【課題】信号線方向に対して２分割構造を有する平面検出器において、分割面の双方でオフセット値がずれにくく、画像劣化を生じにくくする。
【解決手段】放射線平面検出器１０は、信号線がそれぞれ、行方向に沿って仮想的に形成された信号線分割線により分割された構造の放射線センサ３１と、ゲート線毎に順次駆動電圧を印加するゲート駆動回路３と、駆動電圧が印加されゲートをＯＮにされた任意の１本のゲート線と接続された画素群に接続される信号線を介して画像信号情報を読み取るとともに、全てのゲート線に駆動電圧を印加せずにゲートをＯＦＦにされた状態で信号線毎に当該信号線に接続された全ての画素からリーク信号情報を読み取る信号読取回路４と、画像信号情報をリーク信号情報に基づいて補正処理する画像処理回路８と、を備える。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】電磁放射検出デバイスを提供する。
【解決手段】電磁放射検出デバイスは、一つ以上のサブアセンブリ（３００）にまとめられた複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各サブアセンブリは複数の基本検出器（３２、３２０）を含む。各基本検出器（３２、３２０）は、相互接続部（３２．１、３２０．１）によってインピーダンス整合デバイス（３３）に接続されている。そして、インピーダンス整合デバイス（３３）が、単一のサブアセンブリ（３００）の全ての基本検出器（３２、３２０）に共通であり、各サブアセンブリ（３００）において、相互接続部（３２．１、３２０．１）が略同一の抵抗値を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において画像としての不自然さを発生させずに、ダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】半導体基板にマトリクス状に配置された赤画素Ｒ１，Ｒ２、緑画素Ｇ１，Ｇ２、青画素Ｂ１，Ｂ２及び白画素Ｗ１，Ｗ２に区分してフォトダイオードが形成されており、赤画素、緑画素及び青画素の各形成領域に、赤色、緑色及び青色の波長領域の光をそれぞれ透過するカラーフィルタが形成されており、少なくとも一部の白画素Ｗ１の形成領域のフォトダイオードに対する光入射路において半導体基板上に、あらかじめ決められた波長領域での入射光強度に応じて光透過率が変動するフォトクロミック材料を含むフォトクロミック膜が形成されており、画素において得られる画素信号が全画素に対して読み出される期間である１フレームより、フォトクロミック膜の光透過率の半減期が短い構成とする。 （もっと読む）

【課題】画素内に電流−電圧変換回路を設けることなく、低線量域でのＳ/Ｎ比を向上させつつダイナミックレンジの低下を抑制した放射線検出器を提供する。
【解決手段】各画素７に、各々感度特性が異なり、放射線が照射されることにより電荷が発生し、照射された放射線量に応じて電荷が蓄積されるセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂが設けられており、走査配線１０１を介して各画素７に設けられたスイッチ素子４Ａ、４Ｂに制御信号が流れ、当該スイッチ素子４Ａ、４Ｂのスイッチング状態に応じて各画素７のセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂに各々蓄積された電荷に応じた電気信号が信号配線３に流れる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを製造する際に熱処理による電気特性のバラツキが抑制され、特に大面積のデバイスの作製に適した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、酸化物半導体層１２と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる３層以上の積層構造を有し、かつ、ゲート電極に最も近い側に配置された層１２Ｃとゲート電極から最も遠い側に配置された層１２Ａとの間に、ゲート電極に最も近い側に配置された層及びゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層１２Ｃが少なくとも１層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタ傷の位置を簡単に特定して補正を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】電荷転送部を有する撮像素子５と、撮像素子５に電子シャッタ信号を供給する駆動部１２とを有する撮像装置であって、撮像素子５から動画の１フレームを読み出す期間であるフレーム期間における、電子シャッタ信号の供給を停止するシャッタ停止タイミング、電荷転送部による電荷の転送を開始する転送開始タイミング、及び電荷転送部による転送パターンの情報を取得し、この情報に基づいて、１フレームに含まれる電子シャッタ信号によって発生する電子シャッタ傷の座標を算出する電子シャッタ傷座標算出部１６と、算出された電子シャッタ傷の座標の情報にしたがって、当該電子シャッタ傷を補正する電子シャッタ傷補正部２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、能動領域の欠陥を低減した半導体デバイスの制作方法を提供する。
【解決手段】本願発明は、表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】焦電型の赤外線検出素子及びこれを用いた赤外線検出装置において、画素として用いる赤外線検出素子の受光面積を小さく、膜厚を薄くしても、ノイズの影響を低減化することを目的とする。
【解決手段】基板１１と、支持電気絶縁層１２と、第１の電極１４と、焦電層１５と、第２の電極１６と、を備える。焦電層１５は、受光面積が１×１０^２μｍ^２以上１×１０^４μｍ^２以下であり、膜厚が０．８μｍ以上１０μｍ以下であり、且つ、Ｐｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（但し０．５７＜ｘ＜０．９３とする）で表される化合物を主成分とする。圧電ノイズを抑え、十分な焦電特性が得られ、高い感度の検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大を抑制できるフォトセンサー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるフォトセンサーは、半導体活性層を有するフォトダイオード１００と、透明導電膜から形成されたフォトダイオード電極１２と、半導体活性層とフォトダイオード電極１２との間に形成され、フォトダイオード電極１２の構成成分が半導体活性層に拡散することを防止する拡散防止層１２ａとを有する。拡散防止層１２ａは、フォトダイオード電極１２の膜厚方向の中央の酸素組成比よりも高い酸素組成比を有する、若しくは、フォトダイオード電極１２の膜厚方向の中央の亜鉛組成比よりも高い亜鉛組成比を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた半導体光検出素子であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体（フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、コンタクト電極１１、及びパッド電極１３）と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域（フォトゲート電極ＰＧ直下の領域）が形成されており、半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段を容易に配設して、ダーク信号量を正確に求めて撮像を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線変換層２３などを保持するベース板４１に温度センサ１０を配設し、Ｘ線変換層２３周辺の温度を複数に測定して、Ｘ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報を温度センサ１０は得る。したがって、温度センサ１０が設けられた箇所から離れた領域においても温度を正確に求めることができ、ダーク信号量とそのダーク信号量が得られたときのＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報との相関関係、および温度センサ１０で測定されたＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報に基づいて、ダーク信号量算出の機能はダーク信号量を正確に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】変換層の温度変化を抑制することにより、暗電流を低減することが可能な二次元画像検出器を提供する。
【解決手段】積層された変換層３およびアクティブマトリックス基板５を固定するベース板９には、変換層３が配置された部分とアクティブマトリックス基板５に外部回路７が接続された部分との間を分ける貫通孔３１が設けられている。それにより、熱源である外部回路７から配線７ａを通じて伝わる熱をベース板９の貫通孔３１より外側部分で除熱した熱が、ベース板９の変換層３が配置された貫通孔３１より内側部分に移動することを抑えることができる。すなわち、ベース板９の貫通孔３１より内側部分では変換層３の温度を一定にすることができ、一方、ベース板９の貫通孔３１より外側部分では配線７ａを通じて伝わる熱を積極的に除熱することができる。そのため、変換層３の温度変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の製造方法を工夫することによって欠損画素の発生が抑制された放射線検出器を提供する。
【解決手段】本発明のＸ線検出器１０は、常温硬化型エポキシ樹脂が硬化したエポキシ樹脂層５を備えている。常温硬化型エポキシ樹脂の注入作業と脱泡作業を行うには、樹脂の粘度は低い方がよい。しかしながら、粘度の低い樹脂は、硬化するのに時間がかかりすぎてしまい、これがアモルファスセレン層１の変質を招く。そこで、本発明の構成は、エポキシ樹脂を速やかに硬化させる目的で、エポキシ樹脂を硬化させる温度を限定している。 （もっと読む）

【課題】感度変動を抑制できる電磁波情報検出装置および電磁波情報検出方法を提供する。
【解決手段】電極層１１４と、電磁波の照射を受けることにより正と負の電荷を発生する電荷発生層１１８であって電極層１１４に電気的に接続されて設けられた電荷発生層１１８と、正と負の電荷の一方のみを輸送する電荷輸送層１２０と、電荷輸送層１２０に接続された電極層１２２とを有する光電変換器と、電極層１１４と電極層１２２に所定の電位を供与する電位供与手段１４２と、光電変換器により光電変換された電磁波の情報を検出する検出手段１４４とを備え、電磁波の前回照射時の電磁波の情報を検出する工程と、電磁波の次回照射時の電磁波の情報を検出する工程との間に、電位供与手段１４２によって電極層１１４と電極層１２２とを１秒以上同電位に設定するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】周辺部から生じる異常による画素劣化及び異常の発生位置を適切に検出する。
【解決手段】放射線検出器６０は、放射線が照射されることにより電荷を発生する光電変換部７２及び光電変換部７２に発生した電荷を読み出すためのＴＦＴを備えた画素部７４がマトリクス状に複数設けられた検出領域８４を有しており、検出領域８４が、放射線画像を示す画像情報を生成する放射線画像領域８４Ａと放射線画像領域の外周部に設けられた状態検出領域８４Ｂとに区画されている。制御部９２により、状態検出領域８４Ｂの画素の情報と予め定めた基準値とを比較して、割れや封止不良などにより放射線検出器６０の周辺部から生じる異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】撮像準備期間中の消費電力を抑制でき、薄膜トランジスタの閾値変動を抑制できる電磁波情報検出装置および電磁波情報検出方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３４６と複数の第２の電極３３６と光電変換層３４０とを有する複数の光電変換器３０４と、複数の第２の電極に接続された複数のノーマリーオン型のトランジスタ３２０と、複数のトランジスタ３２０のゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段２４２と、第１の電極３４６に所定の電位を供与する電位供与手段２４６と、ゲート電圧制御手段２４２と電位供与手段２４６とを制御する制御手段２１０とを備え、制御手段２１０は、撮像準備期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を０Ｖとし、撮像期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧にオフ電圧を供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】微弱な赤外線光を高感度、高Ｓ／Ｎ比で検出することができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された半導体材料を含む第１メサ部４０、第１メサ部４０と極性が異なる半導体材料を含む第２メサ部４３を含む複数のフォトダイオードを含む赤外線センサを、複数のフォトダイオードの全てについて、フォトダイオードが占有する基板面積Ｓ_Wと、第１メサ部４０と第２メサ部４３との接触面積Ｓ₁₂とが、０．７≦（Ｓ₁₂／Ｓ_W）≦０．９８の関係になるように構成する。 （もっと読む）

【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素１０は、第１の半導体層１と、第２の半導体層２と、第２の半導体層２の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第３の半導体層５ａ，５ｂおよび第４の半導体層６ａ，６ｂと、第２の半導体層２の下部側面領域に形成されたゲート導体層４ａ，４ｂと、絶縁膜３ａ，３ｂを介して第４の半導体層６ａ，６ｂの側面に形成された導体電極７ａ，７ｂと、第２の半導体層２の上面に形成された第５の半導体層８とを備え、少なくとも第３の半導体層５ａ，５ｂと、第２の半導体層２の上部領域と、第４の半導体層６ａ，６ｂと、第５の半導体層８とは島状形状内に形成されている。また、第４の半導体層６ａ，６ｂの表面にホールを蓄積させるように導体電極７ａ，７ｂに所定の電圧が印加される。 （もっと読む）