【課題】高速動作をすることができる固体撮像装置を備えるＸ線検査システムを提供する。
【解決手段】Ｘ線検査システムは、Ｘ線発生装置から出力されて検査対象物を透過したＸ線を固体撮像装置１Ａにより撮像して該検査対象物を検査する。固体撮像装置１Ａは受光部１０Ａおよび信号読出部２０を備える。受光部ではＭ×Ｎ個の画素部がＭ行Ｎ列に配列されている。第１撮像モードのとき、受光部におけるＭ×Ｎ個の画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。第２撮像モードのとき、受光部における連続するＭ_１行の特定範囲に含まれる画素部のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。固体撮像装置の移動方向に対して第２撮像モードのときの受光部における特定範囲の長手方向が垂直になるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】受光領域のうち一部の領域の画素に蓄積された電荷を選択的に読み出す際に、一つの撮像フレームに要する時間を抑制し、また周辺回路への負荷を低減することができる固体撮像素子の制御方法を提供する。
【解決手段】受光領域のうち一部の領域を構成する一又は複数の読出対象行に含まれる画素に蓄積された電荷を、Ｌ回（Ｌは２以上の整数）の撮像フレームの各々において選択的に読み出すとともに、Ｌ回の撮像フレームのそれぞれにおいて、一部の非読出対象行のみに含まれる画素に蓄積された電荷のリセットを行い、且つ、二以上の非読出対象行の各々についてＬ回の撮像フレームの間に少なくとも一回、リセットを行う。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板との間に空洞部が形成されるように支持される支持部材２１５と、支持部材に支持される熱検出素子２３０と、熱検出素子上に設けられ、入射する光に対して光反射特性を有する材料で構成され、かつ、平面視で、支持部材の領域に入射する光の一部が支持部材２１５側に進入することを可能とするパターンを有する集熱部ＦＬと、集熱部と熱検出素子とを接続する接続部ＣＮと、を備える熱伝達部材２６０と、熱伝達部材と支持部材との間において、熱伝達部材に接して形成されている第１光吸収層２７０と、熱伝達部材上において、熱伝達部材と接して形成されている第２光吸収層２７２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】基板同士を貼り合わせて形成する半導体装置において、貼り合わせ面の密着力を向上させることによりウエハ間の剥がれやチッピングなどが抑制され、信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また、その半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の半導体ウエハ３１の周縁領域５３と、該周縁領域５３よりも内側の内側領域５４との境界に形成された配線層３３上の段差を埋め込むように埋め込み膜５７を形成し、周縁領域５３と内側領域５４における配線層３３上の表面をほぼ面一とする。そして、第１の半導体ウエハ３１に形成された配線層３３上の表面と第２の半導体ウエハ４３の所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】 熱型検出素子を基体から熱分離する空洞部の深さを規定するスペーサー部材を配線構造として兼用し、かつ、その配線構造により、確実に熱分離できる空洞部の深さを確保することができる熱型検出器、熱型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 熱型検出器は、基体１００と、基体１００より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される熱型検出素子２２０と、基体内に配置されて熱型検出素子と接続される検出回路５１０，５２０と、熱型検出素子と検出回路とを接続する配線部と、を有する。配線部は、基体内に配置された少なくとも一層の第１導電層ＬＩＡ，ＬＩＢと、スペーサー部材内に配置された少なくとも一層の第２導電層ＬＩＣ，ＬＩＤと、支持部材に支持された第３導電層２１４，２３８と、第１，第２及び第３導電層の隣接層同士を接続する複数のプラグＨＬＡ〜ＨＬＤとを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングによるダメージを低減した焦電型検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ膜２７１を形成し、パターニングする第１膜形成工程と、Ｓｎ膜２７１に重ねてＩｎ膜２７２を形成する第２膜形成工程と、焦電体２３２を形成する第３膜形成工程と、酸素含有雰囲気にて加熱し、Ｓｎ膜２７１とＩｎ膜２７２から第１電極２３４を形成するアニール工程と、第１電極２３４が形成されない場所のＩｎ膜２７２と焦電体２３２を除去する除去工程と、を有する。第２膜形成工程が終了するとき、支持部材２１０上にはＩｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されたＩｎＳｎ積層領域２７３と、Ｉｎ膜２７２とＳｎ膜２７１とが積層されていないＩｎ単層領域２７４と、が配置され、アニール工程ではＩｎＳｎ積層領域２７３にて第１電極２３４を形成し、Ｉｎ単層領域２７４のＩｎ膜２７２を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】衝撃ノイズによる誤動作を防止しつつ、Ｘ線の照射開始を自己検出する。
【解決手段】画素３７を制御するための走査線４７が行毎に、信号電荷を読み出すための信号線４８が列毎に配設された撮像領域５１を有するＦＰＤ２５と、蓄積動作と読み出し動作とを行わせるゲートドライバ５２と、Ｘ線の照射開始を検出するとともに、Ｘ線の照射開始を検出したときに、蓄積動作が開始するようにゲートドライバ５２を制御する制御部５４と、信号線４８のうち少なくとも１本の第１信号線に接続され、ＴＦＴ４３のオンオフの状態に関わらず、Ｘ線の入射量に応じた信号電荷を第１信号線に送出する短絡画素６２を有し、制御部５４は、蓄積動作が開始された後、第１信号線の出力値と第１信号線とは別の第２信号線の出力値に基づいて、照射開始の検出が、Ｘ線の照射による正当なものか、ノイズによる誤検出かを判定する。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】波長が０．７μｍから３μｍ程度までの近赤外〜赤外域に、高感度で、高品位の受光信号を得ることができる受光装置等を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の裏面において、画素に対応する領域ごとに位置するマイクロレンズ２１を備え、マイクロレンズが、波長０．７μｍ〜３μｍの光に対する透過率のレンジが２５％以下で、かつ該透過率が７０％以上である樹脂材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。回路部１０Ｂは、シンチレータ層２２の端部２２ａに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層２２の端部２２ａから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部１０Ｂにおけるトランジスタ（特にＤＣ駆動される領域のトランジスタ）において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、記支持部材上に形成されている熱検出素子２２０と、熱検出素子２２０および支持部材２１５上において、熱検出素子２２０に接して形成されている第１光吸収層２７０と、第１光吸収層上において第１光吸収層に接して形成され、かつ、第１光吸収層よりも高い屈折率を有する第２光吸収層２７２と、支持部材２１５の表面と第２光吸収層２７２の上面との間で第１波長が共振し、第１光吸収層２７０と第２光吸収層２７２とが接する界面ＲＬと第２光吸収層２７２の上面との間で前記第１波長とは異なる第２波長が共振する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、Ｍ行のうち或る行を構成する各画素Ｐ_ｍ、ｎの読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させ、積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値を第１の保持回路Ｈ_Ｏ１、ｎに保持させたのち、転送用スイッチＳＷ_３２を接続状態にして該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎに転送し、その後、該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎから順次に出力させる動作と、Ｍ行のうち他の行を構成する各画素Ｐ_{ｍ＋１、ｎ}の読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させる動作とを並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】小さな垂直シフトレジスタによって垂直ビニング動作を実現する。
【解決手段】垂直シフトレジスタ部４０ａ，４０ｂは、Ｍ本の行選択用配線Ｌ_Ｖ，１〜Ｌ_Ｖ，Ｍのそれぞれに行選択制御信号を出力するＭ個の論理回路ＬＯ_１〜ＬＯ_Ｍと、２本の行選択用配線Ｌ_Ｖ毎に配置されたシフトレジスタ回路４３とを有する。Ｍ個の論理回路ＬＯ_１〜ＬＯ_Ｍは、ビニング制御信号Ｖｂｉｎ_１又はＶｂｉｎ_２と、シフトレジスタ回路４３の出力信号とが共に有意値であるときに、読出用スイッチＳＷ_１を閉じるように行選択制御信号Ｖｓｅｌを出力する。垂直シフトレジスタ部４０ａ，４０ｂは、ビニング制御信号Ｖｂｉｎ_１及びＶｂｉｎ_２が有意値となるタイミングを制御することにより、上記２本の行選択用配線Ｌ_Ｖを逐次選択する通常動作モードと、上記２本の行選択用配線Ｌ_Ｖを同時に選択するビニング動作モードとを実現する。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）