【課題】赤外線を受光又は放出することで発生する熱によって特性が変化するデバイスからなる赤外線センサーを備えた半導体集積回路において、赤外線センサーの直流電圧出力成分が周囲温度に依存しないようにする。
【解決手段】第１トランジスタＭ６５は赤外線センサーＳ６１と接地電位間に配置され、抵抗Ｒ６２を介して電源Ｖｄｄに接続された第２トランジスタＭ６４は第１トランジスタＭ６５に流れる電流に比例した電流を流す。第３トランジスタＭ６６はダミーセンサーＳ６２と接地電位間に配置され、抵抗Ｒ６３を介して電源Ｖｄｄに接続された第４トランジスタＭ６７は第３トランジスタＭ６６に流れる電流に比例した電流を流す。トランジスタＭ６４と抵抗Ｒ６２の間の端子を赤外線センサー出力端子Ｖｏｕｔ６１とし、トランジスタＭ６７と抵抗Ｒ６３の間の端子をダミーセンサー出力端子Ｖｏｕｔ６２とする。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像装置には、感度の面で向上の余地がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、半導体層２０、および受光部３０を備える裏面入射型の固体撮像装置である。半導体基板１０は、比抵抗ρ_１をもっている。半導体基板１０の表面Ｓ１上には、半導体層２０が設けられている。この半導体層２０は、比抵抗ρ_２をもっている。ここで、ρ_２<ρ_１である。半導体層２０中には、受光部３０が設けられている。固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２３０と、熱検出素子と分離して、支持部材上における熱検出素子の周囲領域の少なくとも一部において形成されている光反射層２３５と、熱検出素子および光反射層上に形成されている光吸収層（２７０，２７２）と、熱検出素子と接続部ＣＮによって接続され、平面視で接続部よりも広い面積を有し、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有し、かつ光吸収層の内部に形成されている集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大型化するのを抑制しつつ、用途に応じた最適な解像度と、撮影スピードとを提供することができる、放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】列方向に複数の画素２０のＴＦＴ２が同一の信号配線Ｄに接続されるよう構成されている。動画撮影の場合には、制御配線Ｍにより制御信号を出力して画素２０のＴＦＴ２をオン状態にして、センサ部１３から電荷を読み出す。２画素×２画素を１つの画素のようにみなして電荷を取り出すため、静止画に比べて解像度が低くなるものの、フレームレートを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化するのを抑制しつつ、照射された放射線量に応じて精度良く、増幅率の設定ができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷の電荷蓄積期間に放射線検出用の画素２０Ｂから出力された電気信号に基づいて、制御部１０６が信号検出回路１０５の増幅回路５０の増幅率を決定し、決定した増幅率を増幅回路５０に対して設定することにより、増幅回路５０の増幅率を制御する。放射線検出素子１０の信号検出回路１０５では、当該電荷蓄積期間に蓄積された電荷に応じた電気信号が、設定された増幅率により増幅回路５０で増幅され、ＡＤＣ５４によりデジタル信号に変換されて制御部１０６へ出力される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。
【解決手段】画素に複数のフローティングディフュージョン部を備える。複数のフローティングディフュージョン部をリセットした後、前段のフローティングディフュージョン部のリセットレベルの信号Ｎ１を後段回路に取り込む。次に、前段のフローティングディフュージョン部に光電変換部からの電荷を転送し、その信号Ｓ１を後段回路に取り込む。次に、前段と後段のフローティングディフュージョンを接続し、接続されたフローティングディフュージョン部の信号Ｎ２を後段回路に取り込む。次いで、光電変換部から残りの電荷を転送して、接続されているフローティングディフュージョン部の信号Ｓ２を後段回路に取り込む。そして、信号Ｓ１−Ｎ１の差分の信号、信号Ｓ２−Ｎ２の差分の信号をとる。 （もっと読む）

【課題】ビニングして撮影する場合にダイナミックレンジの低下を抑えることができる放射線検出器および放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】駆動制御部３３は、ビニングの有無により、すなわち、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を複数列ごとに駆動させるビニングする場合と、ゲート駆動回路１９によりスイッチング素子１５を１列ごとに駆動させるビニング無しの場合とで、バイアス電源９から変換層３に印加するバイアス電圧を変化させている。そのため、ビニングして撮影する透視モードの場合は、ダイナミックレンジの低下を抑えることができる。また、ビニング無しで撮影する撮影モードの場合には、空間解像度を高くすることができる。すなわち、動作モードに応じて高いダイナミックレンジと空間解像度を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積センサアレイを集積回路に接続しセンサ積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】第１の面１６と第２の面１８とを有しセンサアレイ１４の第２の面上に配置された第１の複数の接触パッド２０を含むセンサアレイを設け、第１の面と第２の面とを有し再配線層２４の第１の面上に配置された第２の複数の接触パッド３２を含む再配線層２４と集積回路２６の第１の面が再配線層の第２の面に作用的に結合されていて複数の貫通ビア３０が貫設されている集積回路２６とを含む相互接続層上にセンサアレイ１４を配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドが再配線層の第１の面上の第２の複数の接触パッドと位置合わせされるようにセンサアレイ１４を相互接続層上に配置し、センサアレイ１４の第２の面上の第１の複数の接触パッドを再配線層２４の第１の面上の第２の複数の接触パッドに作用的に結合してセンサ積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の実施形態に従って、装置は、第１読み出し集積回路（ＲＯＩＣ）と、第２ＲＯＩＣと、デュアルバンド検出器アレイとを有する。
【解決手段】第１ＲＯＩＣは第１単位セルを有する。第２ＲＯＩＣは、第１ＲＯＩＣの外側に備えられ、第２単位セルを有する。導電性ビアが、第２ＲＯＩＣを通って且つ少なくとも第１ＲＯＩＣの中に備えられる。検出器アレイは第２ＲＯＩＣの外側に備えられる。検出器アレイは、高ダイナミックレンジ赤外光を検出し、複数の検出器画素を有する。各々の検出器画素は、光の検出に応答して電流を生成し、ビアに電流を流す。ビアは、第１単位セル及び第２単位セルに信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】赤外遮光能に優れた遮光膜を形成でき、該遮光膜の形成の際、該遮光膜の形成領域外における残渣物を低減できるチタンブラック分散物を提供する。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック粒子、（Ｂ）分散剤、及び（Ｃ）有機溶媒を含有し、
前記（Ａ）チタンブラック粒子からなる被分散体の９０％以上が３０ｎｍ以下の粒径を有し、一方の面に撮像素子部を有するシリコン基板の他方の面に設けられ赤外光を遮光する遮光膜の形成に用いられるチタンブラック分散物である。 （もっと読む）

【課題】放射線画像撮影装置内の劣化を検知する。
【解決手段】放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）は、放射線を可視光に変換するシンチレータ（７４）と、可視光を電気信号に変換する光検出基板（７２）と、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を光検出基板（７２）に選択的に照射可能な光源（７８）とを有する。この場合、光源（７８）は、少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として光検出基板（７２）に照射し、他方の光を放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）内の劣化を検知するための劣化検知用光として光検出基板（７２）に照射することが可能である。 （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７のＸ線が入射される一方の面に光を照射するバイアス光源２０と、前記透光性基板１７の他方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された他方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７の一方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された一方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備え、前記電界緩和層２３の厚みが、前記透光性電極２１と前記正孔注入阻止層２２とからなる層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】 非破壊読み出し型の光電変換素子の伝送回路において垂直走査回路や水平走査回路の出力は非選択時にオープンとなり、走査回路に接続される行信号線、画素回路の出力線となる列信号線はフローティングになる。特に行信号線、列信号線がフローティングになると不定電位が発生する。読み出し回路内に残留電荷や不定電位が存在した状態で画像の読み出しを行うと、それらがノイズとしてオフセットに重畳し、良好なオフセット補正が行えなかった。
【解決手段】 非破壊読み出し型の光電変換素子のサンプリング容量に基準電圧をサンプリングし、読み出し回路内部で簡易走査をすることにより、読み出し回路内のフローティング部にロジック電圧、サンプリングした基準電圧を初期電位として印可し、フローティング部の電位を固定化することにより画像読み出し時のオフセットを安定させ、良好なオフセット補正を可能にする。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に設ける放射線検出素子の数が増加しても、走査線や信号線の本数が増加することを防止して、ゲートＩＣや読み出しＩＣが増加することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ個ずつ設けられた放射線検出素子７_１１〜７_２２を備え、制御手段２２は、画像データＤの読み出し処理の際には、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちのいずれの選択線１０にもオン電圧を印加しない状態で、または、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちオン電圧を印加する選択線１０を順次切り替えて、走査駆動手段１５から走査線５を介して１個の放射線検出素子７_１１のスイッチ手段８のゲート電極８ｇにオン電圧を順次印加させて、各領域ｒごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子７_１１〜７_２２から画像データＤ_１１〜Ｄ_２２を順次読み出させる。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）