【課題】非磁性層を挟む２つの磁性層間のショートを防ぎつつ、素子形状のばらつきを低減する。
【解決手段】磁気メモリは、基板２０上に設けられた層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６上に設けられた導電性の下地層１１と、下地層１１上に設けられ、かつ２つの磁性層１２、１３と、これらに挟まれた非磁性層１３とを有する磁気抵抗素子とを含む。下地層１１のエッチングレートは、各磁性層のそれよりも低い。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】記録層に作用する参照層からの漏洩磁界を低減する。
【解決手段】磁気メモリは、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しかつ磁化方向が可変である第１の磁性層１２と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しかつ磁化方向が不変である第２の磁性層１４と、第１の磁性層１２及び第２の磁性層１４に挟まれた非磁性層１３とを有する磁気抵抗素子１０と、第２の磁性層１４と平行な磁化を有し、かつ磁気抵抗素子１０を囲むバイアス磁界層１６とを含む。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子を微細化する。
【解決手段】抵抗変化メモリは、半導体基板上に形成され、段差部１４ａを有する層間絶縁膜１１と、段差部を含む層間絶縁膜上に形成された下部電極層１５と、下部電極層上に形成された固定層１６と、固定層上に形成された第１の絶縁膜１７と、第１の絶縁膜の一部上に形成された記録層１８と、記録層を覆い、第１の絶縁膜に接する第２の絶縁膜１９と、第２の絶縁膜上に形成された導電層２０と、導電層に接続された配線２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させた露光方法、及びその露光方法により形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】露光方法は、ハーフトーンマスク３０を介して基板を４重極照明で露光することにより、基板に平行な第１方向及び第１方向に直交する第２方向にマトリクス状に配置された複数の柱状部を形成する露光工程を備える。ハーフトーンマスク３０は、第１方向に延び且つ第２方向に所定ピッチで配置された第１パターン３１と、第２方向に延び且つ第１方向に所定ピッチで配置され、第１パターン３１に交差する交差部３３をもつように形成された第２パターン３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】下部導電層と、ＭＴＪ素子を保護する保護膜との密着性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置９０は、半導体基板１００の上方に形成された下部電極ＥＢ１と、下部電極ＥＢ１上の一部に形成され、下部磁性膜６、絶縁膜７、上部磁性膜８および上部電極ＥＴ１の順に積層されてなるＭＴＪ素子部と、前記ＭＴＪ素子部を被覆する様に下部電極ＥＢ１上に形成された保護膜３３とを備え、下部電極ＥＢ１は、アモルファス化された窒化金属により形成され、保護膜３３は、窒素を含有する絶縁膜により形成される。 （もっと読む）

【課題】隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

磁気ランダム・アクセス・メモリを製造するシステムおよび方法が開示される。この方法は磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造上にキャップ層（１１２）を堆積させることと、キャップ層上に第１のスピンオン材料層（５３０）を堆積させることと、第１のスピンオン材料層およびキャップ層の少なくとも一部をエッチングすることとを備える。スピンオン材料を堆積させてエッチングするステップは数回繰り返すことができる。スピンオン材料はＭＴＪを囲む層間絶縁膜層を保護する。
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【課題】動作特性の良いＭＴＪ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＭＴＪ素子ＭＤ１は、下部磁性膜６、トンネル絶縁膜７及び上部磁性膜８の順に積層される積層構造により形成される。下部磁性膜６及び上部磁性膜８は構成材料として非晶質あるいは微結晶状態のコバルト鉄ボロン（ＣｏＦｅＢ）を含んでいる。トンネル絶縁膜７は構成材料として酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）を含んでいる。ＭＴＪ素子ＭＤ１の上部磁性膜８上にＣＡＰ層ＣＰ１が形成され、ＣＡＰ層ＣＰ１上にハードマスクＨＭ１が形成される。ＣＡＰ層ＣＰ１は結晶質のルテニウム（Ｒｕ）単体構造を構成材料としており、ハードマスクＨＭ１は結晶質のタンタル（Ｔａ）単体構造を構成材料としている。ハードマスクＨＭ１の膜厚はＣＡＰ層ＣＰ１の膜厚より厚く形成される。 （もっと読む）

【課題】多層配線に挟まれたある層の層間絶縁膜が厚薄各部分を有し、容易に製造することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１領域と第２領域を有する半導体基板と、第１領域の半導体基板上方に配置されたＭＴＪと、ＭＴＪを覆うように配置され、第２領域上方よりも第１領域上方の膜厚が薄い絶縁膜と、絶縁膜中に配置され、ＭＴＪと電気的に接続された導電膜と、第１領域上方の絶縁膜上方に形成され、導電膜と電気的に接続されたビット線と、第２領域上方の絶縁膜上方に形成された配線と、を備える。 （もっと読む）

【課題】隣接するスピン注入型磁気抵抗効果素子に起因したディスターブ現象が発生し難い構成、構造を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子３０は、電流によるスピン注入磁化反転に基づき情報が書き込まれる記録層５３が設けられた積層構造体５０を備えており、記録層５３の外縁部は、絶縁領域１７０を介して磁気シールド層１８０によって囲まれており、磁気シールド層１８０は、記録層５３の延在部５３Ａから構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子の磁性体材料の特性に悪影響を与えることなく、信頼性の高い上部配線を形成することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】前処理として還元性のＮＨ₃やＨ₂によるプラズマ処理を実施する。その後、ＭＴＪ素子に引張ストレスを印加する引張応力シリコン窒化膜５５ｐをクラッド層５３ｂ及びクラッド層５３ｂが形成されていない層間絶縁膜上に成膜する。続いて、ＭＴＪ素子に圧縮ストレスを印加する圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃを引張応力シリコン窒化膜５５ｐ上に成膜する。これらの引張応力シリコン窒化膜５５ｐ及び圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃの成膜条件は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＲＦパワーは０．０３〜０．４Ｗ／ｃｍ²の範囲で、成膜温度は２００〜３５０℃の範囲にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】データを暗号化して記録することによりセキュリティを改善した磁気記録装置および磁気記録方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録装置は、磁性材料を含み、磁区の内部の磁化方向によりデータを記録し、磁区はデータの最小単位に対応する磁性細線１２ａ〜１２ｐと、磁性細線１２ａ〜１２ｐに対して電流を印加することにより磁区の移動を行う磁区駆動部１４と、入力されたデータを暗号化する暗号化部８６と、暗号化部８６で暗号化されたデータである暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区に書き込む書き込み部１８ａ〜１８ｐと、書き込み部１８ａ〜１８ｐにより書き込まれた暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出す読み出し部１６ａ〜１６ｐと、読み出し部１６ａ〜１６ｐにより磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出された暗号化データを復号化して出力する復号化部８４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】記録層の熱安定性を向上させることができる不揮発性磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、記録層５３を有する積層構造体５０、第１の配線４１、第２の配線４２、並びに、積層構造体５０を取り囲む層間絶縁層２６から成る磁気抵抗効果素子３０を備え、更には、層間絶縁層２６を構成する材料の有するヤング率よりも低いヤング率を有する低ヤング率領域７１を備えており、記録層５３は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、記録層５３を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、低ヤング率領域７１は、記録層５３の磁化容易軸の延在領域に配置されており、記録層５３を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、低ヤング率領域７１は、記録層５３の磁化困難軸の延在領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】磁化反転のための外部磁場の強度を低減させることが可能な磁気デバイス、及びそのような磁気デバイスを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイスは、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とを接続する非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁化固定層３と磁化自由層５との間に交流電流を供給する交流電流供給手段５０と、電流が供給されることにより磁界を発生し、その磁界２１Ｍが磁化自由層５に印加されるように設けられた電流経路部２１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することが可能な磁気抵抗素子を単純なプロセスで製造することを可能にする。
【解決手段】基板上に下部電極膜を形成する工程と、下部電極膜上に、磁化の向きが固着された磁化固着層となる第１磁性層と、トンネルバリア層と、磁化の向きが可変の磁化自由層となる第２磁性層との積層構造を有する積層膜を形成する工程と、積層膜上に第１上部電極膜を形成する工程と、第１上部電極膜をパターニングし、第１上部電極を形成する工程と、第１上部電極をマスクとして積層膜の第２磁性層までをパターニングする工程と、第１上部電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、第１上部電極の上面を露出させる工程と、第１上部電極を覆うように第２上部電極膜を形成する工程と、第２上部電極膜をパターニングし、第２上部電極を形成する工程と、第２上部電極をマスクとして下部電極膜までを自己整合的に加工する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 低電流密度で効率的に反転動作させることが可能な不揮発性磁気メモリを提供する。
【解決手段】
本発明は、固定層と接して弱く反強磁性結合しているフェリ磁性構造の磁化反転層を磁化反転制御層からの磁場で反転させる構造とし、磁化反転制御層の磁化方向を磁化反転層の両サイドに互いに向き合った状態に固定させたことを特徴とする不揮発性磁気メモリに関する。 （もっと読む）

メモリセルを含むメモリおよびメモリセルを製造する方法が示される。メモリは、第１の面に基板を含んでいる。第２の面で伸びる第１の金属接続が提供される。第２の面は、第１の面に本質的に垂直である。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、ＭＴＪの第１の層が第２の面に沿って方向が合わされるように、金属接続につながれる第１の層を有して提供される。 （もっと読む）

【課題】記録層を有する積層構造体の微細加工を可能とする磁気抵抗効果を有するメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】記録層５３を有する積層構造体５０、積層構造体５０の下部に電気的に接続された第１の配線４１、及び、積層構造体５０の上部に接続部６２を介して接続された第２の配線６２を備えた磁気抵抗効果を有するメモリ素子の製造方法は、（Ａ）第１の配線４１上に、パターニングされていない積層構造体５０Ａを形成した後、（Ｂ）積層構造体５０Ａの上に、接続部６２を形成すべき部分に開口部７３が設けられたレジスト層７１を形成し、次いで、（Ｃ）レジスト層７１に設けられた開口部７３内に接続部６２を形成した後、レジスト層７１を除去し、その後、（Ｄ）接続部６２をマスクとして、少なくとも積層構造体５０Ａを構成する記録層５３Ａをパターニングする工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２の配線とメモリセルとを精度良く位置決めする。
【解決手段】第１の配線材料を形成し、第１の配線材料の上にメモリセルを構成するメモリセル材料を積層する。積層された第１の配線材料及びメモリセル及びメモリセル材料に第１方向に延びる複数の平行な第１の溝を形成して第１方向に延びる第１の配線２７及びこの第１の配線２７に自己整合された第１の溝で分離されたメモリセル材料を形成する。次に、第１の溝に層間絶縁膜を埋め込んでブロック体を形成する。ブロック体の上に第２の配線材料を積層し、第２の配線材料が積層されたブロック体に、第１方向と交差する第２方向に延び、深さが第１の配線２７に達する複数の平行な第２の溝を形成して前記第２方向に延びる第２の配線３６及びこの第２の配線３６に自己整合された、第１及び第２の溝で分離されたメモリセル２８〜３２を形成する。 （もっと読む）