバイスの作成方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ₂を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。本発明の方法により作成した超伝導素子（薄層デバイス）は、性能に優れ、かつ機械的強度が高いため、サブミリ波用導波管への導入も容易である。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度さらには臨界電流を高精度で制御可能な超電導接合素子および超電導接合回路を提供する。
【解決手段】超電導接合回路１０は、上部電極１８が形成するインダクタを直列に接続した複数の超電導接合素子２０₁〜２０₅からなり、超電導接合素子２０₁〜２０₅は、上部電極１８と下部電極１４とこれらに挟まれた障壁層１７からなる超電導接合部１６₁〜１６₅のゼロ電圧状態と有限電圧状態とのスイッチングにより磁束量子を伝搬する。超電導接合素子２０₁〜２０₅は、下部電極１４の面積に基づいて臨界電流密度が制御される。超電導接合素子２０₁〜２０₅の各々の下部電極１４の面積を略同等に設定することで、超電導接合素子２０₁〜２０₅間の臨界電流密度のばらつきを抑制する。さらには、下部電極１４と超電導磁気遮蔽膜とを接続する接続窓１４ａの面積を所定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板１上に、第１酸化物超電導体薄膜２、セリアからなる第１絶縁体薄膜３、第２酸化物超電導体薄膜４、セリアからなる第２絶縁体薄膜５を順次形成する。第２酸化物超電導体薄膜４に、第１絶縁体薄膜３に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第２絶縁体薄膜５に、第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に略連続する斜面を形成する。第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第２絶縁体薄膜５上、第２絶縁体薄膜５の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第１絶縁体薄膜３上に、第３酸化物超電導体膜６を形成する。 （もっと読む）