【課題】可視光以外の測定対象を測定する装置においても感度を向上させることが可能な電荷増加装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（電荷増加装置）は、可視光以外の測定対象（熱（赤外線））を信号源とするとともに信号源に対応する電子を供給する電荷供給部４５と、可視光以外の測定対象を測定することにより電荷供給部４５に蓄積された電子を増倍させるための電子増倍部１４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗による負帰還効果を抑制するとともに低ノイズかつ温度感度特性に優れた熱型赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出素子は、画素ダイオード101と、画素ダイオードの両端電圧を設定する電圧設定回路3000と、画素ダイオードの電流を読み取る電流読み取り回路1104と、参照ダイオード901と、参照ダイオードの両端電圧を設定する参照用電圧設定回路4007と、参照ダイオードの電流を読み取る参照用電流読み取り回路4008とを備える。電圧設定回路は、その出力端子が一端に接続された抵抗素子を有する。電流読み取り回路は画素ダイオードの電流と抵抗素子に流れる電流との差分電流を読み取る。参照用電圧設定回路は、参照ダイオードの電流を参照用電流読み取り回路に供給し、参照用電流読み取り回路の出力はバッファ回路を介して電圧設定回路内の抵抗素子の他端に接続される。 （もっと読む）

【課題】通常撮影と特殊撮影をほぼ同時に実施することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素部１００を有する固体撮像素１０であって、画素部１００が、光電変換部１１と、光電変換部１１で発生した電荷を選択的に蓄積可能なフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２とを含み、フローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２の各々に蓄積された電荷に応じた信号を独立に読み出す読み出し回路２０を備える。 （もっと読む）

【課題】カメラ製造時の感度特性取得試験を必要とせず、周辺環境に応じた感度補正データを、カメラがスタンドアロンにて取得可能とする赤外線カメラを提供することを目的とする。
【解決手段】素子駆動タイミング発生回路５内に、撮像素子２内の中空構造体上に形成された温度検知部２０への通電期間の異なる撮像用タイミング発生部６および感度データ取得用タイミング発生部７を設け、シャッタ２などの同一温度面の被写体を撮像した状態においてこれらのタイミングを切り替えることで、通電期間の違いから生じる自己発熱量差から中空構造体に温度差を生じさせ、感度特性を取得する。感度補正データ制御回路１３にて、取得した感度特性から感度補正データを算出することで、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】近赤外線に対する受光感度やダイナミックレンジを高めることを可能にして、車載用赤外線イメージセンサーに必要な高速性や、暗所監視イメージセンサーに求められる高感度化、高ダイナミックレンジ化を実現することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子１は、近赤外線ラインセンサー部２と近赤外線反射可動ミラー部３とからなる。近赤外線ラインセンサー部２は、ｐ型シリコン基板１１の上面１３側の一部にｎ型シリコン領域１２を形成してなるものであり、ｎ型シリコン領域１２は、ｐ型シリコン基板１１の側面１４側から入射する近赤外線の入射方向に沿って、その長さが数１０μｍ〜数１００μｍとなるように形成されている。シリコン層２４とシリコン基板２２との間にはミラー駆動用回路が形成され、ミラー駆動用電圧が印加されることにより、シリコン層２４の可動部２４ｂが斜め下方に傾く。 （もっと読む）

【課題】受光箇所によって撮像感度が異なるといった不具合を解消して安定した撮像を得ることができる赤外線撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に光吸収層１０およびシリコン層２０を積層して得た撮像デバイスチップ４０の厚さ分布を測定し、所望の厚さを超えている箇所が認められたら、その箇所のシリコン層２０の表面を研磨して厚さを減じる。この後、シリコン層２０の表面に多数のレンズ５０を有するレンズユニット５１を積層して撮像素子１を得る。レンズ５０の表面から光吸収層１０までの距離が一定となり、安定した撮像が得られる。 （もっと読む）

【課題】 長波長帯域の受光感度を電気的に制御可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 撮像部１０Ａは、ｐ型Ｓｉ基板の一表面を撮像面とする。そして、撮像部１０Ａは、このｐ型Ｓｉ基板の撮像面近傍に形成された第１のｎ型不純物層を各々含み、光電変換によりｐ型Ｓｉ基板内に生成され、第１のｎ型不純物層に蓄積された電荷を示す画素信号を各々出力する複数の画素１０を有する。また、撮像部１０Ａは、第１のｎ型不純物層よりも撮像面から深い位置に第２のｎ型不純物層を有する。タイミングジェネレータ５０の収集範囲制御手段５１は、第２のｎ型不純物層に与える制御電圧Ｖｓｂを制御することにより、ｐ型Ｓｉ基板内において光電変換により生じた電荷の収集範囲を制御する。 （もっと読む）

【課題】暗いシーンを撮像したときに固体撮像素子の半導体基板に形成したアンプ等で発光する赤外光の影響を抑制する。
【解決手段】赤外光カットフィルタを透過した可視光の受光量に応じた被写体画像信号を検出する画素部５６と該被写体画像信号を増幅するアンプ５８とが半導体基板５１の表面部に形成された固体撮像素子１００であって、半導体基板５１のアンプ５８が形成された直下近傍位置にだけ該アンプ５８で発光され半導体基板５１内を進む赤外光の画素部５６方向への侵入を阻止する赤外光抑制層６１を設ける。 （もっと読む）

【課題】赤外線混合撮像装置において色再現性の高いカラー画像を得られるようにする。
【解決手段】赤外線混合撮像装置において、赤外線照射撮像条件によって撮像を行う場合に、赤外線カットフィルタを光路上に挿入する可視光撮像条件によって生成される撮像信号の色毎にホワイトバランスを処理し、ホワイトバランス撮像信号を生成する。また、可視光撮像条件によって生成される撮像信号に対する色毎の可視光量を計測し、その色毎可視光量に基づいて、赤外線撮像条件によって生成される撮像信号を可視光成分撮像信号と、赤外線成分撮像信号と、に分離する。そして、ホワイトバランス撮像信号に基づいて、可視光成分撮像信号の色バランスを整合させて、カラー画像信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】低照度下で撮像を行う場合に、可視光成分と赤外線成分との合成比率を調整可能な赤外線照射式撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線混合撮像装置において、赤外線照射撮像条件によって撮像を行う場合に、赤外線カットフィルタを光路上に挿入する可視光撮像条件によって生成される撮像信号の色毎にホワイトバランスを処理し、ホワイトバランス撮像信号を生成する。赤外線照射撮像条件にて生成される撮像信号を可視光成分撮像信号と赤外線成分撮像信号とに分離し、可視光成分撮像信号から可視光輝度信号とクロマ画像信号とを生成し、赤外線成分撮像信号から赤外線輝度信号を生成する。そして、可視光輝度信号と赤外線輝度信号との合成比率を調整して、輝度画像信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ不良画素率を低くしながら高い接合歩留りを可能にする、検出装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の検出装置の製造方法は、受光素子アレイ５０および読み出し回路のマルチプレクサ７０の、少なくとも一方に、接合のためのバンプ９ｂ，９２ｂを設ける工程と、バンプが設けられた、受光素子アレイおよび／または読み出し回路に、バンプ高さを調整するためのバンプ高さ調整部材２１を固定する工程と、平坦板４１を、バンプの先端から押し当て、該平坦板がバンプ高さ調整部材の先端に当るまで該バンプを変形させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
物体の画像を得る低価格な感知システム、物体の複数の方向に対応したセンサ情報を生成する低価格な感知システムを提供する。
【解決手段】
カメラ画像情報を生成する光および／または赤外線カメラ部と、生成したカメラ画像情報に基づいて被写体を検出する処理制御部と、検出した被写体の部分をつぎつぎと走査して、走査した被写体の部分それぞれに対応する複数の画像情報を生成するセンサ部とを備え、センサ部は、マイクロ波および／またはミリ波および／またはテラヘルツ波の周波数範囲で動作可能であり、処理制御部は、複数の画像情報と、生成したカメラ画像情報とに基づいて、被写体の画像を作成する、カメラ援用のセンサ撮像システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】周囲光の影響を低減するとともに小型化と高解像度化を両立し且つ被写体像のぶれを抑制する。
【解決手段】対象空間に光を照射する光照射部２と、光電変換を行う多数の受光部を有した撮像素子１と、撮像素子１で撮像される第１の画像と第２の画像の差分画像を生成する差分画像生成手段３とを備える。撮像素子１は、光照射部２が照射する光の分光特性に一致する分光感度特性Ｘ１を有した第１の受光部群（受光部１０Ａ）と、分光感度特性Ｘ１に近接する分光感度特性Ｘ２を有した第２の受光部群（受光部１０Ｂ）とを具備する。撮像素子１には一般の撮像素子を用いることができるから、周囲光の影響を低減するとともに小型化と高解像度化を両立することができる。しかも、第１の画像と第２の画像が同時に撮像できるから被写体像のぶれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】有効画素の周辺部での入射光の利用効率を高め、且つ、クロストークを低減可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、基板２２上に複数の画素が二次元状に配列された画素部を備える。画素２４は、基板２２上に形成された第１導電型の半導体層２８と、半導体層２８内に形成された光電変換部１８と、半導体層２８内に形成され、平面的に見て光電変換部１８を囲み、第１導電型の第１の半導体領域３１と第１の半導体領域３１よりも浅い位置に形成された第１導電型の第２の半導体領域３２とを有する分離部とを含む。少なくとも一部の画素では、画素部内での位置に応じて、第１の半導体領域３１から第３の半導体領域３３までの距離が少なくとも部分的に異なっている。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置においては、自己発熱や周辺温度の変化などにより撮像素子の出力信号レベルが変化するため、そのまま放置するとＡ／Ｄ変換のダイナミックレンジを外れ、画像が得られなくなる。
【解決手段】撮像素子（３）の出力信号がＡ／Ｄ変換器（５）のダイナミックレンジ内に収まるように設定した補正信号（ＧＤ、ＧＡ）を撮像信号（ＩＮ）から差し引いてからＡ／Ｄ変換する。有効画素の部分と無効画素の部分とで、異なる補正信号を設定しても良い。シャッタが遮蔽状態にあるとき、補正信号（ＧＤ）の取得を行い、補正信号（ＧＤ）が確定してから、固定パターンノイズ（ＦＰＮ）の取得を行う。 （もっと読む）

【課題】より簡略で故障が生じにくい昼夜兼用のカメラ装置を提供する。
【解決手段】本発明によって提供されるカメラ装置Ａ１は、第１の撮像手段１と、第１の撮像手段１に読取対象からの光を結像させるための結像用レンズ３と、第２の撮像手段２と、第１の撮像手段１と結像用レンズ３との間に設置され、結像用レンズ３からの光の一部を第１の撮像手段１へ向けて透過し、残りの少なくとも一部を第２の撮像手段２へ向けて反射する分光手段４と、を備えており、第１の撮像手段１と第２の撮像手段２とは読み取る光の波長帯が異なっている。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有し、簡易に製造可能な遮光構造を実現すること。
【解決手段】複数のレンズを有する透明基板３１の主面上に、複数のレンズ３２に対応する複数の開口を有する遮光層３３、２０が積層されている。遮光層３３の層厚は、遮光層２０の層厚よりも薄く、遮光層３３に形成された開口ＯＰ１の開口幅は、遮光層２０に形成された開口ＯＰ２の開口幅よりも狭い。遮光層２０よりも層厚が薄い遮光層３３に開口幅が狭い開口を形成する。遮光層３３よりも層厚が厚い遮光層２０に開口幅が広い開口を形成する。遮光層３３と遮光層２０との積層によって、全体として、層厚が厚く、かつ狭い開口を有する遮光構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来、カラー画像は可視光画素信号のみに基づいて生成しているため、夜間時などでは撮像素子の感度が不足し、良好なカラー画像を取得することができない。
【解決手段】複数の画素が可視光および近赤外光の波長領域に感度をもつ撮像素子２を備え、得られる可視光画素信号と近赤外光画素信号から輝度信号と色信号を生成する撮像装置であって、可視光・近赤外光優勢判定部４ｃを追加し、可視光画素信号と近赤外光画素信号の大きさ関係を判定し、その判定結果に応じてＹＣ処理部４ａを制御することにより輝度信号の生成方法を切り替える。昼時には輝度信号も色信号も可視光画素信号を使って生成し、夜など可視光が少ない場合には輝度信号は近赤外光画素信号を使って生成する。さらに暗い場合には、画素混合または長時間露光を行った可視光画素信号を使って色信号を生成する。結果として、良好なカラー撮影を行い、使用者の視認性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】サムネイル画像を高速に作製することで処理の高速化を実現することが可能な静脈撮像装置およびサムネイル画像作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る静脈撮像装置に、複数の受光レンズがアレイ状に配設されたレンズアレイと、レンズアレイの対向する端部にそれぞれ設けられ、生体の一部に対して近赤外光を照射する複数の近赤外光照射光源と、レンズアレイによって集光された、生体内で散乱され静脈を透過した近赤外光に基づいて、静脈の撮像画像を生成するものであり、一つの受光レンズに対して複数の受光素子が割り当てられている撮像素子と、一つの受光レンズに割り当てられた複数の受光素子の中から一つの受光素子が受光した近赤外光に関する情報を取得して画素情報とし、全ての受光レンズにおける画素情報を取得するとともに、取得した画素情報に基づいてサムネイル画像を作製するサムネイル画像作製部と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】クロストークが低減され、赤外カットフィルタが不要なカラー撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の基板１１、基板上の第２導電型で不純物密度１×１０¹⁴ｃｍ^-3〜１×１０¹¹ｃｍ^-3の電荷生成層１２、電荷生成層の上部に埋め込まれた第１導電型の表面埋込領域１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ、電荷生成層の上部の他の一部に表面埋込領域の下面よりも深い位置まで埋め込まれ、表面埋込領域を囲む、第２導電型の転送チャネル形成ウェル１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ及び増幅回路形成ウェル１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ、転送チャネル形成ウェルの上部の一部に埋め込まれた第１導電型の電荷検出領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとを備え、基板に第１及び第２の電位を印加することにより、それぞれの画素において、電荷生成層の内部に生じるポテンシャルバリアの位置を基板側から表面埋込領域側に移動させる。 （もっと読む）