【課題】検証の対象のＣＭＯＳ型半導体論理回路がカスコード接続された複数のＭＯＳ素子を含む構成であったとしても、各ＭＯＳ素子の耐圧検証を常に正しく判定する。
【解決手段】ＣＭＯＳ型半導体論理回路をインバータ単位の複数の分離回路に分離し、さらに、各分離回路の内部にフローティングノードが存在する場合に、フローティングノードの存在形態に応じて、各分離回路に含まれている各ＭＯＳ素子の接続関係を部分的に変更する回路接続変更部１２０と、各分離回路に含まれている各ＭＯＳ素子をＯＦＦ状態の素子として機能する高抵抗素子またはＯＮ状態の素子として機能する低抵抗素子に置き換える抵抗置換部１２５と、各分離回路に含まれている各高抵抗素子及び各低抵抗素子の定常状態時の電圧降下量を算出する定常解析部１４０と、各高抵抗素子の定常状態時の電圧降下量と素子基準耐圧とを比較して、各高抵抗素子の電圧降下量が素子基準耐圧よりも大きいか否かを判定する素子耐圧検証部１４５とを有する。 （もっと読む）

【課題】眼鏡フレームを短時間で変更でき、それぞれの眼鏡フレームによるレンズの見え方を容易に比較することができるシミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーションプログラムを記録した記録媒体を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置１の画像処理手段１６７は、画像データにレンズ画像データを重畳させる第１重畳工程と、第１重畳部分に画像処理を施して中間画像データとする画像処理工程と、中間画像データにフレーム画像データを重畳させる第２重畳工程と、中間画像データとフレーム画像データとが重畳する第２重畳部分を抜き出す抜出工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】被加工素材の加工後のイメージを確認するためのデザインシステムを提供する。
【解決手段】第１の通信装置１は、原稿データ取得手段（Ｓ１０１）と、立体形状データ取得手段（Ｓ１０２）と、原稿データと立体形状データとを第２の通信装置に送信するための第１の送信手段（Ｓ１０６）とを備える。第２の通信装置２は、原稿データに基づいて、デザインデータを取得するためのデザインデータ取得手段（Ｓ２０３）と、立体形状データに基づいて、被加工素材の全部又は一部の立体形状を示す三次元データを取得するための三次元データ取得手段（Ｓ２０４）と、デザインを施したい領域を、三次元データ上に指定するための加工領域指定手段（Ｓ２０６）と、デザインデータを、テクスチャマッピングしてレンダリングするためのレンダリング手段（Ｓ２０８）と、得られた二次元画像を第１の通信装置１に送信するための第２の送信手段（Ｓ２０９）とを備える。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ効果的に解析点数を削減することにより、融合シミュレーションの高精度化および高速化を図ること。
【解決手段】実行間隔Δｔが固定あるいは可変の第１の解析処理と、実行間隔ΔＴが可変の第２の解析処理とを連携したシミュレーションの実行時に、現在の解析時刻ｔ_iにおける第１の解析処理の解析結果Ｉ_iと、第２の解析処理の一実行間隔前の解析時刻Ｔ_j-1における第１の解析処理の解析結果Ｉ_i―₂とに基づいて、現在の解析時刻ｔ_iにおける第２の解析処理の実行の要否を判定し、判定された判定結果に基づいて、現在の解析時刻ｔ_iにおける第２の解析処理の実行を制御する。これにより、本来不要である解析時刻における第２の解析処理を削減する。 （もっと読む）

【課題】半導体設計のセルの遅延解析を精度良く且つ高速に行うことのできる遅延解析システムを提供する。
【解決手段】セル遅延モデル生成手段１０３は、セルを、そのセルの入力波形が所定レベルに達した時点からt₀時間の経過後に遷移を開始し且つ遷移を開始した時点からt_r時間の経過後に遷移を終了する仮想入力波形を生成する仮想電源と、仮想入力波形が印加される内部抵抗R_dと内部容量C_dとの直列回路とで近似したセル遅延モデル１０４を生成する。遅延計算手段１０６は、セル遅延モデル１０４を使用して、回路データ１０５中のセルの出力端子を１以上含むネットワークの信号伝達遅延を計算する。 （もっと読む）

【課題】確実に検証を行うことが可能な機能モデルを生成でき機能性の等価性検証を短時間で行うことを可能にする。
【解決手段】入力ポート判定部２ｂは、ポート型が予め定義された機能モデルについてポートのアナログ／デジタル種別をポート型の記述に基づいて判定する。入力ベクタ生成部２は、アナログ／デジタル種別の判定結果、および、予めベクタライブラリ２ａに記憶されたベクタデータに基づいて入力ベクタデータを生成する。また、入力ベクタ生成部２は、ベクタデータに一意に設けられた入力制約データ、および、入力ベクタデータに基づいて機能モデルＡ２のポートに対する入力制約記述を生成する。入力制約付き機能モデル生成部３は、機能モデルのポート型の記述に前記生成された入力制約記述を合成することで検証用機能モデルを生成する。 （もっと読む）

【課題】サスペンションの挙動を簡易にシミュレーションする技術を提供する。
【解決手段】タイヤの挙動シミュレーション装置において、ストローク量設定部は、車両のサスペンションを構成する各部品の挙動解析用モデルを用いて挙動解析を実行する際に左右のタイヤを同位相で動かすストローク量を設定する。解析実行部２８は、設定されたストローク量の範囲で左右のタイヤを同位相に動かした場合の挙動解析を実行する。タイヤ接地点荷重算出部２９は、挙動解析の結果に基づいて設定されたストローク量の範囲におけるフルバウンド時のタイヤ接地点荷重およびフルリバウンド時のタイヤ接地点荷重を算出する。解析実行部２８は、作成されたモデルを用いて、左右のタイヤの一方にフルバウンド時のタイヤ接地点荷重を負荷し、左右のタイヤの他方にフルリバウンド時のタイヤ接地点荷重を負荷した場合のタイヤの挙動解析を実行する。 （もっと読む）

【課題】二重反射を防止でき得る反射部材および集光部材を容易に設計でき得る設計支援装置を提供する。
【解決手段】設計支援装置は、二重反射を生じさせる光線経路を示す二重反射光線データの算出機能を備えている。二重反射光線データを算出する場合、設計支援装置は、車室内に配置される反射部材（メータ表ガラス３０）および当該反射部材の周囲に配される集光部材３２、および、フロントガラス３４のＣＡＤデータを読み込む。また、記憶部に記憶されているデータに基づいて視点Ｅおよびチェック点Ｃの座標値を算出する。そして、各視点Ｅおよび各チェック点Ｃごとに、二次反射光線Ｒｅｆ_２、一次反射光線Ｒｅｆ_１、入射光線Ｌｉｎを二重反射光線データとして算出する。 （もっと読む）

【課題】電磁部品の挙動を詳細かつ正確にシミュレーションすることが可能なインダクタンステーブルを短時間で作成することができるインダクタンステーブル作成方法を提供する。
【解決手段】複数のコイルを有する電磁部品の形状及び電磁特性を表した解析モデルに基づいて、該複数のコイルの自己インダクタンス及び相互インダクタンスを含むインダクタンステーブルを作成するインダクタンステーブル作成方法であって、前記解析モデルに基づいて、一のコイルにのみ電流を流した状態における各コイルの鎖交磁束を算出し、算出された鎖交磁束及び前記一のコイルに流した電流に基づいて、各コイルの自己インダクタンス及び相互インダクタンスを算出する。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＤデータの変更を伴わない軽い作業負荷によりバイパスコンデンサを追加したシミュレーションを実行可能とするとともに、そのシミュレーションにおいて精度の高い解析結果を得ることを可能とした基板モデル作成プログラムを提供することである。
【解決手段】提案する基板モデル作成プログラムによれば、ＬＳＩ部品１８４のピンとビア１８６、１８７との間に設けられたバイパスコンデンサ１８５の近くに新たなバイパスコンデンサ１８８を追加した場合のシミュレーションを、バイパスコンデンサ特性のモデルを追加し、配線部分のエレメントの特性値に乗算または除算する係数パラメータの値を変更するだけで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】プロトコルや相互接続アーキテクチャなどのアーキテクチャの効率的な検証カバレッジを確実にする方法及び装置を本明細書及び特許請求の範囲に記載している。
【解決手段】アーキテクチャの状態のカバレッジ空間を生成し、データベースに格納する。シミュレーション中、遭遇される、カバレッジ空間の状態がマーキングされる。これから、遭遇される状態、及び遭遇されない状態を判定することができる。遭遇されない状態に基づいて、先行シミュレーション中に遭遇されなかった状態の少なくとも一部を標的化するための標的化検査スイートが策定される。シミュレーション中に遭遇されないカバレッジ空間の状態に基づいた検査スイートの精緻化への、シミュレーションからの前述の帰還ループは、カバレッジ空間の十分な検証（すなわち、検証の十分な信頼度）が達成されるまで再帰的に反復することができる。 （もっと読む）

【課題】十分に滑らかで高精度で、且つ複雑形状の金型を得る。
【解決手段】成形品モデル１０に基づいて、ＦＥＭ解析用の基礎メッシュモデル１２を作成する。基礎メッシュモデル１２に基づいて、皺・亀裂メッシュモデル１４及びスプリングフォワードメッシュモデル１６を求める。皺・亀裂メッシュモデル１４とスプリングフォワードメッシュモデル１６における対応する複数のメッシュ節点間の解析メッシュ節点間ベクトル２９を求める（Ｓ１０３）。成形品モデル１０の表面２０における基準点４４に、対応する解析メッシュ節点間ベクトル２９の一端をシフトして、第１ベクトル３０を求める。第１ベクトル３０の先端点を節点とするメッシュで構成される第１補助面３４を作成する（Ｓ１０５）。第１補助面３４の各メッシュの中心点を節点とするメッシュで構成される第２補助面４０を作成する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑え、かつ消費電力低減効果が大きい論理回路を設計できる高位合成装置を提供する。
【解決手段】データフロー解析及びスケジューリングを行い、動作記述からデータフローグラフを生成するスケジューリング部１１１と、前記データフローグラフからレジスタに割り当てられるポイントを抽出し、このポイントを示すレジスタ情報１０３を出力し、所定のシミュレーションによる前記ポイントの変数データ代入回数又は保持データ遷移回数の少なくともいずれか一方の情報が含まれる動的解析データ１０４が与えられるスケジューリング結果入出力部１１２と、前記動的解析データを参照して、前記動作記述に対して回路素子を割り付けるアロケーション部１１３と、前記アロケーション部による回路素子の割り付けに基づいて前記論理回路を生成するＲＴＬ記述生成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】設計の初期段階において、プロセッサの消費電力を高速に見積もること。
【解決手段】仮想プロセッサ向けの命令レベルシミュレータを利用して対象アプリを動作させる。そして、対象アプリの動作時に実行される各命令の実行順序を表わす命令シーケンスＳ１を取得する。このあと、ターゲットプロセッサのアーキテクチャ情報Ａに基づいて、仮想プロセッサの命令シーケンスＳ１をターゲットプロセッサの命令シーケンスＳ２に変更する。そして、その命令シーケンスＳ２に基づいて、変更後の各命令の実行時に消費される消費電力をモジュールごとに見積もる。 （もっと読む）

【課題】収束までに要するニュートン反復法の反復回数を減らすこと。
【解決手段】回路シミュレーションシステムは、回路データ、解析条件データ、及び出力データを格納する格納手段と、前記回路データと前記解析条件データを前記格納手段から読み出し、求解処理のための初期値と収束条件を設定する初期値設定手段と、前記回路データに基づいて電圧変数と電流変数の各々に対して回路方程式を生成し、前記初期値を用いて前記求解処理を実行して解を求める処理手段と、前記電圧変数に関してのみ前記解が前記収束条件を満たすか否かの収束判定を行う収束判定手段と、前記収束条件を満たすと判定されたとき、前記解を前記出力データ内に格納する出力手段と、前記収束条件を満たさないと判定されたとき、前記解を前記初期値として前記求解処理を実行して解を求めるように前記処理手段を制御する反復制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】シミュレーション・モデル内のオブジェクトを管理する好適な方法を提供すること。
【解決手段】シミュレーション・モデル内のオブジェクトを管理する方法であり、シミュレーション・モデルのオブジェクト内の特定のパラメータの第１の値を格納することから開始する。次いで、パネルがユーザ・インタフェース内に表示される。次いで、上記で識別されたオブジェクトの関連パラメータを、このパネルに含めるために識別することができる。パラメータの識別に応答して、パラメータに関連付けられた識別子（アイコンなど）がパネル内に表示される。次いで、オブジェクトの関連パラメータの第２の値を、ユーザがパネルを介して入力することができる。次いで、パラメータの第２の値がパラメータの第１の値とは別々に格納され、これらの第１および第２の値を選択的にパラメータに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】車両の変速レバー１１等、操作部材の設計を支援する装置Ａにおいて、乗員の腕部等についても考慮した検証を簡単な操作で実現できるようにする。
【解決手段】変速レバー１１、ＰＢレバー１２等の操作部材のＣＡＤデータをその種類毎に複数、データベースに記憶させるとともに、模擬演算に使用する所定情報も含めておき、ユーザがそれを選択するだけで、変速レバー１１等が操作される様子を模擬する演算が行われて、乗員の腕部モデル２０と共に画像表示されるようにする。この画像表示を見たユーザは、変速レバー１１等だけでなく腕部の姿勢も考慮した操作性の事前検証を簡単な操作で実現できる。 （もっと読む）

【課題】双方向ＭＯＳとしてのモデルを実現可能とし、高耐圧ＭＯＳのシミュレーション精度を向上する。
【解決手段】高耐圧ＭＯＳＦＥＴのシミュレーションを行うためのマクロモデルとして、ＮＭＯＳＦＥＴのドレイン側とソース側に第１、第２のＪＦＥＴ（ＪＮ１、ＪＮ２）をそれぞれ付加し、第１のＪＦＥＴ（Ｊ１）のゲートに第１のダイオード（Ｄ１）の一端を接続し、第１のダイオード（Ｄ１）の他端を、前記ＮＭＯＳＦＥＴのソースに接続し、第２のＪＦＥＴ（Ｊ２）のゲートに第２ダイオード（Ｄ２）の一端を接続し、第２のダイオード（Ｄ２）の他端を前記ＮＭＯＳＦＥＴのドレインに接続してなるマクロモデルを用いてシミュレーションを行う。 （もっと読む）

【構成】 ニットガーメントのデザインの特定箇所に所定形状のパーツを追加したデータを作成し、このデータをモデルが着装した状態の３Ｄシミュレーション画像を作成する。デザインの特定箇所が変更されると、デザインの変更部に対して、モデルの着装前のニットガーメントの画像を作成し、作成したニットガーメントの画像を３Ｄシミュレーション画像上にマッピングする。
【効果】 ニットガーメントのデザインが変更されると、変更後のデザインを短時間でシミュレーションできる。 （もっと読む）

【課題】最適設計の計算の高速化を可能とし、また、利用者の熟練度によらずに最適設計を行うことを可能とすることにより、計算機資源を有効に活用することのできる技術を提供する。
【解決手段】装置性能値算出手段は、モンテカルロシミュレーションを行って真試行数と偽試行数を得て、真試行数と偽試行数から装置性能値を算出する。確率値計算手段は、装置性能算出手段によりｉ番目の設計例に対してモンテカルロシミュレーションを行って得た装置性能値がｉ−１番目までの設計例に対してモンテカルロシミュレーションを行って得た最良の装置性能値より良くなる確率値を、ｉ番目の真試行数と偽試行数をもとに二項分布を用いて計算する。判定手段、確率値計算手段で計算された確率値が所定のしきい値未満の場合、装置性能値算出手段によるモンテカルロシミュレーションを中断し、確率値が所定のしきい値以上の場合、装置性能値算出手段によるモンテカルロシミュレーションを続行する。 （もっと読む）