【課題】低温アニールによる低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦1、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜を成膜する成膜工程と、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃以下の熱処理を施す熱処理工程とを含み、熱処理工程後の酸化物半導体薄膜の抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下となるように、成膜工程における成膜条件および熱処理工程における熱処理条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】画素部の温度補正をより正確に行うことのできる非冷却赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】半導体基板２上の表面部分に配列された第１空洞部３ａが形成された第１領域に第１空洞部に対応して第１空洞部の上方に設けられた複数の画素セル１１と半導体基板上の第２領域に複数の画素セルの各行または各列に対応して設けられた参照画素セル２１とを有し、各参照画素セルは入射された赤外線を吸収する第２赤外線吸収膜の熱を検出して電気信号を生成し、第１感熱素子２１と同特性の第２感熱素子２２を含み、第１感熱素子接続する第１および第２配線を有する支持部１５と、第２感熱素子に接続する第３および第４配線を有する配線部２５とを更に備え、配線部の第３および第４配線は、第１および第２配線と同じ電気抵抗を有し、参照画素セルは半導体基板に接するように設けられ、配線部の下方の半導体基板の表面部分に第２空洞部３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 更なる小画素ピッチ化及び多画素化が求められる検出装置、特に、積層型の検出装置において、信号線容量の更なる低減による低ノイズ化及び駆動線の時定数の更なる低減による高速駆動化が可能な検出装置を提供する。
【解決手段】 放射線又は光を電荷に変換する変換素子１０４と、スイッチ素子１０５と、を含み、行方向及び列方向に配列された複数の画素１０２と、行方向の複数のスイッチ素子に接続された駆動線１０７と、列方向の複数のスイッチ素子に接続された信号線１０８と、を有し、変換素子１０４がスイッチ素子１０５の上方に配置された検出装置であって、信号線１０８は、変換素子１０４の下方に配置された駆動線１０７の最上位表面よりも下層の絶縁部材に埋め込んで配置された導電層２０８又は５０９からなる。 （もっと読む）

【課題】 装置構成が単純で、アスペクト比を維持したまま解像度の切り替えが可能で、低解像度画像の取込み時間が短い２次元撮像装置を得る。
【解決手段】 光電変換手段（１０５）を有する画素（１４）が行列状に配置し、その画素内に配置されたＴＦＴ（１０４、１１４）を走査配線（１０３、１１３）により供給される走査信号（Ｇ_ｙ、Ｇ_ｙ＋１）によってデータ配線（１０２）と光電変換手段とを導通制御するようにしたマトリクス基板と、走査配線にゲート選択信号を供給する垂直走査回路部（１１）と、データ配線を介して光電変換手段に初期化電圧を供給し、その後にデータ配線を介して光電変換手段の放電電位を読み込む水平走査回路部（１２）とを具備しており、さらに走査配線は行列状に配置された画素一行あたり２本配置され、データ配線は、一行あたり２つの画素がそれぞれＴＦＴを介して接続される。 （もっと読む）

【課題】製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出器は、配線パターン２００と、配線パターン２００の表面に設けられる接続部材とを有する基板２０と、基板２０の一部に貼り付けられる粘着部材と、粘着部材を介して基板２０上に配置され、放射線を検出可能な半導体素子１０とを備え、接続部材が、配線パターン２００と半導体素子１０とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ゲートＩＣに走査線が未接続の端子が存在する場合であってもフレームごとに間隔を空けずに放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理や画像データの読み出し処理を行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の走査駆動手段１５は、少なくとも放射線画像撮影前の各放射線検出素子７のリセット処理または各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理において、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する際に、ゲートドライバ１５ｂの走査線５が接続されていない端子ｐにオン電圧を印加するタイミングで、同時に走査線５が接続されている端子にオン電圧を印加して、各タイミングでいずれかの走査線５にオン電圧が印加される状態でゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧を順次印加する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を稠密に配置した場合でも不感領域を低減することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出装置は、基板２０を挟む半導体素子１０間の距離をＸＧ１、一の放射線検出器１の半導体素子１０から、当該半導体素子１０に対向し、一の放射線検出器１に隣接する他の放射線検出器１の半導体素子１０までの距離をＸＧ２、Ｙ方向に配列している半導体素子１０間の距離をＹＧ１、半導体素子ピッチ１１０の横ピッチをａ、縦ピッチをｂ、半導体素子１０の放射線が入射する面の幅をｃ、長さをｄ、半導体素子１０の両端部に位置する素子内ピクセル領域１０ａの長さをｅ、複数の半導体素子１０の両端部に位置する素子内ピクセル領域１０ａに挟まれる複数の素子内ピクセル領域１０ａの長さをｆとした場合に、
ｃ＝ａ−（ＸＧ１＋ＸＧ２）／２
ｄ＝ｂ−ＹＧ１＝２ｅ＋（ｎ−２）ｆ
ｅ＝ｂ／ｎ−ＹＧ１／２
ｆ＝ｂ／ｎの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】電荷の収集速度をさらに向上する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子と光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を信号線へ出力するための画素内読出回路とを有する固体撮像装置が提供される。光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の上に配されており、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体領域と、第２半導体領域の内側に配されており、第２半導体領域よりも不純物濃度が高い第２導電型の第３半導体領域と、第３半導体領域の内側に配されて画素内読出回路に接続されており、第３半導体領域よりも不純物濃度が高い第２導電型の第４半導体領域とを含む。第３半導体領域は、第１部分と、第１部分から延びている複数の第２部分とを含む。第３半導体領域の第１部分の内側に第４半導体領域が配されており、第３半導体領域の平面視における形状は、第３半導体領域を３つ以上の部分に分割する１本の直線を定義可能な形状である。 （もっと読む）

【課題】高画質化に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の行および複数の列を構成するように複数の画素が配列されるとともに複数の列信号線が配置された画素アレイを有する固体撮像装置において、前記複数の画素の各々は、半導体基板に形成された第１導電型の第１ウェルと前記第１ウェルの中に配置された前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物領域とを含む光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を前記列信号線に出力する画素内読出回路とを含み、前記画素内読出回路は、前記第１導電型の第２ウェルに配置された回路素子を含み、前記第１ウェルと前記第２ウェルとが前記第２導電型の半導体領域によって分離されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の面積が異なる画素を含む固体撮像装置において、画素間の感度のばらつきを低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換素子をそれぞれ有する複数の画素と、光電変換素子を覆う遮光層とを備える固体撮像装置が提供される。遮光層は、複数の画素のそれぞれの光電変換素子に対して、当該光電変換素子への入射光の一部分を遮るための遮光部と、入射光の残り部分を通すための開口部とを有し、複数の画素は、光電変換素子の平面視における面積が異なる少なくとも２種類の画素を含み、光電変換素子の平面視における面積の大きい画素ほど遮光部の面積が大きい。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】第１のパッドＶout1〜Ｖout8の電位をＶout、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位をＶs、第３のパッドＶchの電位をＶwell、第４のパッドの電位ＶrefinをＶref、感温部（熱電変換部）３０の出力電圧をＶo、ウェル領域（チャネル形成用領域）４１とソース領域４４とで構成される第１の寄生ダイオードおよびウェル領域４１とドレイン領域４３とで構成される第２の寄生ダイオードのしきい値電圧をＶthとするとき、制御手段が、ｎＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、−Ｖth＜｛Ｖwell−（Ｖref＋Ｖｏ）｝＜Ｖthの関係を満たすように設定されたＶref、Ｖwellの条件で赤外線アレイセンサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する検出領域に、放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを含む複数の画素２０をマトリクス状に設け、画素２０Ｂに備えられたスイッチング素子に接続する信号配線３によって画素２０Ｂに発生した電荷を検出することで、放射線検出が可能となり、放射線の照射開始を検知することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程において製品の歩留りを向上させることのできる放射線検出器の製造方法、及び放射線検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出器１の製造方法は、配線パターン２００と、配線パターン２００の表面に設けられる第１接続部材とを有する基板２０を準備する基板準備工程と、第２接続部材を基板２０上に部分的に塗布する塗布工程と、第２接続部材を介して放射線を検出可能な半導体素子１０を基板２０上に配置し、第２接続部材を硬化させることにより半導体素子１０を基板２０に一時的に固定する仮固定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。 （もっと読む）

【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子とシンチレータとの間に設けられる保護層による光電変換素子の量子効率の低下の度合を低減し、かつ、光電変換素子等が腐食することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ４が一方の面５ａに形成された第一の基板５と、シンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換素子１４が一方の面３ａに形成された第二の基板３とを備え、第二の基板３の、光電変換素子１４が設けられた側の面３ａ上には、第一の基板５の面５ａ上に形成されたシンチレータ１４と接触する保護層２０が形成されており、保護層２０は、光電変換素子１４のシンチレータ４に対向する受光面１４ａ上の部分では、シンチレータ４から離間する状態で凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上に屈折率の高い高屈折率膜を備えた固体撮像装置において、色むらや感度ムラの原因となるリップルを低減すること。
【解決手段】それぞれが画素を形成する複数の受光素子１２が表面部に形成された半導体基板１１と、前記半導体基板１１上に、複数の層間絶縁膜２０、２１，２２を介して積層された複数の配線１４，１６，１８と、前記複数の層間絶縁膜２０，２１，２２のうちの最上層に位置する層間絶縁膜２２上に形成された、前記層間絶縁膜よりも屈折率の高い高屈折率膜２３と、前記高屈折率膜２３上に平坦化膜２４を介して配置された、前記受光素子１２で受光する波長を選択するためのカラーフィルタ２５とを有し、前記カラーフィルタ２５の透過光の波長に対応して前記高屈折率膜２３の膜厚が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器の放射線検出素子が欠陥画素か否かを的確に判定することが可能な欠陥画素判定方法、欠陥画素判定プログラム、放射線画像検出器及び欠陥画素判定システムを提供する。
【解決手段】２次元状に配置された複数の放射線検出素子（ｘ，ｙ）を備える放射線画像検出器１における欠陥画素判定方法であって、キャリブレーション時に複数回行われたダーク読取及び／又は放射線画像撮影に際して１回以上行われたダーク読取において得られた一の放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力されたダーク読取値ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）と、予め定められた閾値ｄ_ｍthとを比較し、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力された少なくとも１つのダーク読取値ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）が閾値ｄ_ｍthよりも大きい場合に、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）を欠陥画素と判定する。 （もっと読む）

【課題】間引きデータを画面上に迅速に表示させることが可能な放射線画像生成システムを提供する。
【解決手段】放射線画像生成システム３０は、放射線画像検出器１と、コンソール３１と、オフセット補正値生成手段３１と、放射線発生装置３４とを備え、コンソール３１は、間引きデータｆ（ｘ，ｙ）又は実写画像データＦ（ｘ，ｙ）に基づいて作成した間引きデータに基づく画像、或いは、間引きデータ又は実写画像データに基づいて作成した間引きデータに対してゲイン補正処理及びオフセット補正値に基づくオフセット補正処理を行って間引きデータ又は実写画像データに基づいて作成した間引きデータに対する画像処理後の画像、或いは、実写画像データに対してゲイン補正処理及びオフセット補正値に基づくオフセット補正処理を行った画像処理後の画像、のうちの少なくとも１つとを、前記表示部に表示させる。 （もっと読む）

【課題】信号線方向に対して２分割構造を有する平面検出器において、分割面の双方でオフセット値がずれにくく、画像劣化を生じにくくする。
【解決手段】放射線平面検出器１０は、信号線がそれぞれ、行方向に沿って仮想的に形成された信号線分割線により分割された構造の放射線センサ３１と、ゲート線毎に順次駆動電圧を印加するゲート駆動回路３と、駆動電圧が印加されゲートをＯＮにされた任意の１本のゲート線と接続された画素群に接続される信号線を介して画像信号情報を読み取るとともに、全てのゲート線に駆動電圧を印加せずにゲートをＯＦＦにされた状態で信号線毎に当該信号線に接続された全ての画素からリーク信号情報を読み取る信号読取回路４と、画像信号情報をリーク信号情報に基づいて補正処理する画像処理回路８と、を備える。 （もっと読む）