【課題】歩留まりの向上、およびコスト削減を図る。
【解決手段】半導体装置は、デバイス基板６００と、前記デバイス基板上に接合された支持基板２００と、を具備する。前記デバイス基板は、前記支持基板との接合面側の外周部に溝５０を有する。 （もっと読む）

【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性があって、マゼンタ領域の光を透過しシアン領域の光を吸収することが可能な硬化性着色組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される化合物の金属錯体化合物を含む硬化性着色組成物。
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【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 緑色画素形成用の緑色層を色分離が非常に優れた状態で形成できるとともに、緑色層にドライエッチングを適用して緑色画素を形成した場合に、緑色層における分光特性と、緑色画素における分光特性との差が小さく、緑色層が発現する優れた色分離特性を、緑色画素に確実に引き継ぐことができる、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 着色顔料を含有する、緑色フィルタ形成用着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色顔料の含有量が６０質量％以上であり、かつ、前記着色組成物から得られる膜厚０．６μｍを有する膜の波長５５０ｎｍにおける光透過率が８０％以上であり、前記膜の波長４５０ｎｍにおける光透過率が５０％以下である、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】高速シャッタ撮影を低消費電力で実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素部の一つの画素が、光感度または電荷の蓄積量の異なる領域に分割された複数の分割画素を含み、画素信号読み出し部は、画素の各分割画素の分割画素信号を読み出す読み出しモードとして、行ごとに順次に読み出す通常読み出しモードと、複数行で同時並列的に読み出す複数読み出しモードと、を含み、複数読み出しモードでは、同時並列的に読み出す画素数倍に相当する速度あって、この通常読み出しモードのフレームの複数分の一のフレームの期間に読み出しを行う読み出しを行い、ＡＤ変換部は、読み出しモードに応じて、上記読み出した各分割画素信号をＡＤ変換しかつ加算して一つの画素の画素信号を得る。 （もっと読む）

【課題】平坦化された層上に発生する残渣を抑制することができるカラーフィルタの製造方法。
【解決手段】第２色目の着色層を平坦化処理により平坦化して除去すること、及び、第３色目の着色層をフォトリソグラフィーの技術を利用して、露光、現像することにより除去カラーフィルタの製造方法において、前記平坦化処理する工程は、前記第２の着色層を積層する工程の後、前記ドライエッチングによるパターニング工程の前に行われるか、又は、前記ドライエッチングによるパターニング工程の後、前記第３の着色感放射線性層を積層する工程（オ）の前に行われ、前記第１の着色組成物が着色剤と樹脂とを含有し、前記第１の着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が６０質量％以上であり、かつ、固形分酸価が最も大きな樹脂の固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、カラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】より適切にクランプ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の信号処理装置は、撮像素子の有効画素領域外に設けられたOPB領域の、互いに異なる位置の画素値を用いて、前記有効画素領域の画素値の黒レベルを補正するOPBレベルの候補を複数決定する決定部と、前記決定部により決定された複数の前記候補の比較を行う比較部と、前記比較部による複数の前記候補の比較結果に基づいて、前記候補のいずれかを前記OPBレベルとして選択する選択部とを備える。本開示は信号処理装置および方法、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部１０１のうち、転送スイッチ２０３およびＦＤ２０４およびリセットスイッチ２０７および増幅ＭＯＳアンプ２０５が第１半導体基板に形成され、列読み出し回路１０３または出力回路１０７または駆動回路の少なくとも一部が第１半導体基板以外の第２半導体基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】変倍比が少なくとも３以上と高く、さらに諸収差が良好に補正されたズームレンズ及び撮像装置を提供すること。
【解決手段】正の第１レンズ群ＧＲ１と、負の第２レンズ群ＧＲ２と、正の第３レンズ群ＧＲ３と、正の第４レンズ群ＧＲ４と、負の第５レンズ群ＧＲ５からなる。ズームレンズ１０は、条件式（１）及び（２）
３．０＜ｆ１／ｆＷ＜４．０ … （１）
０．６＜ｆ１／ｆＴ＜０．８ … （２）
を満足する。ただし、ｆ１は、第１レンズ群ＧＲ１の焦点距離であり、ｆＷは、広角端における全系の焦点距離であり、ｆＴは、望遠端における全系の焦点距離である。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０に位置するフォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の波長を制限するための光バンドパスフィルター６１、６２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。光バンドパスフィルター６１、６２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と角度制限フィルター４１、４２の間に位置し、角度制限フィルター４１、４２は、半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０００の活性領域１１０を画定する分離領域１２０を形成する工程（Ｓ１）と、分離領域１２０によって画定された活性領域１２０に光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）と、光電変換素子１３０の上にマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）と、を有し、光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）におけるアライメント（Ａ４）およびマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）におけるアライメント（Ａ１６）を、分離領域１１０を形成する工程（Ｓ１）で形成されたアライメントマーク（ＡＭ１）を基準にして行う。 （もっと読む）

【課題】カラー画素とパンクロ画素からなる二次元アレイを備えていて高感度でフル・カラー画像を生成させるのに有効なイメージ・センサーを提供する。
【解決手段】カラー画像を捕獲するため、複数の最小繰り返し単位を有する二次元画素アレイを含むイメージ・センサーであって、それぞれの最小繰り返し単位が、5つのパンクロ画素と、色応答が異なる3つの画素を有する8つの画素からなるイメージ・センサーで構成される。以下の最小繰り返し単位：Ｐ Ｂ Ｐ Ｄ Ａ Ｐ Ｃ Ｐを持つ（ただし、Pはパンクロ画素を表わし、A、B、C、Dは、色応答が異なる画素を表わす）。 （もっと読む）

【課題】隣り合う画素列の信号電荷を容易に混合することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の光電変換部３と、光電変換部３の第１列に対応して設けられた第１垂直転送部５ａと、第１列と隣り合って位置する光電変換部３の第２列に対応して設けられた第２垂直転送部５ｂと、第１垂直転送部５ａ及び第２垂直転送部５ｂによって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部７と、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第１垂直転送部５ａとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第１垂直転送部５ａに信号電荷を読み出す読み出し電極４ａと、第１列の光電変換部３のそれぞれに対応して設けられ、第１列と第２垂直転送部５ｂとの間に位置し、第１列の光電変換部３のそれぞれから第２垂直転送部５ｂに信号電荷を読み出す読み出し電極４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】１画素内において、複数の光電変換部それぞれで発生する電荷の移動を制御できるように、光電変換部間を分離する分離領域のポテンシャル障壁の高さを変えられるようにした撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する撮像素子であって、各画素が、前記撮像素子より被写体よりに配置された光学系２０２の異なる射出瞳領域を通過した複数の光束をそれぞれ受光して電荷を蓄積する複数の光電変換部２０３、２０４と、前記複数の光電変換部の間を分離する分離領域３０７と、前記分離領域の電位を、複数の電位のいずれかに選択的に設定する設定手段３０６とを有し、前記複数の光電変換部から、蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出すことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子に設ける信号読出回路のトランジスタ数を削減する。
【解決手段】三原色カラーフィルタｒｇｂがベイヤ配列された第１画素群と、該第１画素群に対し水平方向，垂直方向共に１／２画素ピッチずつずれ三原色のカラーフィルタＲＧＢがベイヤ配列された第２画素群とを備えるＭＯＳ型固体撮像素子であって、同色のカラーフィルタを持つ斜めに隣接した前記第１画素群に属する画素ＰＤ１及び前記第２画素群に属する画素ＰＤ２（以下、この２つの画素をペア画素という。）及び該ペア画素に対して垂直方向に隣接する前記ペア画素ＰＤ３，ＰＤ４の計４画素を読出単位とし、該４画素毎に、１つの共通のＭＯＳトランジスタ回路（ＲＴ，Ｄｒ）で構成される信号読出回路を設ける。 （もっと読む）