【課題】スイッチング素子部分に遮光部材を設けることなく、スイッチング素子でのノイズの発生を抑制しつつ、残像を消去できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板６４の一方の面に、第１波長域の光に対して感度を有するセンサ部７２、及び第１波長域よりも広い波長域の光に対してノイズが発生するＴＦＴ７０が形成された画素が複数設けられた放射線検出器６０の基板６４の他方の面に対して主に第１波長域の光を照射する。 （もっと読む）

【課題】異なる機能を有する素子を積層して形成した半導体装置、又は固体撮像装置において、上下の素子間にシールド層を容易に形成することができる製製造方法を提供する。また、これにより、上下の素子間に発生する電磁波の影響やクロストークの影響を低減された半導体装置又は固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子２２は、第１の半導体基板２７と、第１配線層３０と、該第１配線層３０上部に形成された第１金属層３１とを備え、第１の半導体基板２７の裏面側が受光面とされた画素領域が形成されている。ロジック素子２６は、第２の半導体基板４５と、第２配線層４８と、該第２配線層４８上部に形成された第２金属層３２とを備え、画素領域で得られた画素信号を処理する信号処理回路が形成されている。これらの撮像素子２２及びロジック素子２６は、第１金属層３１と第２金属層３２とが接合されるように、互いに積層されている。 （もっと読む）

【課題】分光光度計において、スペクトルのＵＶ部分、可視部分およびＩＲ部分を検出するために自己走査形フォトダイオードアレイを用いて行われる測定の信号対雑音比を改善する。
【解決手段】自己走査フォトダイオードアレイは、読み出される前に低い信号ピクセルが所定の露光時間ｔ_０の倍数の間、電荷を蓄積することを可能にする。露光のパターン、すなわち整数Ｍ_ｉ（ｉはアレイ内の１からＮまでのピクセル数）は、当該のピクセルが飽和状態を超えずに可能な限り多くの電荷を蓄積するように選択される。 （もっと読む）

【課題】空気中に直径１０００ｎｍ程度の粒子がある長距離の線状または列状の監視対象領域において、物体の特定可能な映像を撮像することを目的とする。
【解決手段】漏えい同軸ケーブルまたは接地面と伝送線との組合わせまたはツイストペア伝送線または平面伝送路または誘電体伝送路または導波管等の漏えい伝送路を鉄道線路にそって敷設した監視システムにおいて、前記漏えい伝送路にＤＣ３６Ｖ以下の直流電源と同期情報とを重畳し、該電源と同期情報に基づきＬＥＤを個別位相のパルスで駆動する回路と水蒸気を透過する波長のＬＥＤを所定間隔で前記線路にそって複数配置し、前記漏えい伝送路の同期情報に同期してＣＣＤカメラの電子シャッタ位相を可変し、撮影する。 （もっと読む）

【課題】放射線のエネルギーを精度良く検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る放射線検出装置１は、放射線４の入射を検出して放射線検出信号を出力するＣｄＴｅ素子２０と、取得したパラメータに基づいて、放射線４の入射によりＣｄＴｅ素子２０に生じたキャリアが再結合することによって低下した放射線検出信号の波高を補正する補正処理に用いる補正パラメータを生成する補正パラメータ生成部３１１と、生成された補正パラメータに基づいて補正処理を行う補正処理部３１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分を低減し、ＦＰＮ補正を精度良く行う。
【解決手段】放射線信号を電荷信号に変換して蓄積する複数の光電変換素子が配置された放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、前記複数の光電変換素子に対する電荷信号の蓄積を制御する蓄積制御手段と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷信号の読み出しを制御する読み出し制御手段と、前記蓄積制御手段による電荷信号の蓄積制御、及び、前記読み出し制御手段による電荷信号の読み出し制御のうちの少なくとも何れか一方が行われていない期間に、前記放射線検出手段で発生する不定電位の固定化を行う制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを走査配線１０１と信号配線３との交差部に対応して設けた。これにより、放射線検出用の画素２０Ｂが放射線画像が撮影可能な撮影領域に設けられているので、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる。 （もっと読む）

【課題】従来の裏面入射型の固体撮像装置においては、撮像面である裏面と反対側の面（表面）から、受光部が設けられた半導体基板内に迷光が入り込む可能性がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、受光部１４、および遮光膜２０を備えている。固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。半導体基板１０の表面Ｓ１側には、受光部１４を覆うように遮光膜２０が設けられている。この遮光膜２０は、固体撮像装置１の外部から上記表面Ｓ１に入射しようとする光を遮るものである。 （もっと読む）

【課題】ギャップを減らすことができる放射線検出器の製造方法および放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の蒸着源（例えば４つのソース）を用いて蒸着を行う際に、蒸着面の形状を決定するマスクの開口部を移動、もしくは拡大あるいは縮小させて蒸着を行うことにより、各蒸着源で蒸着形成される層（膜）の重ね合わせで生じる端部が傾斜部となり、端部の角度が鈍るのでギャップを減らすことができる。バイアス電圧を印加する共通電極３を蒸着するのに適用する場合には、各蒸着源で蒸着形成される共通電極３の重ね合わせで生じる端部が傾斜部３Ａとなり、端部の角度が鈍るのでバイアス電圧に対する耐久性が向上する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサ感度を低下させることなく、熱容量を低減し、信頼性が高く低コストとすることができる赤外線センサ素子を提供することである。
【解決手段】実施形態の赤外線検出素子によれば、感熱吸収体層に上部が広がった形状の貫通孔を形成することにより、感熱ユニットの熱容量を低減し、赤外線吸収量の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】静電気等に対する耐久性を向上するとともに、検査精度を向上し、かつ、検査時間を短縮した積分アンプを提供する。
【解決手段】演算増幅器OP、および、演算増幅器OPの反転入力端子と出力端子との間に接続したサンプリングキャパシタCfを備えた積分回路41を有する。入力端子部INと演算増幅器OPの反転入力端子との電気的接続の開閉を切り換え可能なモードスイッチSWtestを有する。移送キャパシタCT、および、移送キャパシタCTを充放電させるスイッチSW1〜SW4を備えた検査用回路42を有する。検査用回路42は、移送キャパシタCTの放電により、充電した電荷の一部をサンプリングキャパシタCfに送り込む。スイッチSW1〜SW4により移送キャパシタCTを充電させている状態でサンプリングキャパシタCfを放電させる放電スイッチSWinitを有する。 （もっと読む）

【課題】低温で作製可能であり、高い電界効果移動度を示す薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層からなる活性層を備えた薄膜トランジスタにおいて、活性層が、ゲート電極側から膜厚方向に第１の電子親和力χ₁を有する第１の領域Ａ₁、第１の電子親和力χ₁よりも小さい第２の電子親和力χ₂を有する第２の領域Ａ₂とを含み、第１の領域Ａ₁を井戸層、第２の領域Ａ₂とゲート絶縁膜とを障壁層とする井戸型ポテンシャルを構成するものとする。ここで、活性層を、ａ（Ｉｎ₂Ｏ₃）・ｂ（Ｇａ₂Ｏ₃）・ｃ（ＺｎＯ）から成る酸化物半導体層からなるものとし、第２の領域Ａ₂のｂ／（ａ＋ｂ）を第１の領域Ａ₁のｂ／（ａ＋ｂ）よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置における光電変換部での光吸収効率を上げて感度の向上を図り、かつ電荷の移動度を高めて高速で安定な駆動を可能にする。
【解決手段】混成型の光電変換部１４と画素トランジスタからなる画素を備える。混成型の光電変換部１４は、ｐｎ接合を有する半導体層１２と、半導体層内に配置された複数の柱状の有機物質層１３と、半導体層１２及び有機物質層１３を挟んで上下に配置された一対の電極２２、２３とを有する。そして、有機物質層１３で光電変換が行われ、生成した電荷が半導体層１２内を移動して電荷蓄積領域２６へ導かれるように構成され、画素トランジスタが形成された面とは反対の面から光ｈνが入射される裏面照射型に構成される。 （もっと読む）

【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】IGZO系酸化物半導体薄膜において、膜中水分量を低減可能な組成を明らかにし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、Ga、ZnおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜において、In,Ga,Znの組成比をZn/(In+Ga+Zn)≦1/3、Ga/(In+Ga+Zn)≦9/11、4/5≦Ga/(In+Ga)≦1、且つIn/(In+Zn)≦1/2を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】走査線に断線が生じたとしても、読み出される画像データが異常な値になることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出す読み出し処理の際に、各走査線５にオン電圧を順次印加して、各走査線５に接続された各スイッチ手段８にオン電圧を順次印加する走査駆動手段１５を備え、走査駆動手段１５は、走査線５に断線がある場合には、放射線が照射されて行われた放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理において、放射線検出素子７が接続された各走査線５にオン電圧を順次印加して行う画像データＤの読み出し処理を開始するタイミングを、走査線５に断線がない場合よりも遅らせる。 （もっと読む）

【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 （もっと読む）