【課題】 生成する画像中のノイズを抑制するとともに容易に製造することが可能な固体撮像素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 転送トランジスタ３は、ｐ型の基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電子を蓄積するｎ型の受光部２１と、基板１０中に形成される受光部２１よりもｎ型不純物の濃度が高いｎ型の浮遊拡散領域４と、基板１０上に設けられる絶縁層３１と、絶縁層３１上かつ少なくとも受光部２１及び浮遊拡散領域４の間に設けられるｎ型のゲート電極３２と、を備える。ゲート電極３２は、浮遊拡散領域４側ほどｎ型不純物の濃度が高く、受光部２１側ほどｎ型不純物の濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】動画撮影中またはライブビュー動作中にピントの合った静止画を撮影する。
【解決手段】焦点調節手段により測距、演算および駆動とを繰り返し実行させながら、画像生成手段により記録用動画を生成させる動画撮影モード、または画像生成手段により表示用画像を生成させるライブビューモードを実行する制御手段とを備え、制御手段は、動画撮影モードまたはライブビューモードの実行中であって、焦点調節手段による演算または駆動の実行中に静止画撮影操作がなされた場合には、焦点調節手段により測距、演算および駆動を実行させた後に画像生成手段により静止画を生成させる。 （もっと読む）

【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】被写体の撮像と並行して、Ａ／Ｄ変換器に供給されるカウント信号の検査を行うことができる光電変換システムを提供することを課題とする。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素と、ランプ信号を生成する参照信号生成部と、列毎に配置され、画素からの信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器と、ランプ信号の出力に合わせてカウント動作を行い、カウント信号をカウント信号線を介してＡ／Ｄ変換器に供給するカウンタと、Ａ／Ｄ変換器とは独立して設けられ、カウント信号の期待値とカウント信号線を介して供給されるカウンタからのカウント信号とを照合することによりカウンタの検査を行うカウンタ検査回路を備え、被写体の撮像と並行に、カウント信号の検査を行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子間の分離構造を適切なものとすることにより、複数の光電変換素子の信号を用いて１つの信号とする場合に所望の信号を得ることを目的とする。
【解決手段】 光電変換ユニットに含まれる光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の間には第２導電型の第２半導体領域が配され、隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の間には第２導電型の第３半導体領域が配され、第２半導体領域の不純物濃度は、前記第３半導体領域の不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置において、デジタル回路間の電圧変動により生じるノイズを低減する。
【解決手段】 本発明の光電変換装置は、画素駆動部と、所定の信号処理を行うデジタル回路を有する信号処理部と、が同一半導体基板に配された光電変換装置であって、前記画素駆動部のデジタル回路には第１電圧と前記第１電圧と値の異なる第２電圧とが供給され、前記信号処理部のデジタル回路には第３電圧と前記第３電圧と値の異なる第４電圧とが供給され、前記画素駆動部のデジタル回路に第１電圧を供給する第１導電体の主たる部分と前記信号処理部のデジタル回路に第３電圧を供給する第２導電体の主たる部分とが分離されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】赤外線の受光感度および解像度を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１０は、半導体基板１３、反射体１７、および半田ボール２０、を具備する。半導体基板１３は、表面にフォトダイオードを含む感光領域を有し、その裏面は鏡面仕上げされている。反射体１７は、半導体基板１３の裏面上に形成されており、感光領域に入射された赤外線を反射する。半田ボール２０は、感光領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、複数の画素が形成された上面が窪むように湾曲したセンサ基板と、前記上面側に設けられた結像レンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成され、画素部１００毎に分離して形成され信号読み出し回路１０１と電気的に接続された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁層２０内に、複数の金属配線部分３２からなる金属配線層を少なくとも一層含む。光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層を含み、画素電極４０に最も近い金属配線層３２Ｔは、複数の画素電極４０下にはそれぞれ金属配線部分３２を有し、金属配線部分同士の間隙３２ｗが、画素電極同士の間隙Ｇ下に存在するように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】配線層における導体層の層数の削減をより有効に行うことができる裏面照射型CMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、複数の画素３１が配置される半導体基板５１と、複数本の配線が配設された複数層の導体層５８が絶縁膜５７に埋め込まれて構成される配線層５５とが積層されて構成される。そして、配線層５５では、画素３１により得られた画素信号を出力する配線、および、画素の駆動に必要な電力を供給する配線、画素を駆動するための駆動信号を供給する配線が、２層の導体層５８で形成される。 （もっと読む）

【課題】ランプ信号の生成に容量帰還型アンプを用いても、良好なＡＤ変換精度でＡＤ変換を行うことができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素と、列毎に配置され画素からの信号を増幅する増幅回路と、ランプ信号を生成する参照信号発生回路と、ランプ信号及び増幅回路からの出力を用いて、画素からの信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路とを備え、増幅回路が有する容量帰還型アンプ及び参照信号発生回路が有する容量帰還型アンプにて同じ構造の帰還容量を用い、かつ帰還容量と増幅器との接続関係を同じにするようにして、増幅回路及び参照信号発生回路のそれぞれの帰還容量のキャパシタンスの電圧依存性を等しくし、ＡＤ変換精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】異なる光感度をもつフォトダイオードを有する画像化アレイおよび関連する画像復元方法を提供する。
【解決手段】画素センサアレイは、第1の利得を有する複数の画素センサと、第1の利得よりも少ない第2の利得を有する複数の画素センサとを含み、第１の利得を有する画素の画素値が飽和するハイライト画素において、その近傍で利用可能な不飽和通常光感度画素の平均値または加重平均値とハイライト画素値との比として算出した補正値で補正する。 （もっと読む）

【課題】各マイクロレンズに対して複数の画素が割り当てられた構成を有する固体撮像装置における感度の向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置は、複数の画素集合が配列された画素アレイと、各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズとを備え、各画素集合は、複数の画素を含み、各画素は、光電変換部と当該画素における回路の一部を構成する配線パターンとを含み、前記光電変換部は、前記半導体基板に形成され、前記配線パターンは、前記半導体基板の前記第１面の側に配置され、前記複数のマイクロレンズは、前記半導体基板の前記第２面の側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第１のデータ信号及び第２のデータ信号が入力され、第１のデータ信号のデータと第２の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第１のデータ信号のデータみなすか第２のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 Ｓ／Ｎ比の向上ならびにダイナミックレンジを拡大することのできる撮像システムを提供することを目的とする。さらに、これに適した撮像システムの駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 行列状に配列された複数の画素と、複数の画素の各列に設けられた列増幅部と、列増幅部で増幅されたことに基づく画像信号を出力する出力部と、を有する固体撮像素子と、画像信号を受ける信号処理部と、を備える撮像システムにおいて、列増幅部は、画素から出力される一の信号を１よりも大きいｑ倍のゲインで増幅し、信号処理部はｑ倍のゲインで増幅されたことに基づく画像信号に対して、１を下回る倍率をかける。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出用画素の配置領域を撮像領域の一部領域に限定した場合に、焦点検出用画素の配置領域と非配置領域の境界で、焦点検出用画素の補間処理による画質劣化をより目立たなくすること。
【解決手段】 撮像画面を構成する画素領域において、光学系の異なる瞳領域を通った光束をそれぞれ独立に受光して得られた画像信号をそれぞれ出力することのできる複数の焦点検出用画素が、予め決められた第１の混入比率で混入された第１の領域と、前記第１の混入比率よりも低い第２の混入比率で前記焦点検出用画素が混入された第２の領域と、を有する撮像素子（１０７）と、前記第１の領域に含まれる前記焦点検出用画素から得られた画像信号を画像用に補間する補間パターンを用いて、前記第１の領域及び前記第２の領域から得られる画像信号を補間する画像処理回路（１２５）とを有する。 （もっと読む）