【課題】層内レンズ内のボイドの発生を防止する。
【解決手段】受光素子１２及び垂直転送電極１９ａ，１９ｂが形成された半導体基板１１上に、受光素子１２の直上位置にＢＰＳＧ凹部３２ａを有するＢＰＳＧ膜３２を形成する。ＢＰＳＧ凹部３２ａを埋めるようにＢＰＳＧ膜３２上にＳｉＮ膜６０を形成し、ＢＰＳＧ凹部３２ａにＳｉＮを充填する。ＳｉＮにボイドの基となる開気孔６１が発生した場合、この開気孔６１を埋めるようにＳｉＮ膜６０上に平坦膜６２を形成する。平坦膜６２上に、開気孔６１の直上位置で開口したレジスト開口部６３ｂを有するレジスト膜６３を形成する。エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。ＳｉＮ凹部６０ａ内にＳｉＮを充填して下凸層内レンズ３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ型固体撮像素子で電子増倍駆動を行うとき、ブルーミングの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素４２の各々が被写体からの入射光量に応じた信号電荷を蓄積し、画素４２で構成される画素列に沿って形成された電荷転送路４３に該画素列４３のいずれかの画素４２から信号電荷を読み出し、読み出された該信号電荷を電荷転送路４３上に形成した電子増倍用電位井戸の中に落とし込んで電子増倍駆動を行うに際し、電荷転送路４３を構成する転送電極のうち、必ず、既に信号電荷が読み出された後の画素４２に隣接する転送電極を選び該転送電極に電子増倍用電圧を印加して電子増倍用電位井戸を形成する。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の減少及びクロストークの増大を防ぎながら、光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】列方向Ｙに並ぶ複数の光電変換部２からなる列には、その右側部に電荷転送路３が対応して配置されている。光電変換部２とこれに対応する電荷転送路３との間には電荷読み出し領域４が形成され、光電変換部２とこの側部にある電荷転送路３との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域には、ＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５が形成されている。さらに、ｎ型不純物領域２ａの空乏層を半導体基板表面に向けて延ばすための空乏層伸張領域１０を備え、空乏層伸張領域１０は、平面視において、ｎ型不純物領域２ａと重なる位置でかつＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】画素間の縮小化が実現可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】行方向において分離された第１の転送電極３９ａ、第２の転送電極３９ｂと、行方向において隣接する２列の電極同士が接続された第３の転送電極３９ｃ、第４の転送電極３９ｄを備え、第１の転送電極３９ａ、第２の転送電極３９ｂに接続されるシャント配線４ａを各列に２本ずつ形成し、第３の転送電極３９ｃ若しくは第４の転送電極３９ｄに接続されるシャント配線４ｂを各列に１本ずつ形成する。 （もっと読む）

【課題】電子増倍駆動時間の短時間化を図り高Ｓ／Ｎの撮像画像信号を得る。
【解決手段】受光量に応じた信号電荷を電荷転送路に読み出し、信号電荷を蓄積した電荷転送路上の電位井戸１より深い電位井戸３を電位障壁４を介して電荷転送路上に形成し、電位井戸１内の信号電荷を電位障壁４を消失させて電位井戸内３に落とし込んで電子増倍を行うと共に該電子増倍の駆動終了前に電位井戸３と同じ深さの少なくとも１つの連続電子増倍用電位井戸５を電位障壁６を介して電荷転送路上に形成し、前記電子増倍の駆動終了後に電位井戸３の深さを電位井戸１の深さに戻してから連続して電位障壁６を消失させ電位井戸３内の信号電荷を連続電子増倍用電位井戸５内に落とし込んで電子増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】電荷転送部は半導体基板内に形成された電荷転送路３と、該電荷転送路３を覆うように設けられた電荷転送電極１２とを含み、光電変換部は、電荷蓄積層となる第一導電型の下方不純物領域２ａと、第二導電型の表面不純物領域２ｂとを含み、電荷転送路と光電変換部との間に形成された電荷読み出し領域４と、電荷転送路３と光電変換部との間の領域のうち、電荷読出し領域４を除く領域に形成された素子分離領域５と、を備え、電荷転送電極１２は、素子分離領域５が形成された領域の少なくとも一部において、電荷転送電極１２の一部が半導体基板内部まで延在し、電荷転送電極１２が半導体基板内部まで延在した領域における素子分離領域５と、表面不純物領域２ｂとの間に、光電変換部の表面で発生した電荷が前記素子分離領域への移動を抑制するバリア領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】信号電荷の転送不良を抑制した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の光電変換部１と、複数の垂直転送電極１１、１４を有する複数の垂直転送部２と、複数の水平転送電極１５Ａ〜１５Ｃ、１８、１９、２０を有する複数の水平転送部３、４と、振分け転送電極２２を有する中間転送部２１とを備え、第１水平転送部３において、複数の水平転送電極のうちの１つは、垂直方向に隣接して配置され中間転送部２１を介して第２の水平転送部４に信号電荷を転送する複数の列方向電極１５Ａ、１５Ｂから構成されており、複数の垂直転送電極１１、１４、複数の水平転送電極１５Ａ〜１５Ｃ、１８、１９、２０、振分け転送電極２２は、単層の電極により構成される。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジを大幅に広げることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子５は、感度の異なる光電変換素子５１，５２のペアを複数有する。ペアの光電変換素子５１と光電変換素子５２の間には垂直電荷転送路５３ａが設けられており、ペアの光電変換素子５１と光電変換素子５２の間にある垂直電荷転送路５３ａは、露光期間中、当該ペアに対応する位置にスミア電荷を蓄積する。Ｄレンジ拡大処理部１９は、露光期間中にペアの光電変換素子５１に蓄積された信号電荷に応じた第一の信号と、前記露光期間中に当該ペアの光電変換素子５２に蓄積された信号電荷に応じた第二の信号と、前記露光期間中に当該ペアに対応する垂直電荷転送路５３ａの位置に蓄積されたスミア電荷に応じた第三の信号とを用いて画像データを生成する。 （もっと読む）

【課題】スミア補正を精度よく行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像素子５は、列方向Ｙに並ぶ光電変換素子５１，５２からなる複数の光電変換素子列と、各光電変換素子列に対応してその左隣に１つずつ設けられた電荷転送部５３とを含み、駆動部１０は、各光電変換素子に対応する電荷転送部５３の位置に電荷蓄積用パケットを形成し、この状態で、奇数列の光電変換素子列の各光電変換素子５１のみから当該光電変換素子５１に対応する電荷蓄積用パケットに電荷を読み出し、その後、各電荷蓄積パケットに蓄積される電荷を列方向Ｙに転送して、当該電荷に応じた信号を固体撮像素子５から出力させる駆動を行い、固体撮像素子５から出力された前記信号のうち、光電変換素子５１から得た第一の信号から各光電変換素子５２に対応する電荷蓄積パケットから得た第二の信号を減算してスミアを補正するスミア補正部１９を備える。 （もっと読む）

【課題】トータルの取扱い電荷量を維持しながら、スミア成分のみを減少させることができ、スミア信号を相対的に減少させることで画質改善を図ることが可能な固体撮像素子、およびその駆動方法、並びにカメラを提供する。
【解決手段】行列状に配置された光電変換機能を含む複数のセンサ部１１と、複数のセンサ部の列配列に対応して配列され、センサ部から読み出された信号電荷を行配列方向に転送する複数の垂直転送部１２と、垂直転送部から転送された信号電荷を列配列方向に転送する水平転送部１５と、垂直転送部の複数列単位で形成され、垂直転送部から上記水平転送部への信号電荷を選択的に排出可能な電荷排出部４０と、電荷排出部にて信号電荷を排出する際、画像の飽和信号量を可変させる制御を行う駆動系とを有し、水平転送部の電極ピッチが、複数の垂直転送部ラインを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷転送効率を劣化させることなく、光電変換部表面で発生する電荷による偽信号を低減することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された複数の光電変換部２と、平面視において光電変換部２の隣に設けられたＣＣＤとを有する固体撮像素子１０であって、ＣＣＤは、半導体基板内に形成された垂直電荷転送路３を含み、光電変換部２は、Ｎ型不純物領域２ｃと、Ｎ型不純物領域２ｃの表面に形成されたＰ型不純物領域２ｂとで構成され、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間に形成された電荷読み出し領域４と、垂直電荷転送路３と光電変換部２との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域に形成された素子分離領域５と、Ｐ型不純物領域２ｂの表面に素子分離領域５に沿って形成され、光電変換部２の表面で発生した電荷が素子分離領域５に移動するのを抑制する偽信号バリア領域７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ハードウェアによる対策や出力信号に対する信号処理を行うことなく、光漏れにより生じる輝度段差の画質への影響を軽減する。
【解決手段】 奇数ライン目（偶数ライン目）のフィールドの読み出し順を固定し、偶数ライン目（奇数ライン目）のフィールドの全ての読み出し順を変えて読み出した電荷に基づく信号に対してローパスフィルタ処理を行う。このように、光漏れによる横縞の空間周波数が高くなるように、読み出すフィールドの順番を変えることによって、読み出し順が隣り合うフィールド間の輝度の差を、読み出し順を変えない場合よりも小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】同色画素の水平６画素加算を固体撮像素子内部で容易且つ高フレームレートで行えるようにする。
【解決手段】半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素４２と、複数の画素列に沿って形成された複数の垂直電荷転送路４３と、複数の垂直電荷転送路４３の各々に対して信号電荷を受け取り一時保持するバッファ領域を有し複数の垂直電荷転送路４３の転送方向端部に沿って形成されるラインメモリ４５と、ラインメモリ４５に隣接して形成されラインメモリ４５のバッファ領域から受け取った信号電荷を出力段に転送する水平電荷転送路４６であって垂直電荷転送路２本に対応する２つの前記バッファ領域に接続される水平転送段１段と垂直電荷転送路１本に対応する前記バッファ領域に接続される水平転送段１段とが交互に設けられた水平電荷転送路４６とを備える。 （もっと読む）

【課題】フレームレートを高めつつ、スミア段差の発生を防止する。
【解決手段】画素部は、切出領域３０１とそれ以外の不要領域３０２とに区画されている。画素部では、行毎に、第１配線１０４および第２配線１０５の両方または一方が設けられている。不要領域３０２では、画素毎に設けられたゲート電極１０３が、行毎に設けられた第１配線１０４に行単位で共通に接続されている。切出領域３０１では、画素毎に設けられたゲート電極１０３が、行毎に設けられた第２配線１０５に行単位で共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ビデオの場合、３０フレーム／秒で撮像し、一方ピクセルアレイ全体もサンプリング可能とする。
【解決手段】画像センサは、（ａ）複数の垂直シフトレジスタ、（ｂ）第１のＨＣＣＤ４００、第１のＨＣＣＤから電荷を受け取る第２のＨＣＣＤ４１０、（ｃ）第１と第２のＨＣＣＤの間に配置され、第１と第２のＨＣＣＤの転送チャネルを１つおきに接続する転送ゲート、を有する。また、（ｄ）第１と第２のＨＣＣＤに対して複数の読み出しモードを提供し、フル解像度読み出しモードでは、複数の転送ゲートの１つおきのゲートにクロックを供給して、各ＨＣＣＤの各電荷パケットを読み出し、低解像度モードでは、各転送ゲートに隣接するゲートを一定電圧に保持し、残りのゲートにクロックを供給して、各ＨＣＣＤにおいて２つの列の同じ色の電荷パケットを加算して、フル解像度読み出しモードと比較して半数の電荷パケットを読み出す。 （もっと読む）

【課題】電子増倍型撮像素子を有する高感度撮像装置において、動解像度を犠牲にすることなく、かつ、飽和による色ずれを防止し、電子増倍の増倍率を高くした場合にもＳ／Ｎの低下を防止することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】制御手段（７）からの制御信号（Ｃ７Ａ）により、タイミング信号発生手段（６）におけるインターレース駆動モードとノンインターレース駆動モードの２つの駆動モードを切り替える。さらに、制御手段（７）からの制御信号（Ｃ７Ｂ）により、デジタル信号処理手段（５）の信号処理の内容を切り替える。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、画像センサのための基本的な装置に関しており、装置は、第１の導電型のドープ領域から構成されたフォトダイオード(32)を備えており、フォトダイオード(32)は、第１の基準電圧(V_ref1)でバイアスされる第２の導電型の半導体基板(30)の表面に形成されている。フォトダイオードは、電荷転送(36)増加(38,40,42)絶縁(44)デバイスと組み合わせられており、完全に空にされている。装置は、第１の導電型のドープ領域の表面に、第２の基準電圧(V_ref2) でバイアスされる第２の導電型の過剰ドープ領域(34)を更に備えている。
（もっと読む）

【課題】 エタロン現象による画像劣化を抑制し、画像品質を向上可能な裏面入射型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 この裏面入射型固体撮像素子は、裏面側に光入射面を有する半導体基板４と、半導体基板４の光入射面とは反対側の光検出面に設けられた複数の電荷転送電極２と、を備えた裏面入射型固体撮像素子において、電荷転送電極２の隣接するもの同士の間に、光透過用の複数の開口部ＯＰが形成されている。また、各電荷転送電極２内に、光透過用の複数の開口部ＯＰを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ブルーミングなどの画質不良を抑制してフォトダイオードのダイナミックレンジを最大化し、かつ読出動作の不完全による画質不良を抑制することを可能にする。
【解決手段】電荷排出部を形成する電荷排出ドレイン２０５を、フォトダイオードにおける信号電荷蓄積領域に比べて、同一濃度、同一深さで形成し、かつ水平方向に大きく形成する。また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】 エタロン現象による画像劣化を抑制し、画像品質を向上可能な裏面入射型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 この裏面入射型固体撮像素子は、裏面側に光入射面を有する半導体基板４と、半導体基板４の光入射面とは反対側の光検出面に設けられた電荷転送電極２とを備えた裏面入射型固体撮像素子において、光検出面は凹凸面を有している。光検出面が凹凸面を有していることにより、入射光の位相に対して、凹凸面で反射される光が分散した位相差を有するので、これらの干渉光同士が相殺され、エタロン現象が抑制される。したがって、この裏面入射型固体撮像素子によれば、高品質な画像を取得することができる。 （もっと読む）