【課題】 信号電荷の収集効率を向上する。
【解決手段】 半導体基板の表面１０００の第１区域１００１の下に設けられた第１半導体領域１３１と、表面１０００の第２区域１００２の下に設けられ、接続部３００に接続された第２半導体領域１３２と、表面１０００の第１区域１００１と第２区域１００２との間の第３区域１００３の下に設けられた第３半導体領域１３３とを有するエネルギー線変換装置の製造方法において、
第１半導体領域１３１及び第３半導体領域１３１を、第１区域１００１及び第３区域１００３を覆い、且つ、第３区域１００３を覆う部分２０３の厚さが第１区域１００１を覆う部分２０１の厚さよりも薄い緩衝膜２００を介して、半導体基板１００にイオン注入を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】一画素から出力される電荷量が少ない場合でも、特定信号配線の断線を検出することができる、放射線検出器、放射線画像撮影システム、断線検出プログラム、及び断線検出方法を提供する。
【解決手段】画素２０にバイアス電圧を印加して画素２０のセンサ部（フォトダイオード）１０３のリーク電流によるオフセット電荷を蓄積させ、順次、画素２０のＴＦＴスイッチ４のゲートをオンさせて蓄積されているオフセット電荷に応じた電気信号を出力させる。当該電気信号に基づいて、オフセット電荷量の累積値を検出し、制御部１０６は、検出した累積値と断線検出用に予め定められた閾値とを比較し、累積値が閾値未満の場合は信号配線３が断線していることを検出する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】主に本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証を行い、これによりエピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換する。熱影像品質統合テスト検証を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整する。熱影像アレーモジュール雛形を継続して行い、インジウム柱接合方式を利用し、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成することができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】撮影によって得られた放射線画像の画像ムラの発生を抑制することのできる放射線検出器、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システムおよび配線容量調整方法を得る。
【解決手段】複数の信号配線３の少なくとも１つに接続された調整素子（コンデンサ５）により、当該複数の信号配線３の各々の配線容量の差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を生産性良く形成できる貫通電極の構造を提供する。
【解決手段】配線基板１は、第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、ビアホール２ｃの面に設置され基板２と同じ材質のシード膜５と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３とシード膜５を囲む場所とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜６と、ビアホール２ｃ内でシード膜５に囲まれた導電体７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】何れかの行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、行選択部３０、列選択部４０、溢れ出し防止部５０および制御部６０を備える。受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク１０では、センサ素子領域２２の短辺側のみにガードリングパターン２４ａが設けられた第１エリア２０と、センサ素子領域２２の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン２４ａと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン２４ｂを線対称に一対形成された第２エリア４０と、が形成されている。当該フォトマスク１０を用いてウエハ基板５０上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン２４ａの端部及びガードリングパターン２４ｂの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン２４ａの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、赤外線センサチップ１００の出力信号を信号処理するＩＣチップ１０２と、赤外線センサチップ１００およびＩＣチップ１０２が収納されたパッケージ１０３とを備える。赤外線センサチップ１００は、複数の熱型赤外線検出部３が半導体基板１の一表面側においてアレイ状に配置されている。パッケージ１０３は、パッケージ本体１０４と、パッケージ本体１０４に接合されたパッケージ蓋１０５とを有する。ＩＣチップ１０２は、パッケージ本体１０４に実装されている。赤外線センサチップ１００は、パッケージ本体１０４に保持された支持部材１０６に支持され、パッケージ１０３内でＩＣチップ１０２の厚み方向においてＩＣチップ１０２から離れて配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）