【課題】 固体撮像装置において、カラーフィルタの剥離を抑制する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子１１を有する画素１１２と、画素１１２に対応して形成され、複数の色目フィルタ成分を有するカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換素子１１に集光するマイクロレンズ１６と、カラーフィルタ１５の各色目フィルタ成分間に配置される遮光膜１７と、カラーフィルタ１５と遮光膜１７との間に設けられ、非平坦化された密着性膜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】金属遮光膜のストレス（応力）に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行う。
【解決手段】半導体基板６の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域２が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域２の外周側に、有効画素アレイ領域２からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域３が設けられ、オプティカルブラック領域３の外周側に周辺回路領域４が設けられた固体撮像素子１において、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４に入射光を遮光する金属遮光膜８ａ，８ｂが設けられ、オプティカルブラック領域３と周辺回路領域４における金属遮光膜８ａ，８ｂの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部５が設けられている。スリット５ａは、有効画素アレイ領域２およびその外周側のオプティカルブラック領域３の平面視４角形の外周囲に渡って形成されている。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やＭｇフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質劣化を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換素子ＰＤを有する画素Ｐと、画素Ｐに対応して形成されたカラーフィルタ１３と、カラーフィルタ１３を介して入射光を光電変換素子ＰＤに集光するマイクロレンズ１５と、カラーフィルタ１３とマイクロレンズ１５との間に形成され、マイクロレンズ１５より屈折率が小さい層内レンズ１４と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内の画素形成領域内に設けられる光電変換素子５と、半導体基板１０上及び光電変換素子５上に設けられ、光電変換素子の上方に少なくとも１つの凸部４を含む絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に設けられる配線層３１と、絶縁膜４１上及び配線層３１上に設けられ、凸部４に対応するように形成された傾斜角を有する段差部６を含む絶縁膜４２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。 （もっと読む）

【課題】 撮影画質を低下させることなく、高速な焦点調節を行うこと。
【解決手段】 撮像素子の出力に応じた被写体像のコントラストに基づき、撮像光学系のフォーカシングレンズ群を光軸方向に移動させて焦点調節を行うフォーカシング手段を備えた撮像装置において、撮像素子は、各画素に対応する複数のマイクロレンズを有し、これらマイクロレンズの各位置をそれぞれ光軸方向に異ならせて設け、光軸方向の異なる各位置に複数の結像面を形成し、フォーカシング手段は、撮像素子の複数の結像面に対応する各電気信号に基づいてコントラスト値の高くなるフォーカシングレンズ群の移動方向を判定する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像によって、赤外領域における遮光性が高く、耐久性（冷熱衝撃耐性や、基板に対する密着性など）に優れるとともに、所望の矩形形状を有するパターンを高感度で形成可能な固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）赤外線遮蔽材、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｃ）酸の作用により架橋反応を示す化合物、及び、（Ｄ）バインダー樹脂を含有する固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素２と、画素２に対応して形成されたカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換部ＰＤに集光するマイクロレンズ１６と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第１遮光部１７と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、画素２の表面から第１の端面までの距離が、第１遮光部１７より短く、画素領域の角部に形成された第２遮光部１８と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイの下面から受光部までの厚さを小さくして、クロストーク発生や感度低下を防止した固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】平坦化層上に緑色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部を切り欠いた矩形のパターンを有する緑色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、非孤立的な矩形の緑色フィルタを形成する工程と、赤色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する赤色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の赤色フィルタを形成する工程と、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する青色フィルタ用の感光性材料を塗布し、青色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の青色フィルタを形成する工程と、によりカラーフィルタを形成する。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】複数の層間膜からなる積層構造体中に光導波路を有する固体撮像装置であって、集光効率を改善することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光電変換を行う受光部１と、受光部１上に形成され、配線層（第１Ｃｕ配線９、第２Ｃｕ配線１２）を含む複数の膜からなる積層構造体と、積層構造体における受光部１に対応する位置に形成された導波路孔１４ａの側壁を覆うサイドウォール膜１６と、サイドウォール膜１６で囲まれた空間に光透過性材料が埋め込まれて形成された光導波路１４とを備え、光の入射方向から見た光導波路１４の平面形状の大きさが当該光の入射側の面から受光部１側に向けて小さくなる順テーパー形状となっている。 （もっと読む）