【課題】 欠陥画素を補正する画素補正値の精度を一層向上させる。
【解決手段】 方向判別部１０１は、欠陥画素からどの方向に位置する画素を欠陥画素の信号レベルの算出に用いるかを判別する。信号レベル比算出部１０２は、欠陥画素に隣接する欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、欠陥画素から方向判別部１０１で判別された方向に位置する欠陥画素と同色の画素、に隣接する欠陥画素と異なる色の画素の信号レベル、との比を求める。第１補正処理部１０３は、欠陥画素の信号レベルの算出に用いる画素の信号レベルの平均値に、信号レベル比算出部１０２で算出した比を乗じた値を、欠陥画素の信号レベルとして出力する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流の抑制や受光部の入射光量の増大により、得られる画像データ画質を改善した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１は、半導体から成る基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電荷を蓄積する基板とは逆の導電型の半導体から成る受光部１１と、基板１０上に設けられる絶縁層１２と、絶縁層１２上に設けられ受光部１１が蓄積する電荷と同じ極性の固定電荷を有する固定電荷層１３と、固定電荷層１３上に設けられる反射防止層１４と、基板１０中の受光部１１と隣接する位置に設けられ受光部１１から読み出された電荷が一時的に蓄積される電荷転送部１５と、少なくとも電荷転送部１５の直上に設けられる転送電極１６と、を備える。反射防止層１４は、受光部１１の直上の領域内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減し安定した電圧を発生することが可能な電源安定化回路を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのバイアス電圧生成回路１３は、参照電圧と非安定電圧から生成されたバイアス電圧に応じた信号を比較し、バイアス電圧を生成する。少なくとも１つの電圧供給回路１４は、機能回路２２の近傍に配置され、配線２３により機能回路に接続され、バイアス電圧生成回路から供給されるバイアス電圧に基づき、非安定電圧を安定化して機能回路に供給する。 （もっと読む）

【課題】発光装置を用いて被写体像を撮影する際に、一度のプリ発光で適正な本発光量を決定することを可能にした撮像装置を提供する。
【解決手段】撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換して電荷蓄積を行う撮像素子と、撮像素子がエリアごとに異なる蓄積時間で電荷蓄積を行うように制御する制御手段と、撮影画面内のエリアごとに被写体までの距離に関する情報を取得する取得手段と、発光装置をプリ発光させて撮像素子で電荷蓄積を行った結果に基づいて、発光装置の本発光量を決定する決定手段と、を備え、制御手段は、取得手段により取得した情報に基づく撮影画面内のエリアごとの被写体までの距離に基づいて、プリ発光時の撮像素子のエリアごとの蓄積時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】読み出しモードに応じて高精度にしかも効率の良い撮影を実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素部の一つの画素が、光感度または電荷の蓄積量の異なる領域に分割された複数の分割画素を含み、画素信号読み出し部は、画素の各分割画素の分割画素信号を読み出す読み出しモードとして、行ごとに順次に読み出す通常読み出しモードと、複数行で同時並列的に読み出す複数読み出しモードと、を含み、複数読み出しモードでは、同時並列的に読み出す画素数倍に相当する速度で読み出しを行い、読み出しモードの変化に合わせフレームの構成を変更する機能を含み、ＡＤ変換部は、読み出しモードに応じて、上記読み出した各分割画素信号をＡＤ変換しかつ加算して一つの画素の画素信号を得る。 （もっと読む）

【課題】 受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できるようにする。
【解決手段】 イメージセンサは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、イメージセンサが光量計測に用いられる場合、有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。本技術は、光量計測に用いられるイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】より多様なデータ出力を実現することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像装置は、行列状に構成される複数の画素のそれぞれにおいて入射された被写体の光を光電変換素子により光電変換する画素アレイと、その画素アレイの各画素の画素信号を出力するA/D変換部の数を選択する選択部と、前記選択部を制御し、要求に応じた数の前記A/D変換部を選択させる制御部とを備える。本開示は撮像素子、制御方法、並びに、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光学系の焦点検出を適切に行なうことができる焦点検出装置を提供する。
【解決手段】光学系３１，３２，３３による像面のずれ量に対応する像ずれ信号を取得し、複数のフィルタのうち、像ずれ信号に適した周波数帯域を検出可能なフィルタを選択し、像ずれ信号をフィルタ処理することにより得られたフィルタ処理信号に基づいて、ずれ量を検出する位相差検出部と、光学系３１，３２，３３による像のコントラストから光学系３１，３２，３３の焦点状態を検出するコントラスト検出部と、選択されたフィルタの検出可能な周波数帯域が、撮影シーンに対応する特定周波数帯域と異なる周波数帯域であるか否かの判定を行ない、選択されたフィルタの周波数帯域が、特定周波数帯域と異なる周波数帯域である場合には、焦点調節光学系３２を所定の方向に駆動させながら、位相差検出部およびコントラスト検出部にスキャン駆動を実行する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フレームメモリなど部品点数やチップサイズの増大を抑え、かつ被写体画像の影響を軽減してフリッカノイズを効果的に検出できてフリッカ判定を精度よく行う。
【解決手段】複数の撮像素子の各画像信号からフリッカの発生を検出するフリッカ検出装置１において、同時に撮影された二つの画像信号を画像処理してフリッカ成分以外の画像情報を排除する画像処理手段３と、フリッカ成分以外の画像情報排除処理後の画像信号からフリッカ情報を抽出するフリッカ検出手段４とを有している。 （もっと読む）

【課題】より適切にクランプ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の信号処理装置は、撮像素子の有効画素領域外に設けられたOPB領域の、互いに異なる位置の画素値を用いて、前記有効画素領域の画素値の黒レベルを補正するOPBレベルの候補を複数決定する決定部と、前記決定部により決定された複数の前記候補の比較を行う比較部と、前記比較部による複数の前記候補の比較結果に基づいて、前記候補のいずれかを前記OPBレベルとして選択する選択部とを備える。本開示は信号処理装置および方法、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールのさらなる低背化を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体素子１２０が搭載された第１の素子搭載用基板１１０にはんだボール２７０を介してレンズ２９０およびチップ部品２２０が搭載された第２の素子搭載用基板２１０が積層されている。第２の素子搭載用基板２１０に、半導体素子１２０の設置領域に対応して開口部３００が設けられている。開口部３００に透明部材３１０が嵌め込まれており、透明部材３１０の外周は、開口部３００に露出する第２の素子搭載用基板２１０の内壁に接着剤３２０により固着されている。 （もっと読む）

【課題】正確にＡＤ変換処理を行うことができるようにする。
【解決手段】 画素から得られるアナログの画素信号のレベルをデジタルデータに変換するための参照信号であって、第１のゲインの参照信号と、第１のゲインと異なる第２のゲインの参照信号を、画素リセットレベル読み出し時と画素データレベル読み出し時に生成し、アナログの画素信号のレベルと参照信号とを比較し、比較処理と並行してカウント処理を行ない、第１のゲインの参照信号または第２のゲインの参照信号の比較処理が完了した時点のカウント値をデジタルデータとして取得する。 （もっと読む）

【課題】ＡＤ変換の処理時間を短くすることができるようにする。
【解決手段】 画素から得られるアナログの画素信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号であって、第１のゲインの参照信号と、第１のゲインと異なる第２のゲインの参照信号が画素データレベル読み出し時に生成され、アナログの画素信号のレベルと参照信号とが比較され、比較処理と並行してカウント処理が行なわれ、第１のゲインの参照信号との比較処理が完了した時点の第１のカウント値がディジタルデータとして取得され、第１のカウント値が予め設定されている閾値に達していない場合、第２のゲインの参照信号との比較処理が完了した時点の第２のカウント値がディジタルデータとして取得される。 （もっと読む）

【課題】コストの高い画素密度が高い撮像素子を可及的に用いず、解像度の高い画像を得る撮像装置及び撮像方法を提供する。
【解決手段】第１〜第３の撮像素子２１ａ〜２１ｃを備えた撮像装置１０を用いて被写体５を撮像する。駆動部３によって、第１の撮像素子２１ａを、第２、第３の撮像素子２１ｂ、２１ｃが画素情報を取得する１画素より小さい単位ずつずらした複数の撮像位置に移動させ、記憶部７によって、第１の撮像素子２１ａが駆動部３によって撮像位置に移動するごとに第１〜第３の撮像素子２１ａ〜２１ｃの撮像によって得られる撮像情報を取得し、制御部４によって、記憶部７によって撮像位置ごとに取得した撮像情報の違いに基づき、被写体５の画素情報を１画素より小さい単位で算出し、記憶部７によって、制御部４によって算出された画素情報を被写体５の位置と対応付けて画像情報として記憶する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型の撮像素子において、画素の受光面積を確保しつつ、画質の低下を抑制する。
【解決手段】光を電荷に変換する光電変換部と、変換された電荷をフローティングディフュージョン部に転送するための転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部の電位に基づく信号を信号線に出力するためのソースフォロワアンプと、フローティングディフュージョン部の電位をリセットするためのリセットトランジスタとをひとつの単位構造とし、複数の単位構造が行方向と列方向の２次元状に配置された撮像素子であって、複数の単位構造を複数の組に分け、分けられた組ごとに転送トランジスタを制御する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長４００ｎｍ〜５５０ｎｍの光に対する透過率が５％以下、分光透過率特性における５０％透過率の波長範囲が６２０ｎｍ〜６９０ｎｍ、波長７００ｎｍの光に対する透過率が７０％以上。補正フィルタが、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタのサイズを変えることなく、ノイズの低減が図られた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、そのＭＯＳトランジスタを備えることにより、ノイズの低減が図られた固体撮像装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】埋め込みチャネル型のＭＯＳトランジスタにおいて、素子分離部２４側に接する領域に、斜め方向からのイオン注入により形成した第１の不純物拡散領域１４ａと、ゲート電極２６下の領域全面に形成した第２の不純物拡散領域１４ｂとによりチャネル領域１４を構成する。第１の不純物拡散領域１４ａの形成により、チャネル領域１４の素子分離部２４側で発生する不純物濃度の低下分を補填でき、実効ゲート幅の拡大が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子を製造するために適用した場合、製造後の固体撮像素子に終点検出部が残存せず、半導体素子部への拡散等の問題もなく、高精度の薄膜化を実現することが可能な固体撮像素子用半導体基板を提供する。
【解決手段】 素子部形成領域となる表面側の表層部を残す裏面側からのバック加工が適用される固体撮像素子用半導体基板であって、
前記素子部形成領域となる表面側の表層部と、この表層部より裏面側方向内部に形成され、ＢＭＤ密度が１×１０¹⁰／ｃｍ³以上１×１０¹²／ｃｍ³以下の前記バック加工が適用される第１のバルク層と、この第１のバルク層より裏面側方向内部に形成され、前記第１のバルク層よりＢＭＤ密度が低く、その密度が１×１０⁹／ｃｍ³以上１×１０¹⁰／ｃｍ³以下の前記バック加工が適用される第２のバルク層とを備えることを特徴とする固体撮像素子用半導体基板。 （もっと読む）

【課題】分割画素を有する撮像素子において、画素分離領域の影響による撮像信号の感度低下や入射角特性の劣化等を発生させない構造を実現する。
【解決手段】マイクロレンズを共有する複数に分割された光電変換部を有する撮像素子において、それぞれの光電変換部の光入射側に、前記マイクロレンズに入射した光を前記それぞれの光電変換部に導くための光学手段を設けた。 （もっと読む）