【課題】符号化処理を利用した効率的なメモリ検査を行う。
【解決手段】検査対象のメモリについてパリティ情報を付加したデータをメモリに書き込んだ後、該データをメモリから読み出してランレングス符号化処理を行って符号化データを生成する。符号化装置は、書き込まれたデータについてビット列を参照して符号化データを生成する際に、該ビット列と付加されているパリティ情報とを比較してビット反転エラーを検出する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を確保しつつ、冗長性の確保のためのコストを低減する。
【解決手段】 複数のメモリーに対してそれぞれ同一のフィスカル情報を順次書き込み、フィスカル情報の記録量が所定値に達した場合、複数のメモリーのうちの一つに記録された情報を消去し、情報を消去した前記メモリーのうちの一つに対してフィスカル情報の書き込みを続行する。 （もっと読む）

【課題】他のデータに対するアクセスにより生じるエラーから特定のデータを保護できるプログラム、情報処理システム、情報処理装置、および情報処理方法を提供する。
【解決手段】例示的な実施の形態は、コンピュータで実行される、１つのメモリセルに複数ビットを記憶可能な半導体記憶手段に対してデータを書き込むためのプログラムを提供する。プログラムは、コンピュータに、第１のデータを記憶するための第１の領域を半導体記憶手段の記憶領域内に割り当てる割当ステップと、第１のデータの書込要求に応答して、第１の領域の境界から所定のサイズを保護領域とし、残りの領域を使用領域として、第１のデータを使用領域のみに書き込む書込ステップとを実行させる。 （もっと読む）

【課題】省エネ復帰時間を短縮しながらハングアップすることなく確実に復帰させることを目的とする。
【解決手段】省エネモード中の電源を監視して（１００）、閾値以上の電圧が検出された場合には、省エネ復帰から通常復帰に切り換えて、メモリに記憶された展開情報を利用せずに、メモリを初期化して新たに情報を展開して復帰する通常復帰が行われるように制御し（１０４〜１１２）、閾値以上の電圧が検出されない場合にはメモリに記憶された展開情報を利用する省エネ復帰が行われるように制御する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】メモリを低電圧で制御して省電力制御を図ることおよびエラーの発生を防止することを改善できるメモリ電圧制御装置およびメモリ電圧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ電圧制御装置１０およびメモリ電圧制御方法は、デバイス１３，１４と、デバイス１３，１４の異常を検出する電気機器１１と、を備え、電気機器１１は、デバイス１３，１４の異常を検出した時に、デバイス１３，１４に対して動的または静的に駆動電圧を昇圧する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】別の処理により使用されるメモリ領域に誤ってデータが書き込まれてしまう可能性を抑える。
【解決手段】電子制御装置が備えるＣＰＵは、燃料噴射制御、点火制御及び電子スロットル制御処理を含む複数種類の制御処理を実行する。このＣＰＵは、ベースレジスタが記憶する基準アドレスに、指定された相対アドレスを加算して実効アドレスを算出し、この実効アドレスに基づき、ストア命令及びロード命令に対応するＲＡＭへのアクセスを行う構造を備える。各制御処理では、命令の発行時に、相対アドレスにより、アクセス先のメモリアドレスを指定する。また、各制御処理に対しては、異なる基準アドレスが割り当てられ、各制御処理の実行開始前には、ベースレジスタの値が、これから実行される制御処理に割り当てられた基準アドレスに更新される。この動作により、各制御処理に対しては、重複しない独立性の高いメモリ領域が割り当てられる。 （もっと読む）

【課題】データの正常性だけでなく、書き込みアドレスの正常性も確認する。
【解決手段】書き込み部１１は、メモリ１２にデータを書き込み、計算部１３は、書き込み部１１がメモリ１２に書き込んだデータのデータ・チェックサム値とデータを書き込んだアドレスのアドレス・チェックサム値とを計算し、データ・チェックサム値とアドレス・チェックサム値を合計したチェックサム合計値を計算する。表示部１４は、データ・チェックサム値とチェックサム合計値を表示する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの状態を安定させることで信頼性を向上させることが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステム１は、ワード線当たりのメモリセル群がｎ（ｎ≧２）ページ分の記憶容量を有する不揮発性メモリと、ホストが指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリ上のデータの位置を指定する物理アドレスとの対応を示すアドレス変換テーブルを管理するランダムアクセスメモリと、前記アドレス変換テーブルを前記ランダムアクセスメモリから前記不揮発性メモリにコピーするデータ確定処理を実行する前に、同一のワード線に対応する前記ｎページへの書き込みの書き込み順序におけるページ数単位での最大距離以上のページ分のダミーデータを、有効データを書き込んだ前記不揮発性メモリに引き続き書き込むメモリコントローラとを備える。 （もっと読む）

【課題】記憶領域のシフト方向を管理する。
【解決手段】記憶装置は、有効記憶領域に記憶されている分割データを無効記憶領域に書き直すとともに、書き直し先の無効記憶領域に対応する第２の記憶領域に有効フラグを設定し、書き直し元の有効記憶領域に対応する第２の記憶領域に無効フラグを設定することで複数の第１の記憶領域における無効記憶領域の位置をシフトしながらデータのリード回数が第１の記憶部のリード限界回数に達するまでに全ての分割データの書き直しを完了し、識別フラグに基づいて無効記憶領域のシフト方向を判定する記憶制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】データの不揮発性メモリ書き込みが中断されてしまっても、次回立上げでは不揮発性メモリのフォーマット不正を発生させずに立ち上げることができる記憶装置及び記憶装置の制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明の記憶装置は、不揮発性メモリ管理サービス１（制御機構）と、外部記憶装置２と、不揮発性メモリ３と、を備える。外部記憶装置２は、不揮発性メモリ使用サイズを格納する不揮発性メモリ使用サイズ２１と、チェックサムを格納するChecksum値２２と、を備える。不揮発性メモリ３は、複数のEntry ３１（エントリ）を備える。複数のEntry ３１の各々は、当該Entry が有効か否かを示すSignature ３１１と、Status３１２と、データ長３１３と、データ部３１４と、の各項目を備える。中断からの再開時には、チェックサムの再検証により、不揮発性メモリ３の障害か否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】多値書込フラッシュメモリの活用されていないエリアを使用し、データ領域内の退避領域を不要とする。
【解決手段】コントローラ１０は、多値書込フラッシュメモリ６のデータ領域への新規データ書込時には、先ずこの新規データの書込先アドレスを決定し、次に前記新規データの書込先アドレスに対応するデータ領域のアドレスに書込済データが存在するか否かを検出し、前記書込先アドレスに対応するアドレスに書込済データが存在すると判断した時には、前記書込済データのコピーをＦＡＴ予約領域に書込み、その後、前記新規データをＦＡＴ予約領域に書込み、次に、ＦＡＴ予約領域に存在する新規データと前記書込済データをデータ領域に書込む構成とした。 （もっと読む）

【課題】シリアルパラレル変換システムにおけるシリアル信号の変換処理に影響を与えることなく短時間で確実にＲＡＭの異常を検出する。
【解決手段】シリアル信号をパラレル信号に変換するシリアルパラレル変換回路１０１とＲＡＭ１２２の異常を検出する自己診断回路１０５と前記自己診断回路１０５で検出されたエラー情報が入力されるエラー制御部１０９とを備えたシリアルパラレル変換部１００と、前記シリアルパラレル変換回路１０１で変換されたパラレル信号が書き込まれるＲＡＭ１２２とを有するシリアルパラレル変換システムの異常検出装置において、前記自己診断回路１０５は前記シリアルパラレル変換回路１０１におけるシリアルパラレル変換処理期間にＲＡＭ１２２の異常診断をおこなう。 （もっと読む）

【課題】記憶されたデータにエラーが生じた場合でも、正しいデータを書き込むことができる記憶装置、回路基板、液体容器及びシステム等を提供すること。
【解決手段】記憶装置１００は、ホスト装置４００との通信処理を行う通信部１１０と、ホスト装置４００からの受信データ及びメモリー領域選択情報を記憶する、第１、第２のメモリー領域ＭＡ１、ＭＡ２とを有する記憶部１２０と、第１、第２のメモリー領域ＭＡ１、ＭＡ２のいずれか一方を読み出し用メモリー領域として選択し、他方を書き込み用メモリー領域として選択して、読み出し及び書き込み制御を行うメモリー制御部１３０と、メモリー制御部１３０により読み出し用メモリー領域から読み出されたデータの値と受信データの値との大小関係を比較するインクリメント判断部１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 誤り訂正符号の誤り訂正能力を超えてエラーが発生した場合であっても、故障したメモリチップを特定することが可能な記録ユニット及び故障チップ特定方法を提供する。
【解決手段】 記録ユニットは、記録部、誤り検出符号付加部、書込み用バッファメモリ、誤り訂正符号付加部及びメモリコントローラを具備する。記録部は、所定の書込み容量単位でデータを書き込み可能な複数のメモリチップを備える。誤り検出符号付加部は、受信したデータストリームの所定容量のデータセグメント毎に誤り検出符号を付加する。書込み用バッファメモリは、誤り検出符号付加部からのデータストリームを一時的に保持して出力する。誤り訂正符号付加部は、書込み用バッファメモリからのデータストリームに誤り訂正符号を付加する。メモリコントローラは、データブロック及び誤り訂正符号が複数のメモリチップに並列して書き込まれるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発メモリを備えた端末装置で、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みを行う手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置内部の温度を検出し、検出した温度に応じて割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路を備え、不揮発メモリのブロックの管理領域には、データが書き込まれた時、及び装置が停止される直前のシステム時間とストレス加速時間とが記録され、装置が再起動される時には、装置が停止される直前のストレス加速時間から継続してストレス加速時間をカウントすることで、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みすることができる。 （もっと読む）

【課題】 回路規模の増加を抑えながら信頼性の高い故障検出を行う集積回路装置等を提供する。
【解決手段】 集積回路装置１であって、入力データ４００が書き込まれる複数のブロック１００、１０２を含む不揮発性メモリー１０と、ブロックのそれぞれに対応付けられ、ブロックに書き込まれたデータ（メモリーデータ）のそれぞれが所与のタイミングで書き込まれる複数のレジスター２０、２２と、メモリーデータおよびレジスターに書き込まれたデータ（レジスターデータ）を受け取り、比較処理を行う比較部３０とを含む。比較部３０は、全てのメモリーデータが一致するか否か判定するための第１の比較処理と、複数のブロックの各ブロックについて当該ブロックのメモリーデータと当該ブロックに対応づけられたレジスターに書き込まれたレジスターデータとが一致するか否かを判定するための第２の比較処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＮＡＮＤ−ＦＬＡＳＨメモリのように書換え回数、又は、消去回数に制限のあるメモリデバイスを用いた半導体ストレージドライブに関する。従来はドライブのページデータを二重化した記憶デバイスに格納する際、アドレス変換テーブルが膨大になってしまう問題があった。
【解決手段】二重化されたペアの対応を記憶する手段を設け、アドレス変換テーブルを半分にした。
【効果】これにより、本発明によれば必要十分なハードウェア量で高信頼、かつ、長寿命な半導体ストレージデバイスを実現できる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュＲＯＭ内の制御プログラムを書き換えた際に、ＥＥＰＲＯＭの初期化の時、継続使用可能なデータと初期化するデータを区別することができる電子制御装置を得る。
【解決手段】ＥＣＵ１００において、フラッシュＲＯＭ２には、制御プログラムの書き換え時に、新プログラムと共に、そのプログラムがＥＥＰＲＯＭ２０に保存する学習値等の並びがどのように変わるのかを示すデータ配列変換情報が書き込まれる。そして、フラッシュＲＯＭ２内の制御プログラムによる最初の初期化処理にて、データ配列変換情報を参照してＥＥＰＲＯＭ２０に保存されているデータを新プログラムで使用する並び順に並び替えを行い、以前のデータを継続使用することによって、制御プログラムの書き換え前後で、ＥＥＰＲＯＭ２０に保存するデータの並びが変わったとしても、走行フィーリングの悪化や変速ショックが継続することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】メモリーなどの記憶装置に記憶したデータの誤り検出の負荷を低減すること。
【解決手段】第１のラッチと、第２のラッチと、データ比較回路と、を有し、ホストインターフェイスを介してホスト部より送信された制御コマンドを受信し、前記制御コマンドが第１のコマンドである場合は、前記第１のコマンドに付随するデータを順次前記第１のラッチに保持すると共に、データ記憶部に記憶されているデータを読み出し順次前記第２のラッチに保持し、前記データ比較回路により前記第１のラッチに保持されたデータと前記第２のラッチに保持されたデータとの比較を行うことを特徴とする誤り検出器を提供する。 （もっと読む）

【課題】バーストエラーに対する耐性の高い記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る記憶装置は、記憶するデータのパリティを計算する際に、バーストエラー長さの想定値をあらかじめ取得しておき、互いにその想定値以上離れた複数の記憶領域から読み出したデータを用いてそのデータのパリティを計算する。 （もっと読む）