【課題】記録媒体の搬送シミュレーションにおいて、記録媒体の搬送を継続することが不可能になる不具合が生じた際、不具合が生じた位置よりも下流のシミュレーションを可能にする。
【解決手段】搬送経路において任意の座標を基に、それらの座標を結んだ曲線を記録媒体の予想軌跡として定義し、記録媒体において記録媒体の搬送状態の評価に用いるサンプリング点を定義しておく（Ｓ８０２，Ｓ８０２）。シミュレーション中に、不具合が発生した場合（Ｓ８０８）、不具合が発生した状態における記録媒体の後端を、その後端と最短距離にある前記予想軌跡上の一点に移動し、移動後の後端を基準に記録媒体を前記予想軌跡上に搬送経路下流に向けて再配置する（Ｓ８１０）。そして、配置後の状態から、シミュレーションを再スタートする（Ｓ８１１）。これにより不具合が生じた位置よりも下流のシミュレーションが可能になり、計算時間の無駄が解消される。 （もっと読む）

【課題】シミュレーション対象の回路記述に不具合があっても、シミュレーション動作が
異常状態に陥ることを回避することのできるシミュレータを提供する。
【解決手段】シミュレータ１は、シミュレーション部１０におけるシミュレーションの実
行中に、ビット幅監視部１１が、回路記述データに記述された演算動作のシミュレーショ
ン結果のビット幅が回路記述データに記述された演算結果代入変数のビット幅に対してオ
ーバーフローしないかを監視し、ビット幅監視部１１によりオーバーフローの発生が検知
されたときに、オーバーフロー回避部１２が、シミュレーション結果を格納する演算結果
格納変数のビット幅の動的な拡張を行う。 （もっと読む）

【課題】解析精度を向上させる半導体装置のシミュレーション装置を提供すること。
【解決手段】いずれの電流経路にも電気的に接していない半導体領域であって且つ電極として機能する領域に電圧を印加することで、前記領域における電子の擬フェルミ準位を設定し、電子濃度を算出する第１算出部２０と、正孔連続式を解析することで、正孔濃度を算出する第２算出部２１と、前記電子濃度を静電ポテンシャルの関数とみなし、該関数と前記正孔濃度を代入したポアソン方程式との連立方程式を解くことで、静電ポテンシャルと、前記関数で表される前記電子濃度と、をそれぞれ算出する第３算出部２２と、前記電子濃度に基づき前記電極から湧き出る電流を算出する第４算出部２３と、前記電流に基づき、前記第１算出部が前記電極に印加する前記電圧を制御する制御部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。
【解決手段】 非晶質層中のイオン分布から抽出したモーメントパラメータ、イオンの飛程の注入方向の射影を表すパラメータＲ_ｐ、分布の標準偏差ΔＲ_ｐ、注入イオン分布の左右非対称性を表すパラメータγ、注入イオン分布のピークの鋭さを表すパラメータβを前記テール関数のＲ_ｐ、ΔＲ_ｐ、γ、βとして用い、ｘを基板の深さ方向、Φを注入するイオンのドーズ量、Φ_ｃｈａｎをチャネルドーズ量、ｎ_ａ（ｘ）を非晶質パートの分布関数、ｎ_ｃ（ｘ）をチャンネリングパートの分布関数として下記の式で表されるテール関数Ｎ（ｘ）からイオン注入分布を発生させる際に、イオン注入分布のテールの広がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌをイオンの散乱角θ_ａｖとの関係で定義する。
Ｎ（ｘ）＝（Φ−Φ_ｃｈａｎ）ｎ_ａ（ｘ）＋Φ_ｃｈａｎｎ_ｃ（ｘ） （もっと読む）

【課題】回路構成を複雑化することなく、簡易な等価回路で高周波領域まで実際の電気的特性に合致する任意形状のＭＯＳ型可変容量素子をモデリングする。
【解決手段】ＭＯＳ型可変容量素子は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第２導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、前記ウェル領域内に形成された第２導電型の第２の拡散領域と、電圧供給端子と、基板引き出し端子と、ウェル引き出し端子と、単位ＭＯＳ可変容量部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】精度を高めた性能評価を行うことが可能な性能評価装置を提供する。
【解決手段】上記の性能評価装置は、ハードウェアに対応するシミュレーションモデルに含まれる複数の機能ブロック間で入出力される制御信号の入力のタイミングを出力する制御タイミングモデル部と、制御信号の入力のタイミングに応じて、複数の機能ブロック間における制御信号の転送期間を算出する制御信号転送期間算出部と、制御信号に対応するデータ信号であって、複数の機能ブロック間で入出力されるデータ信号の入力のタイミングを出力するデータタイミングモデル部と、データ信号の入力のタイミングに応じて、複数の機能ブロック間におけるデータ信号の転送期間を算出するデータ信号転送期間算出部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】サイクルレベルシミュレーションの高速化のために十分な不要論理の削除が行われていない。
【解決手段】不要論理解析手段と、性能評価モデル出力手段とを備え、サイクルレベルモデル中の実行サイクル数に影響を与えない論理を削除する。また、シミュレーションプロファイルを基に、サイクルレベルモデルの分岐条件の論理を簡単化するように動作する。このような構成を採用し、サイクルレベルモデルの不要論理を削除する。 （もっと読む）

【課題】空間設計や情報システム開発がそれぞれ依存し合った関係であるため、互いを意識しながら設計／開発する必要がある。
【解決手段】本発明は、刺激オブジェクトと行動オブジェクトから、確認時点での相互影響の有無及び内容を判定し、プログラム設計開発環境において、刺激オブジェクトと行動オブジェクトの位置座標と、空間影響判定によって得られた空間内の状況を、表示装置に表示することで、実空間と情報システムを並列的に設計・開発することで、実空間と情報システムの統合的な設計・開発を実現する。 （もっと読む）

【課題】マージンの削減を行い、クロストーク発生箇所を適切に検出して、ＴＡＴを削減すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る設計装置１０は、遅延計算部１１、クロストーク計算部１２、リソグラフィシミュレーション部１３を備える。遅延計算部１１は、第１パス及び第２パスをそれぞれ伝搬する信号の遅延値の最大値及び最小値を計算する。リソグラフィシミュレーション部１３は、前記第１パス及び前記第２パスの露光後の配線形状を予測するリソグラフィシミュレーションを実行する。遅延計算部１１は、リソグラフィシミュレーションの結果に基づいて、第１パス及び第２パスをそれぞれ伝搬する信号の遅延値の最大値及び最小値を修正する。クロストーク計算部１２は、修正された、第１パス及び第２パスをそれぞれ伝搬する信号の遅延値の最大値及び最小値を用いて、第１パスと第２パスについてのクロストーク計算を行う。 （もっと読む）

【課題】タグアンテナの通信性能を正確に評価するためのアンテナ特性の算出方法、算出プログラム、および算出装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置１００は、ＣＰＵ１２０と、メモリ１２２と、ハードディスク１２４とを備える。ハードディスク１２４は、アンテナ評価プログラム１６０、解析条件２７０および解析モデル２８０を格納する。解析モデル２８０は、リーダライタアンテナの形状を模した解析モデルであるリーダライタモデル２８２と、タグアンテナを搭載した携帯電話の形状を模した解析モデルであるタグモデル２８４とを含む。ＣＰＵ１２０は、アンテナ評価プログラム１６０を実行し、解析条件２７０および解析モデル２８０に基づいて、複数のリーダライタ共振周波数と、複数のタグ共振周波数と、複数のタグ負荷値との組み合わせについて、アンテナ間の結合特性を求める。ＣＰＵ１２０は、タグ負荷値を変更したときに結合特性が変化しないタグ共振周波数を複数のリーダライタ共振周波数について抽出する。 （もっと読む）

【課題】素子の配置位置に応じた素子特性のばらつきを正確かつ容易に回路シミュレーションする回路シミュレーション方法を得ること。
【解決手段】回路シミュレーション装置１は、集積回路の回路設計時に用いられる素子のシンボルを格納するシンボルライブラリ１１と、ＳＰＩＣＥモデルを記憶するＳＰＩＣＥモデル記憶部１３と、を有するとともに、素子のシンボルに素子の配置位置に関する位置情報を設定し、素子の位置情報に対応する変数が設定されたＳＰＩＣＥモデルのモデルパラメータと、シンボルに設定された位置情報と、を用いて集積回路の回路シミュレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】電源電圧制御を考慮した回路要素の経時劣化量を正確且つ短時間で推定できる新規な半導体集積回路の設計方法を提案する。
【解決手段】半導体集積回路の電源電圧制御条件を設定した後、前記電源電圧制御条件に従って前記半導体集積回路を使用した場合における前記半導体集積回路の回路要素の劣化量を推定する。その後、前記回路要素の劣化量に基づいて、劣化後の前記回路要素の特性を設定し、当該特性を用いて回路シミュレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】理想的な光学特性を持つプラスチック製の光学レンズを、従来のような試行錯誤を繰り返すことなく効率よく製造することができる方法を提供する。
【解決手段】光学設計値に基づいて成形された光学レンズの光学特性を測定し（第1工程）、成形された光学レンズの補正予定面の初期形状を測定し（第2工程）、測定された初期形状を含む形状を用いてシミュレーションにより初期形状の影響を含む光学特性を取得し（第3工程）、測定された光学特性と第３工程において取得された光学特性との差から、補正予定面の初期形状以外の要因に基づく光学特性値のずれ量を取得し（第4工程）、取得した光学特性値のずれ量を光学設計式に反映させて補正された光学特性を取得し（第５工程）、第５工程において取得した補正された光学特性に対応する補正面の補正形状を取得し（第6工程）と、取得した補正形状を持つ鏡面駒を加工し、光学レンズを成形する。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションシステムにおいて、シミュレーション時間を低減し、開発期間短縮、開発効率の向上を実現する。
【解決手段】トランザクションレベルで記述されたモジュールのシミュレーションシステムにおいて、機能モジュールにおいて、リコンフィグレーション時に必要なリコンフィグレーションデータの転送を行うかわりに、リコンフィグレーションに要するバスの帯域確保要求を行い（ステップＳ２０５）、バスモジュールにおいて、前記リコンフィグレーション処理が可能な機能モジュールから帯域確保要求を受け取って、バス帯域確保を行うようにするようにする。 （もっと読む）

【課題】回路の内部構成が不明なカスタムマクロ回路であっても、効率的かつ高精度にリーク電流分布を検証可能にすること。
【解決手段】リーク電流分布検証支援装置１００では、カスタムマクロ回路全体のリーク電流のばらつきを表す演算式（以下、「リーク電流モデル」という）を構成する。つぎに構成した回路全体のリーク電流モデルから回路内の各セルについて、セルごとのばらつきの独立性を考慮したリーク電流モデルを構成する。最後に、構成した各セルのリーク電流モデルを用いてマクロ全体のリーク電流分布を計算することによって、従来では、多大な処理時間を要したカスタムマクロ回路のリーク電流分布を効率的かつ高精度に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】電力管理回路を備える回路のための高速シミュレーション方法を提供する。
【解決手段】本発明の高速シミュレーション手法は、集積回路の電力供給モジュールの出力ノードを理想電力ノードとして指定し、電力供給モジュールをファンインブロックに指定し、電力ノードに接続された全ブロックをファンアウトブロックに指定する。集積回路のＤＣを初期化し、各時間ステップにて過渡的なシミュレーションを実施する間に、ファンアウトブロックの相互関係を決定し、各ファンアウトブロックのセンシティビティモデルを計算する。電力ノードは理想電力ノードとして指定されるため、各ファンアウトブロックのセンシティビティモデルの結果を電力ノードの総負荷に非同期的に追加できる。総負荷をファンインブロックのために計算された行列にロードし、シミュレーション波形ポイントを出力する。 （もっと読む）

【課題】モデルの特性のたわみが無くなるようなモデルパラメータの抽出を実行する。
【解決手段】ビンニング処理を実行するビンニング処理部（１８）と、ビンニング処理によって構成される複数のビンに対応してモデルパラメータを抽出するモデルパラメータ抽出部（１１）とを具備するモデルパラメータ抽出装置（１）を構成する。モデルパラメータ抽出部（１１）は、対象ビンの第１端部（Ａ）に対応する第１モデルパラメータ（Ｐ２Ａ）を抽出する。そして、対象ビンの第２端部（Ｂ）に対応する第２モデルパラメータ（Ｐ２Ｂ）の候補（Ｐ２Ｂ’）を、第１モデルパラメータ（Ｐ２Ａ）に基づいて設定する。第１モデルパラメータ（Ｐ２Ａ）と第２モデルパラメータの候補（Ｐ２Ｂ’）とに基づいて半導体デバイスの電気的特性を示す有限曲線の始点側傾斜と終点側傾斜とを特定し、それらの比較結果に基づいて、第２モデルパラメータ（Ｐ２Ｂ）を抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体のレイアウトパターンのシミュレーションモデルの精度を適切に検証する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置のパターンの設計データに基づいて、複数のリソグラフィシミュレーションモデルを用いたシミュレーションを実行することにより複数のシミュレーションパターンを生成する。半導体装置のパターンに対して、２以上の指定領域と、それらの指定領域の各々に対して互いに異なる重みとを指定する。複数のシミュレーションパターンの各々について半導体装置の実パターンとのずれの重み付け平均値を算出する。 （もっと読む）

【課題】標準回路モデル自体を修正せずに、実質的に標準回路モデルから特定の回路要素を除いた部分回路モデルを生成して回路シミュレーションを行う。
【解決手段】少なくとも２つの外部端子を有する標準回路モデルであって、標準回路モデルの内部において、２端子間に他の回路要素と並列に接続された特定の回路要素を含んでいるとみなせる標準回路モデルを用いた回路シミュレーション方法であって、標準回路モデルを含む回路について回路シミュレーションを行い２端子間に印加される端子間電圧を求めるステップと、特定の回路要素単体で回路シミュレーションを行い２端子間に上記端子間電圧を印加したときに特定の回路要素に流れる特定電流を求めるステップと、特定電流と絶対値が同一で流れる方向が逆である電流源回路モデルを生成し、２端子間に標準回路モデルと並列に電流源回路モデルを接続した部分回路モデルを生成するステップと、部分回路モデルを用いて回路シミュレーションするステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】シミュレーション結果に基づいて不良部分を検出する手法を用いた場合であっても、端子の位置を固定したまま配置配線データの修正を可能とする。
【解決手段】プリミティブセル群と前記プリミティブセル群に接続される接続配線との位置を示す配置配線データに基づいて、マスクに描かれるマスクパターンを示すマスクデータを取得し、前記マスクデータに基づいて前記マスクパターンの位置を検証し、エラー部分を検出する検証手段と、前記エラー部分に基づいて修正ヒント情報を生成し、前記配置配線データを修正する配置配線手段に対して前記修正ヒント情報を通知する修正ヒント作成手段とを具備し、前記修正ヒント作成手段は、前記プリミティブセル群に含まれる端子群の位置を示す端子情報を取得し、前記端子情報に基づいて、前記端子の位置が前記配置配線手段により変更されないように、前記修正ヒント情報を生成する。 （もっと読む）