【課題】カルコパイライト型半導体を用いるとともに、より広範囲の光波長域の光も光電変換でき、より多くの撮像データが得られる光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６と、層間絶縁層４１、酸化亜鉛系化合物半導体薄膜４２、電極４３、４４を備え、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、前記透明電極層２６と前記下部電極層２５間及び前記電極４２、４３間に逆バイアス電圧を印加することにより、紫外領域光を光電変換して広帯域化する光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、製造時のコストを抑える。
【解決手段】照射された第１の波長の放射線を第２の波長の放射線に変換するシンチレータ７０と、第２の波長の放射線が照射されることにより発生した電荷を読み出すためのスイッチ素子を備えた放射線検出用画素が第１の面側にマトリクス状に複数設けられ、各放射線検出用画素に備えられた各スイッチ素子をスイッチングする制御信号が流れる複数の走査配線と各スイッチ素子のスイッチング状態に応じて放射線検出用画素に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる複数の信号配線とが第１の面側に設けられたフォトセンサ付きＴＦＴアレイ基板（第１の基板）７２と、第１の基板の第２の面側に設けられ、第１の基板の第１の面側に照射されて第２の面から出射された光が照射されることにより電荷を発生する放射線照射量検出用センサが複数設けられたＡＥＣ用フォトセンサアレイ基板７４（第２の基板）とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易なフィルタを用いて、精度良く材質を判定することができるようにする。
【解決手段】材質判定装置は、格子状に配置された複数の孔が形成された金属膜１２であって、孔の大きさ及び間隔を、透過させる所望の光の波長に応じて定め、かつ、孔の大きさを波長より小さくした金属膜１２を備える。判定対象物からの光のうち、所望の光の波長が金属膜を透過し、受光素子によって、金属膜を透過した光を受光し、受光した光の量に応じた信号を出力する。材質判定部によって、受光素子から出力された信号に基づいて、判定対象物の材質を判定する。 （もっと読む）

【課題】屋外でも火災や電気火花等を迅速に検知することができ、安くて、小型で、耐衝撃性の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】支持部材６上に回路部２が、回路部２上に固体撮像素子１が形成されている。また、固体撮像素子１の前面には、レンズ機構５が設けられている。固体撮像素子１、回路部２、レンズ機構５は枠体７の中に組み込まれている。一方、枠体７の外側に光電変換素子３が取り付けられている。光電変換素子３の構成は、３００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、３００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有するように構成されている。これにより、紫外光の中でも特に火炎や電気火花等を感知することができる。 （もっと読む）

【課題】外部回路との接続部の配列ピッチを拡大させつつ配線負荷のばらつきを抑えた放射線検出素子を提供する。
【解決手段】検出領域３０内に複数の画素２０を傾斜させたマトリクス状に配置すると共に、縦方向の２つの画素列毎に信号配線３を配設する。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー(例えば200eV)電子を検出する放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡等に適した検出器は、p^＋‐拡散層に接続された純ホウ素の薄い層をもつPINフォトダイオードで、そのホウ素層は、アルミニウム・グリッドをもつ電極に接続され、そのホウ素層と電極との間の各々の位置において低い電気抵抗の経路を形成する。そのホウ素層に損傷を与えず、ホウ素層上にアルミニウム・グリッドを形成するため、ホウ素層をアルミニウム層で完全に覆い、そのアルミニウム層の一部分をドライ・エッチングによって除去するが、ホウ素層の露出される部分に薄いアルミニウム層を残す。その後、ホウ素層の露出される部分から完全にアルミニウムを除去する。 （もっと読む）

ピクセル型画像検出器において共有電荷を提供するシステム及び方法が提供される。一つの方法は、ピクセル型固体フォトン検出器に、電荷分布が少なくとも２個のピクセルによって検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップとを含んでいる。この方法はさらに、得られた電荷情報に基づいて電荷分布の複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線センサにおけるＸ線光電変換層において、堆積に長時間を要すること、電極等の腐食による歩留まり低下、形成工程での高温の使用、単結晶基板または張り合わせ工程の必要性、などの理由によるコストの上昇が必至であった。また、駆動に高電圧を必要とした。また、Ｘ線の波長情報を得ることができるセンサが容易に得られなかった。
【解決手段】照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層２と、Ｘ線光電変換層２で生成された電荷を収集する収集電極１ｄと、Ｘ線光電変換層２の収集電極１ｄが設けられている面とは反対の面に設けられた共通電極１ｃと、収集電極１ｄで収集された電荷を蓄積する蓄積容量２０と、蓄積容量２０に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部３０とを具備し、収集電極１ｄと共通電極１ｃとの間に電圧を印加するように構成されているＸ線センサであって、Ｘ線光電変換層２が酸化物多結晶体であることを特徴とするＸ線センサ。 （もっと読む）

【課題】 クロストークが小さく、かつシンチレータ素子の接合強度が高い放射線検出器および放射線検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体光検出素子がマトリクス状に配列された半導体光検出素子アレイ上に、複数のシンチレータ素子の各々がその底面を各半導体光検出素子に対向して配列され、シンチレータ素子の底面以外の面に光反射材を設けた放射線検出器であって、前記シンチレータ素子は互いに１００μｍ以下の間隔をもって隣り合って配列され、隣り合うシンチレータ素子の光反射材の間には金属接合材を有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性フィルム上に直接機能素子を形成する工程を含む電子デバイスの製造方法を簡易化する。
【解決手段】非可撓性基板10と、非可撓性基板10よりも可撓性の高い可撓性フィルム20とを用意し、非可撓性基板10の一面10aの、可撓性フィルム20が貼付される貼付領域11のうち周辺部領域12にのみ接着剤15を付加し、真空条件下において、可撓性フィルム20を非可撓性基板10の一面10aに貼り付け、可撓性フィルム20上の、周辺部領域21を除く中央部領域22の、周辺部領域21に沿った切断領域23より内側に、特定の機能を有する素子を含む構造体5を作製し、構造体5が作製された可撓性フィルム20を、切断領域23で切断して、非可撓性基板10から剥離する。 （もっと読む）

【課題】画素信号に大きな変化が発生した場合に、現実の画像の変化であるか雑音に起因する変化であるかを判定可能な信号を出力する簡単な回路構成のイメージセンサの実現。
【解決手段】複数のセンサ素子24と、検出信号を読み出す読出回路と、を備えるイメージセンサであって、読出回路は、蓄積容量C1と、サンプルホールド容量C2と、センサ素子と蓄積容量の間の第１入力ゲート回路Tr5と、蓄積容量とS/H容量C2の間のスイッチS/Hと、センサ素子とS/H容量の間に設けられた第２入力ゲートTr8と、を備え、各センサ素子に対応して設けられた複数の画素回路21と、信号を読み出すスキャン回路と、を備え、スキャン回路は、Tr5を介してC1に蓄積したセンサ素子24の検出信号をスイッチS/Hを介してS/H容量に転送した信号の読み出しを行う第１スキャン動作と、Tr8を介してS/H容量に蓄積した検出信号の読み出しを行う第２スキャン動作と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】 赤外検出器は、様々なノイズ源によって望ましくない影響を受ける。しかも一部の赤外検出器は、たとえば熱的に励起された電流キャリアによって発生するノイズを減少させるため、液化窒素温度(77K)以下の温度で動作するように冷却される。
【解決手段】 広帯域放射線検出器は第1型の電気伝導を有する第1層を有する。第2層は、第2型の電気伝導及び第1スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。第3層は、ほぼ前記第2型の電気伝導、及び、前記第1スペクトル領域の波長よりも長い波長を有する第2スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。当該広帯域放射線検出器は複数の内部領域をさらに有する。各内部領域は少なくとも部分的に前記第3層内部に設けられて良い。各内部領域は、前記第3層の屈折率とは異なる屈折率を有して良い。前記複数の内部領域は規則的に繰り返されるパターンに従って配置されて良い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の受光面側に形成された光電変換部を有する固体撮像装置において、画素の微細化を損なうことなく転送効率が向上された固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板内に、縦方向に積層された接続部２１、電位障壁層２２、電荷蓄積層２３からなる縦型転送路５０を形成する。半導体基板１７の裏面側には、下部電極３１及び上部電極３３に挟持された光電変換部３２が形成されており、下部電極３１と接続部２１は、コンタクトプラグ２９により電気的に接続されている。これにより、光電変換部で生成された信号電荷は、コンタクトプラグ２９を介して接続部２１に読み出され、電荷蓄積層２３に縦方向にオーバーフローされる。 （もっと読む）

【課題】複数の検出器ブロックを並べて光学的にしかも機械的に正確に配置することができ、ノイズの影響を受けにくい画像撮影装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線１００を発生するＸ線発生源を備える画像撮影装置１０は、Ｘ線１００を受けて光に変換するシンチレータ５３と、光を電気信号に変換する光検出器５４と、電気信号をデジタル信号に変換するデータ収集部５５とを有する検出器ブロック５２と、複数の検出器ブロック５２を配列して固定する固定部材７０と、基板６３と、複数の検出器ブロック５２の背面に略平行に挿通され、複数の検出器ブロック５２におけるデータ収集部５５の電気端子７３と基板６３とを電気的に接続する電気接続手段６１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩＩＩ−Ｖ族半導体基板のバンドギャップエネルギより小さく、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、検出装置は波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラスを適正な温度に加熱して亀裂を安定して形成し、大版基板から所定サイズの光電変換基板を適正に切り出すこと。
【解決手段】大版基板Ｇ上において、光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側に、所定サイズの光電変換基板を切り出すためのカット溝を形成し、カット溝に対して光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側からレーザーを照射して大版基板Ｇをカットし、所定サイズの光電変換基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フラットパネル型センサの駆動の高速化の実現を課題とする。
【解決手段】 放射線撮影装置は、変換素子Ｓ１１〜Ｓ６３に接続された第１のスイッチ素子ＴＴ１１〜ＴＴ６３を駆動する第１の駆動回路部１０３と、変換素子Ｓ１１〜Ｓ６３に接続された第２のスイッチ素子ＴＲ１１〜ＴＲ６３を駆動する第２の駆動回路部１０４と、第１、第２の駆動回路部１０３、１０４をそれぞれ異なるタイミングで独立して制御する制御部１０５と、を備える。 （もっと読む）