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Fターム[4M118HA40]の内容

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Fターム[4M118HA40]に分類される特許

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【課題】クラックの進行を抑制するために有利な構成を有する光透過性部材を提供する。
【解決手段】第1主面、第2主面および側面を有する光透過性部材は、前記第1主面、前記第2主面および前記側面には現れないように前記第1主面と前記第2主面との間に形成された複数の変質部を有する。 (もっと読む)


【課題】ウェハレベル撮像モジュールに特に適合する固体撮像素子用の透明導電性膜を所定の箇所に配設する固体撮像素子の製造方法、それにより製造された前記透明導電性膜、これを有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜を内部部材表面上に有する固体撮像素子の製造方法であって、導電性金属粒子、導電性金属ナノワイヤ、導電性酸化物粒子、及び導電性ポリマーのいずれか一種を少なくとも含有する透明導電性膜を、前記内部部材に配設する固体撮像素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせプロセス時のウェハの局所的な変形を低減する半導体製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第1及び第2の半導体基板の接合面同士を一点接触させて周囲に接合を進展させて第1及び第2の半導体基板を全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第1の半導体基板の外周部分を支持するステージと、第2の半導体基板の接合面とステージに支持された第1の半導体基板の接合面とを対向させて、第2の半導体基板を保持する基板支持装置と、接合面同士を対向させた第1及び第2の半導体基板の法線方向の同軸上に、法線方向に移動可能にそれぞれ配置された第1及び第2の圧子と、第1の圧子を第1の半導体基板の接合面と反対側の面と接触させ、その後、第2の圧子で第2の半導体基板の接合面とは反対側の面の一点を予め定められた圧力で加圧して接合開始点を形成するコントローラと、を備える。 (もっと読む)


【課題】センサ素子領域が形成されない領域を抑制し、センサ素子領域を広く確保したチップを形成することができる、フォトマスク、露光方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク10では、センサ素子領域22の短辺側のみにガードリングパターン24aが設けられた第1エリア20と、センサ素子領域22の長辺に沿うような形状、かつガードリングパターン24aと接続されるように両端部が鉤状に曲折したガードリングパターン24bを線対称に一対形成された第2エリア40と、が形成されている。当該フォトマスク10を用いてウエハ基板50上に露光装置のブラインド機能を用いて各領域を露光する際は、ガードリングパターン24aの端部及びガードリングパターン24bの端部が接続されるように繰り返し露光すると共に、ガードリングパターン24aの端部同士が接続されるように繰り返し露光する。 (もっと読む)


【課題】 撮像素子と撮像素子固定部材の接着固定について十分な接着強度を確保すると同時に、高温、低温下での撮像素子と撮像素子固定部材の線膨張係数の差による撮像素子の変形を低減することが可能である撮像装置を提供する。
【解決手段】 撮像素子と、開口部が形成される固定部材とを備え、前記撮像素子を前記固定部材に位置決めした後、前記開口部に接着剤を流し込むことで、前記撮像素子を前記固定部材に接着固定する撮像装置であって、前記開口部は、前記撮像素子の長辺方向における略中央部分にて、前記撮像素子の短辺方向に延出した形状に形成されるとともに、前記撮像素子に対向しない側の開口幅が前記撮像素子に対向する側の開口幅よりも大きくなるように形成される。 (もっと読む)


【課題】バックチャネルを抑制するための構造、及びその構造を簡易に形成することを可能にすることができる非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の非冷却赤外線撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列され、赤外線の受光量に応じて電流特性が変化する感熱画素を含む感熱画素領域と、少なくとも、当該画素領域を駆動する駆動回路および当該画素領域からの信号を検出する読み出し回路のうちの一方を有するデバイス領域と、を有している。また、当該少なくとも一方の回路がMOSトランジスタを含んでいる。さらに、当該感熱画素の当該半導体基板の下部及び当該MOSトランジスタの当該半導体基板の下部に、それぞれ空洞を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板同士を貼り合わせて形成する半導体装置において、貼り合わせ面の密着力を向上させることによりウエハ間の剥がれやチッピングなどが抑制され、信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とする。また、その半導体装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の半導体ウエハ31の周縁領域53と、該周縁領域53よりも内側の内側領域54との境界に形成された配線層33上の段差を埋め込むように埋め込み膜57を形成し、周縁領域53と内側領域54における配線層33上の表面をほぼ面一とする。そして、第1の半導体ウエハ31に形成された配線層33上の表面と第2の半導体ウエハ43の所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる。 (もっと読む)


【課題】画素特性の劣化を防止でき、微細化に対して有利な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板20に配置される画素領域11と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第1導電型の第1拡散層21と、前記半導体基板中に前記第1拡散層と接して前記第1拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第2導電型の第2拡散層22とを具備する。 (もっと読む)


【課題】SOI基板のエッチング方法であって、Si基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にHF(a)HNO3(b)H2O(c)(ここで、a、b及びcの単位はwt%、a+b+c=100)と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるSiO2層のエッチングレートがSi基板と比較して著しく低くなることに見出し、Si基板を、SiO2層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Si基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにSiO2層をエッチングするものであっても、Si基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にSiO2層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するSiO2層が露出する。 (もっと読む)


【課題】硝片に起因する外観欠点の発生が少ない固体撮像装置に用いられるカバーガラスや近赤外線カットフィルタガラスとして有用な板状ガラスを提供すること。
【解決手段】ガラス板の板厚方向に対向する2つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】異なる機能を有する素子を積層して形成した半導体装置、又は固体撮像装置において、上下の素子間にシールド層を容易に形成することができる製製造方法を提供する。また、これにより、上下の素子間に発生する電磁波の影響やクロストークの影響を低減された半導体装置又は固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子22は、第1の半導体基板27と、第1配線層30と、該第1配線層30上部に形成された第1金属層31とを備え、第1の半導体基板27の裏面側が受光面とされた画素領域が形成されている。ロジック素子26は、第2の半導体基板45と、第2配線層48と、該第2配線層48上部に形成された第2金属層32とを備え、画素領域で得られた画素信号を処理する信号処理回路が形成されている。これらの撮像素子22及びロジック素子26は、第1金属層31と第2金属層32とが接合されるように、互いに積層されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、撮影される画像に影響なく、撮像面の上にマーキングすることを可能にした撮像素子及び前記撮像素子を搭載した撮像装置を提供すること。
【解決手段】光を電気信号に変換して、画像を形成する為の信号を出力する撮像素子を有し、上記撮像素子の光路上に可視光以外の光を透過させない光学フィルタを有し、前記撮像素子の撮像面の表面もしくは、撮像面の上に位置し、光を透過する保護材料の表面に、可視光を透過し、かつ可視光以外の光の一部波長を透過させない材料で記したマークを有する構成とした。 (もっと読む)


【課題】ダイを汚染から保護する安価なチップパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】チップパッケージは、開口部が形成されているベース再配線層16と、接着材料が塗布されていない窓部26が形成された接着剤層24と、接着剤層を介してベース再配線層に固着されたダイ12とを含み、ダイの周囲部のみが接着剤層と接触するように、ダイは窓部と位置合わせされる。シールド要素20はベース再配線層と接着剤層との間に配置され、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素は、ベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされる。シールド要素は、エアギャップによりダイから分離され且つダイの前面52を露出させるように接着剤層から選択的に除去できるように構成される。 (もっと読む)


【課題】撮像面の反りを低減することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数の固体撮像素子が形成されるとともに裏面に膜が形成された半導体ウエハの、前記裏面を研磨して、前記膜を除去する研磨工程S2と、研磨工程S2後の前記半導体ウエハを前記複数の固体撮像素子の個々にダイシングするダイシング工程S3と、を備える。研磨工程S2後の前記半導体ウエハの前記裏面が鏡面であるとともに、研磨工程S2後の前記半導体ウエハの厚さが700μm以上である。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板に設ける位置合わせ用のアライメントマークの配置位置による制約を解消し、半導体基板同士の実装精度を向上させるイメージセンサ用基板を提供する。
【解決手段】 端子部4及び回路配線パターン1dを有して回路を形成した半導体基板1と、半導体基板1の長手方向に直線的に設けられ、光を光電変換する多数の光電変換部2と、光電変換部2から出力された電気信号を端子部4から出力する、光電変換部2と端子部4との間に設けられた駆動回路部3と、光電変換部2に選択的に配置され、光を透過させる光学波長の異なる複数の光学フィルタ5と、半導体基板1を載置するセンサ基板7と、センサ基板7に設けた基準マーク7aと、駆動回路部3の領域にある半導体基板1の回路配線パターン1dで形成された光反射パターン部6と、光反射パターン部6を除いて駆動回路部3を覆い、複数の光学フィルタ5が積層された光遮光膜とを備えるようにした。 (もっと読む)


【課題】 薄型の固体撮像装置をウエハレベルで容易に製造することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
カバーガラス基板10にサポート基板12を接合し、カバーガラス基板10のサポート基板12と反対側の表面を機械研磨し、サポート基板12の一部を除去し、カバーガラス基板10上に複数の枠状のスペーサ14を形成する。カバーガラス基板10をウェットエッチングにより所定の厚みまで薄型化し、カバーガラス基板10と固体撮像素子20が形成されたシリコンウエハ18とをスペーサ14を介して貼り合わせる。カバーガラス基板10を個片化し、シリコンウエハ18を個片化して固体撮像装置を製造する。 (もっと読む)


【課題】製品の歩留まりを向上し、高い製造効率で製造することを実現する。
【解決手段】スクライブ領域LAにてダイシングされる部分よりもチップ領域CAの側の内部に、半導体基板101と異なる材料でガードリングGRを形成する。そして、ガードリングGRにスリットSLを設けて、ガードリングGRで囲われた内側部分に蓄積する電荷が、スリットSLを介して、内側部分から外側部分へ逃げるように構成する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、ガラス板の表面に結露が発生することを防止する。
【解決手段】固体撮像装置は、上部に凹部1aが形成され且つ金属リード2を有するパッケージ1と、パッケージ1の上面に固定された枠状のパッケージリブ3と、パッケージ1の凹部1aに固定され且つ電極パッド6を有する固体撮像素子5と、金属リード2と電極パッド6とを電気的に接続する金属細線7と、接着剤8により、パッケージリブ3の上面に固定されたガラス板9とを備えている。パッケージリブ3の上部には、第1の溝が形成されている。接着剤8における第1の溝と対応する部分には、スリット8aが形成されている。スリット8aは、パッケージ1、パッケージリブ3及びパッケージリブ3に接着剤8により固定されたガラス板9によって形成される空間Sと、外部とを連通している。 (もっと読む)


【課題】ダイシング工程における膜ハガレや側壁デポ物の脱落を抑制し、歩留まりの低下を抑制させた固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ガラスを適正な温度に加熱して亀裂を安定して形成し、大版基板から所定サイズの光電変換基板を適正に切り出すこと。
【解決手段】大版基板G上において、光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側に、所定サイズの光電変換基板を切り出すためのカット溝を形成し、カット溝に対して光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側からレーザーを照射して大版基板Gをカットし、所定サイズの光電変換基板を切り出す。 (もっと読む)


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