【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の２次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ＞平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタの特性のばらつきを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に形成された第１絶縁膜の上にゲート電極材料層を形成する工程と、前記ゲート電極材料層の上にエッチングマスクを形成する工程と、前記ゲート電極材料層をパターニングすることによりゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極が形成された前記半導体基板の上に第２絶縁膜を形成する工程とを含み、前記ゲート電極を形成する工程では、前記ゲート電極材料層がパターニングされるとともに、少なくとも、前記ゲート電極の側面の下部と、前記第１絶縁膜のうち前記側面に隣接する部分とを保護する保護膜が形成され、前記第２絶縁膜を形成する工程では、前記保護膜を覆うように前記第２絶縁膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】分割画素を有する撮像素子において、画素分離領域の影響による撮像信号の感度低下や入射角特性の劣化等を発生させない構造を実現する。
【解決手段】マイクロレンズを共有する複数に分割された光電変換部を有する撮像素子において、それぞれの光電変換部の光入射側に、前記マイクロレンズに入射した光を前記それぞれの光電変換部に導くための光学手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬ及び第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲと、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬの上方に配置される第１のオンチップレンズ１１３−ＵＬと、第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲの上方に配置される第２のオンチップレンズ１１３−ＵＲとを含む画素単位を備える。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より正確に混色補正を行うことができるようにする。
【解決手段】入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の通常画素よりなる通常画素群と、前記通常画素群の有効画素領域内において、周辺画素から入射される光を光電変換素子により検出する検出画素とを備える撮像素子と、前記撮像素子の前記検出画素により検出された光の光量を用いて、前記通常画素の画素値から、前記通常画素の周辺画素から入射される光の光量を減算する減算部とを備える。本開示は撮像素子、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】微小な傾斜構造体を製造する。
【解決手段】基板の上方に犠牲膜を形成する工程（ａ）と、犠牲膜の上方に第１の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜であって、基板に接続された第１の部分と、第１の膜に接続された第２の部分と、上記第１の部分及び上記第２の部分の間に位置する第３の部分と、を含む第２の膜を形成する工程（ｃ）と、犠牲膜を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に第２の膜の上記第３の部分を曲げて、第１の膜を基板に対して傾斜させる工程（ｅ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高く、透明性に優れ、さらに、溶剤耐性に優れた、光導波路に好適な硬化物を形成することができる重合体を提供する。
【解決手段】１つ以上のチアントレン骨格を含むポリアリーレンスルフィド鎖と、反応性官能基と、を含有する重合体。前記反応性官能基はメルカプト基、スチリル基、α−メチルスチリル基、または（メタ）アクリル基等である。
前記重合体、及び架橋剤を含有する硬化性樹脂組成物。
前記硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高い材料を埋め込んだ集光性が高い光導波路を備えた固体撮像装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装は、半導体基板１０１の上に形成された受光部１１１と、半導体基板の上に形成され、層間絶縁膜を含み、受光部と対応する位置に第１の凹部を有する絶縁膜積層体１０２と、第１の凹部に形成され、受光部に光を導く光導波路１０３とを備えている。光導波路は、絶縁膜積層体側から順次形成された第１の膜１３１及び第２の膜１３２を有している。第１の膜及び第２の膜の屈折率はそれぞれ層間絶縁膜の屈折率よりも高く、第１の膜は、第１の凹部の側面及び底面を覆い且つ第１の凹部と対応する位置に第２の凹部を有している。第２の膜は第２の凹部内を埋め込むように形成されており、第１の膜における第１の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、第１の凹部の上部において下部よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】感度の向上および隣接セル間での混色の抑制が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され光を信号電荷に変換する受光部２と、受光部２の上方に対応する部位に形成された開口６ａを除き、半導体基板１の上側を覆う遮光層６と、遮光層６を覆い且つ開口６ａを閉塞する形で形成された光透過層８ａと、光透過層８ａの上方に設けられ、入射光Ｉｎ１を受光部２に集光するマイクロレンズ９ｃとを備える。そして、光透過層８ａは、空気に対する屈折率差が酸化シリコンの空気に対する屈折率差よりも大きい透光性材料からなり、光透過層８ａには、少なくとも遮光層６の開口６ａの外周部の上方に対応する部位に厚み方向に貫通するエアギャップＧ１が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】複数の層間膜からなる積層構造体中に光導波路を有する固体撮像装置であって、集光効率を改善することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光電変換を行う受光部１と、受光部１上に形成され、配線層（第１Ｃｕ配線９、第２Ｃｕ配線１２）を含む複数の膜からなる積層構造体と、積層構造体における受光部１に対応する位置に形成された導波路孔１４ａの側壁を覆うサイドウォール膜１６と、サイドウォール膜１６で囲まれた空間に光透過性材料が埋め込まれて形成された光導波路１４とを備え、光の入射方向から見た光導波路１４の平面形状の大きさが当該光の入射側の面から受光部１側に向けて小さくなる順テーパー形状となっている。 （もっと読む）

【課題】 光を光電変換部に精度よく入射させる。
【解決手段】 複合部材３００は、絶縁膜３１０と、各々が別々の光電変換部３に対応して設けられ、絶縁層３１０に囲まれた、絶縁膜３１０の屈折率よりも高い屈折率を有する複数の高屈折率部材３２０と、複数の高屈折率部材３２０同士を連結するように絶縁膜３１０上に設けられた、絶縁膜３１０の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率膜３３０とを、少なくとも有しており、複数のレンズ部１１０のうちの、互いに隣り合うレンズ部同士が接している。 （もっと読む）