【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬ及び第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲと、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬの上方に配置される第１のオンチップレンズ１１３−ＵＬと、第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲの上方に配置される第２のオンチップレンズ１１３−ＵＲとを含む画素単位を備える。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの低減が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を備えることにより、画質の向上が図られた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】増幅トランジスタＴｒａのドレイン側では、高濃度不純物領域２８のみでドレイン領域３８を構成し、ソース側では、増幅ゲート電極２２側に形成され、ドレイン領域３８を構成する高濃度不純物領域２８よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域２９からなるソース領域３２を構成する。ドレイン領域３８において、低濃度不純物領域を形成しないことで、実効ゲート長Ｌｅｆｆを長くできる。また、増幅ゲート電極２２のソース側では、増幅ゲート電極２２側に低濃度不純物領域２９が形成されるため、基板表面のポテンシャル変動を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能な真空封止デバイスを提供する。
【解決手段】真空封止デバイスは、デバイスチップ１００Ａと、デバイスチップ１００Ａと協働するＩＣチップ２００Ａと、デバイスチップ１００ＡとＩＣチップ２００Ａとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、パッケージ本体３０１の一面側に２段の凹部３０１ａ，３０１ｂが設けられ、ＩＣチップ２００Ａが、下段の凹部３０１ａの内底面に第２接合部３１２を介して接合され、デバイスチップ１００Ａが、上段の凹部３０１ｂの内底面における下段の凹部３０１ａの周部の全周に亘って第３接合部３１３を介して気密的に接合されている。真空封止デバイスは、パッケージ本体３０１とデバイスチップ１００Ａと第３接合部３１３とパッケージ蓋３０２とで囲まれた第１気密空間３２１が真空雰囲気となっている。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、１画素部で一括して同時に検出した１画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部（３層のＰ型注入領域およびＮ型注入領域）が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層（ＳｉＯ_２膜）をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された３層のＰ型注入領域４およびＮ型注入領域５と、Ｐ型注入領域４およびＮ型注入領域５上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１と、複数の電荷転送駆動用の透明電極６〜１１上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過／遮光制御手段とを有している。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子であるＴＦＴに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極と、該第１の電極上に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０は、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとを備えている。画像取得用画素２０Ａでは、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとが接続配線３２により接続されており、センサ部１０３Ａで発生した電荷及びセンサ部１０３Ｂで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ａで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。また、放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ｂと信号配線３とが直接、接続配線３４により接続されており、センサ部１０３Ｂで発生した電荷はそのまま信号配線３に出力される。 （もっと読む）

【課題】 増幅用ＴＦＴと選択用ＴＦＴとを含む画素を有する検出装置において選択用ＴＦＴのオフリークが十分なされた検出装置を提供する。
【解決手段】 変換素子１００と、ゲート１１４が変換素子１００に接続された第１薄膜トランジスタ１１０と、ゲート１２４が駆動配線１５０に接続され、真性半導体領域であり第１領域１２２と第２領域１２３との間でゲート１２４の正投影が位置する第３領域１２１を有する多結晶半導体層を含み、第１領域１２２及び第２領域１２３の一方が第１薄膜トランジスタ１１０のソース及びドレインの一方１１３に接続された第２薄膜トランジスタ１２０と、を有し、多結晶半導体層は、第１領域１２２と第３領域１２１との間に、また、第２領域１２３と第３領域１２４との間に、それぞれ第１領域１２２及び第２領域１２３よりも不純物の濃度が低い第４領域１２５と第５領域１２６と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】 薄くて、耐熱性および分光特性に優れた近赤外線カットフィルターを提供する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムと誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を有し、かつ、前記ポリイミド樹脂フィルムの厚みが、８０μｍ以下である、近赤外線カットフィルター。 （もっと読む）

【課題】光照射時のＴＦＴ特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極１４上に配置されたゲート絶縁層１６上に、第一の酸化物半導体膜２４を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜２６を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜２８を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜２８上に、ソース電極２０及びドレイン電極２２を形成する電極形成工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】フレームレートに応じた出力ビット数でAD変換を行う。
【解決手段】物理量を検知する画素が行列状に２次元に配置されてなる画素アレイ部と、画素アレイ部から読み出したアナログの画素信号に対してAD（Analog to Digital）変換を行うAD変換部と、レジスタに記憶されているレジスタ値に基づいて、AD変換部を制御する制御部とを備える固体撮像装置において、制御部は、画素信号を処理するためのクロック周波数に応じて、レジスタ値のうちの、AD変換の出力ビット数を設定するための出力ビット情報を設定する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 駆動回路をＴＦＴプロセスで基板上に一体形成した検出装置において、駆動配線の電位変動に起因するＳ／Ｎ比の低下を抑制する。
【解決手段】 検出装置は、開始信号に応じてクロック信号に含まれる電圧に基づく画素１１０のスイッチ素子１１２の導通電圧を駆動配線１６０に供給する第１回路と、終了信号に応じてスイッチ素子１１２の非導通電圧を駆動配線１６０に供給する第２回路と、を含む単位回路１２１が、複数の駆動配線１６０の夫々に対をなして複数配置された駆動回路部１２０と、クロック信号を駆動回路部１２０に供給する制御部１５０と、を含み、制御部１５０は制御電圧を複数の単位回路１２１に供給し、単位回路１２１は制御電圧に応じて駆動配線１６０への非導通電圧の供給を維持する第３回路を更に含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、ＩＣチップ２００と、パッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、赤外線センサチップ１００が一面側に実装されＩＣチップ２００が他面側に実装されるベース基板部３０１と、ベース基板部３０１の上記一面側でベース基板部３０１から突設され赤外線センサチップ１００を囲む第１壁部３０２と、ベース基板部３０１の上記他面側でベース基板部３０１から突設されＩＣチップ２００を囲む第２壁部３０３とを備える。赤外線センサは、赤外線センサチップ１００とＩＣチップ２００とが、ベース基板部３０１を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】一部のゲートのみを順次スキャンして光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、オフセットレベルの差がない画像を得る。
【解決手段】Ｘ線平面検出器は、光電変換素子とスイッチング素子と含む画素を正方格子に配列したＴＦＴアレーと、正方格子の行のそれぞれに対して設けられてスイッチング素子に接続されたゲート線３１と、ゲート線３１に接続されてスイッチング素子をスイッチするパルス状の制御信号を出力するゲート制御回路３７とを有する。ゲート制御回路３７は、全画素領域２９のうち有効画素領域２０内の画素に接続された複数のゲート線３１にＴＦＴをＯＮ状態にするパルス状信号を順次出力するスキャン動作と、無効画素領域２１内の画素に接続された複数のゲート線３１に複数のパルス状信号を順次出力するリフレッシュ動作とを行う。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）