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Fターム[5B046BA03]の内容

CAD (21,103) | 設計対象(段階、工程) (4,232) | 回路設計 (1,280)

Fターム[5B046BA03]に分類される特許

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【課題】アナログ波形同士の比較精度を向上できる比較装置を提供する。
【解決手段】n(nは自然数)変数関数である第1関数で表される第1アナログ波形とn変数関数であり第1関数の変数と同一の変数を有する第2関数で表される第2アナログ波形とを比較する比較装置であって、第1アナログ波形と第2アナログ波形とが配置された座標系を表す座標系情報を受け付ける受付部と、座標系情報に表された第1アナログ波形に複数の計測点を設定する設定部と、計測点ごとに計測点と座標系情報に表された第2アナログ波形との最短距離を測定し、計測点ごとの最短距離を、第1アナログ波形と第2アナログ波形との比較結果として出力する測定部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】歩留り率と性能との関係をより適切に評価できるようにする。
【解決手段】本方法は、所定の設計変数について1又は複数の設計変数値セットを生成し、各設計変数値セットについて製造又は環境による変動が想定されるパラメータの複数のパラメータ値セットを生成し、それらの組み合わせ毎に、回路構成について回路シミュレーションを実施させ、当該回路シミュレーション結果として所定の性能項目の性能項目値セットを取得し、各設計変数値セットについてパラメータ値セット毎に、それらの組み合わせについての性能項目値より優れている又は同一である性能項目値を全ての所定の性能項目について有する、当該設計変数値セットとパラメータ値セットとの組み合わせを特定し、当該設計変数値セットについて生成されたパラメータ値セットの数に対する、特定された組み合わせの数の比により歩留り率を算出する。 (もっと読む)


【課題】異電源ドメイン間におけるタイミング収束性が改善された回路設計を容易に行うことができる多電源集積回路設計装置の提供。
【解決手段】回路構成情報および電源構成情報に基づいて、異電源ドメインと接続するデータパスに対し、最初および最後に接続される同期式フリップフロップである境界FFの少なくともいずれかを抽出して、境界FFデータとして出力する境界FF抽出部と、回路構成情報および境界FFデータに基づいて、境界FFに接続されたクロックラインに配されたバッファを抽出し、入力を分岐させて当該分岐を入力とする新たなバッファを追加するバッファ追加部と、境界FFが新たなバッファに接続されるようにクロックラインを繋ぎ換えるように、回路構成情報を変更して、変更された回路構成情報のデータを出力するクロックライン再構成部と、を有する多電源集積回路設計装置。 (もっと読む)


【課題】高位設計手法ではない既存の設計手法にて設計されたブロックに対してもレイテンシ調整を可能とする。
【解決手段】回路記述情報を読み込み、遅延調整のために必要な情報を生成する半導体設計支援装置であって、前記回路記述情報に基づき論理シミュレーションを実施して論理シミュレーション結果情報を出力する論理シミュレーション手段と、前記論理シミュレーション結果情報から信号合流点における複数ブロックの信号の遅延量情報を求める遅延量情報取得手段と、前記遅延量情報から遅延調整のために必要な調整遅延量情報を計算する調整遅延量計算手段と、前記調整遅延量情報から遅延調整のために必要な調整遅延情報を生成する調整遅延情報生成手段とを備える。 (もっと読む)


電子回路内の故障可観測性を定めるための方法及び構成が提示される。本方法では、各素子について、発生した故障が解析出力信号における異常を引き起こしうる期間が定められる。 (もっと読む)


【課題】設計期間の短縮化を図ること。
【解決手段】設計支援装置は、クロックツリー合成処理(ステップ23)にて生成したクロックツリーに含まれるクロックパスについて、電圧・温度の遅延感度をそれぞれ算出し、2つのクロックパスの遅延感度の差を0に近づけるように、クロックパスの遅延感度を調整する。 (もっと読む)


【課題】一般的な構造を高周波帯まで精度よく表現できる3次元フルウェーブ解析によるS、Y、Zパラメータなどのネットワークパラメータに基づいたモデルであること。モデルの分割・合成を行っても、リターンパス不整合に基づく矛盾が起きないよう、GNDプレーンなどの信号リターンパスが明示的に分離されていること。以上の条件を満たす解析用モデル生成方法を提供する。
【解決手段】回路全体を、信号系、電源系、GND系の回路部に分割し、信号−電源間相互インピーダンスの調和平均を求め、その周波数応答関数をリターンパスとしてのGNDのモデルとして用いる。このGNDのモデルは、シミュレーション上で十分な制度を有するので、回路全体からリターンパスを分離することができる。 (もっと読む)


【課題】パッケージにより生じる回路特性のバラツキを簡便にかつ正確に予測する。
【解決手段】設計されたレイアウトデータと、パッケージに起因してシリコンチップに加わる応力値の分布を示す応力マップデータと、シリコンチップに搭載される各素子について、応力値と素子の特性変動量の関係を示す検量線データとを用いる。レイアウトデータから素子の種類、位置、方向、大きさのうち1つ以上の情報を読み取る。その素子の位置での応力値を応力マップデータから読み取る。その応力値に対するその素子の特性変動量をその素子に対応する検量線データから読み取る。その特性変動量に基づいてその素子の特性を修正してネットリストの作成を行なう。 (もっと読む)


【課題】中間ノード直下に形成される空乏層による影響を再現してシミュレーション精度の向上を図ること。
【解決手段】検証装置は、NMOSに関する回路モデルである等価回路400内から、接合抵抗RJLGSおよび接合容量CJGSと、接合抵抗RJLGDおよび接合容量CJGDとを備える並列回路と、並列回路と基板電極とを接続する接続抵抗Rdepを検出する。つぎに、検証装置は、接合抵抗RJLGSおよび接合抵抗RJLGDと、接続抵抗Rdepとが振幅の変化に与える影響を示す第1の係数を算出し、接合容量CJGSとCJGDと接続抵抗Rdepとが位相の変化に与える影響を示す第2の係数を算出する。そして、第1の係数と第2の係数との合計値により接合容量CJG(=CJGS=CJGD)を補正する。 (もっと読む)


【課題】キャリアの速度オーバーシュート効果を考慮した短チャネルトランジスタの電気特性を、高精度かつ数値的に安定に計算できるようにすること。
【解決手段】デバイスシミュレーション装置は、ドリフト拡散モデルとポアソン方程式に基づいてキャリアの電流密度及び静電ポテンシャルを算出するデバイス特性算出部と、キャリアのエネルギー保存式において熱伝導による拡散項を無視するとともに電流密度を一定としたものをチャネルに垂直な方向について積分した式に、電流密度及び静電ポテンシャルを代入して、局所的なキャリア温度を算出する温度算出部と、所定の移動度モデルにキャリア温度を代入して、局所的なキャリア移動度を算出する移動度算出部と、アインシュタインの関係式にキャリア移動度を代入して、局所的なキャリア拡散定数を算出する拡散定数算出部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路装置の動作を記述した動作レベル回路記述から具体的な機能(回路)を記述したRTL回路記述を生成する際に、レジスタの読み出し・書き込みポート数を制約する。
【解決手段】半導体集積回路装置の動作を記述した動作レベルの回路記述から、抽象度の低い回路記述を生成するための動作合成装置が、レジスタの読み出し・書き込みポート数の制約を決定し当該制約を満たすように前記抽象度の低い回路記述を生成する際のスケジューリング・バインディング処理を行う。 (もっと読む)


【課題】正否判定工程に要する時間を短縮することができるワイヤハーネス導通検査方法およびワイヤハーネス導通検査プログラムを提供すること。
【解決手段】第1の分割領域Aに必要とみなされる第1の仕様と、第2の分割領域Bに必要とみなされる第2の仕様と、を比較し、共通する仕様の有無を判別し、共通する仕様が少なくとも一つある場合、第1の分割領域Aに配索可能な第1のワイヤハーネスのいずれか一つと、第2の分割領域Bに配索可能な第2のワイヤハーネスのいずれか一つと、について記述された部位毎コネクタ・配線情報を、該第1のワイヤハーネスと該第2のワイヤハーネスの組合せだけ作成する。 (もっと読む)


【課題】配線長やビア数に起因する不良の流出を削減すること。
【解決手段】本発明では、複数のセルと複数の信号線とを含む回路の接続を表す第1の回路情報に基づいてレイアウトを実行し(S21)、その回路情報を第2の回路情報とすると共に、レイアウトの実行結果から、複数の信号線の各々の配線長と、複数の信号線の各々が経由するビアホールの数であるビア数とを抽出する(S22)。第2の回路情報に対して故障シミュレーションを実行し、故障の検出ができないノードである故障未検出ポイントを抽出する(S23)。故障未検出ポイントのそれぞれに対して、配線長及びビア数を用いて重み付けを施し(S24)。故障未検出ポイントの中から、重み付けの結果を表す算出値が設定値を超える故障未検出ポイントを選択し、その故障未検出ポイントに対してテストポイントを挿入する(S25)。 (もっと読む)


【課題】特にタイミング制約違反を解消するために挿入する遅延素子の数を抑制できる回路設計装置及び回路設計方法を提供する。
【解決手段】回路設計装置は、回路設計に使用する論理素子間の接続情報を含むネットリスト及び当該論理素子の遅延時間の情報を有する回路情報に基づき、論理素子を配置・配線してレイアウトを生成するレイアウト部10と、回路情報14と、レイアウト情報18を参照して、レイアウトにおけるタイミング制約違反の有無を検出するタイミング解析部11と、検出したタイミング制約違反パスの終点から始点に遡りながら、回路情報を参照して配置する追加遅延素子を選択する選択部12と、タイミング制約違反が発生している複数のパスにおいて共通に前記選択した追加遅延素子が使用できると判断した場合に、複数のパスを統合して当該選択した追加遅延素子を配置する論理素子修正部13とを有する。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減し、誤動作を防止することができるフリップフロップ回路を設計するための設計装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の入力信号、第1のイネーブル信号及び第1のクロック信号を入力する第1のフリップフロップ回路の第1の設計データに対して、第1のクロック信号の周波数の2倍以上の周波数のクロック信号で第1の静的タイミング解析を行う第1の静的タイミング解析部(S11)と、第1の静的タイミング解析の結果が合格の場合には、第1の設計データを入力し、第1のフリップフロップ回路を第2のフリップフロップ回路に変換した第2の設計データを生成する第1の変換部(S13)とを有し、第1のフリップフロップ回路はクロックゲーティング回路を有さず、第2のフリップフロップ回路はクロックゲーティング回路を有する設計装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】デジタルシステムの各時刻におけるソフトウェアの状態とハードウェアの状態との関係を簡単にチェックすること出来る検証装置を提供する。
【解決手段】検証装置は、プログラムを実行している状態にあるデジタルシステム内の各ブロックの各時刻における動作状態を示すデータ42と、当該プログラムに含まれる各関数が実行される期間を示す関数トレースデータ43とに基づき、幾つかのブロックの動作状態と幾つかの関数の実行状態とから成立しているか否かが定まる、オペレータが指定した制約条件が満たされているか否かをチェックしてチェック結果45を出力する機能を有する。 (もっと読む)


【課題】タイミング違反の修正の問題を解消する。
【解決手段】設計装置10は、クロックツリーを生成するクロックツリー生成部121と、クロックツリー生成部121により生成されたクロックツリーに対応する回路データについて、セットアップタイミングを考慮せずにホールド違反を修正するように、遅延素子を論理的に挿入する論理修正部122と、論理修正部122の処理結果に基づいて、半導体集積回路のレイアウトを修正するレイアウト修正部123と、レイアウト修正部123により修正された半導体集積回路のレイアウトを出力する出力部124と、を備える。 (もっと読む)


【課題】置き換え前のメモリが備える機能と置き換え後のメモリが備える機能との差分を補う回路を、容易に生成することを目的とする
【解決手段】置き換え前のメモリが備える機能と置き換え後のメモリが備える機能との差分を補う回路をハードウェア記述言語で記述したコンピュータプログラムであって、考えられる全ての差分を補う回路を記述したプログラムから、メモリを有する記憶装置が備えるべき動作モードを当該記憶装置に実現させるための処理ステップを、当該メモリが備える動作モードに応じて取捨選択して、当該メモリ用のプログラムを生成する。 (もっと読む)


【課題】期待値の不一致箇所の人手による確認作業工数を減らせる論理シミュレーションシステムを提供すること。
【解決手段】前段の論理回路ブロック4の処理結果をタイミングチェックすることにより当該処理結果がタイミングエラーであるか否かを判定するとともに、前記処理結果がタイミングエラーであると判断した場合に当該処理結果の動作又は状態を確認することにより前記処理結果が真のエラーであるか否かを判定するタイミングチェック期待値比較手段16と、タイミングチェック期待値比較手段16にて前記処理結果が真のエラーと判断された場合に前段の論理回路ブロック4の処理結果を、予め設定された期待値13に書き換えて後段の論理回路ブロック5への信号値として出力するタイミングチェック信号値固定手段17と、を備える。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタの電気的特性を高精度に再現する。
【解決手段】図形情報生成手段と、パラメータ補正量計算手段と、回路シミュレーション手段とを備える回路シミュレーション装置によって以下の方法で、回路シミュレーションを行う。その方法は、チャネル領域とSTI領域との境界における、チャネル長方向の中点を特定する。そして、ゲート幅方向を縦方向とし、その中点を原点としてそのMOSトランジスタとそのMOSトランジスタの隣の拡散層との距離を縦方向隣接拡散層距離とするとき、その縦方向隣接拡散層距離を、そのチャネル長方向の位置Xに応じて変化する縦方向の距離の関数として特定する。その縦方向隣接拡散層距離の関数と重み付け関数とを掛け合わせた乗算式を生成し、その乗算式に基づいて、パラメータ補正量を算出する。 (もっと読む)


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