【課題】ダイナミックレンジの変更の自由度が高く、感度を上げることができ、画素数の向上が容易で、かつ画質の劣化を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】導電性要素（配線層Ｍ１（ＦＤ）および導電層ＢＣ１）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤと増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥとを電気的に接続している。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤ、リセットトランジスタＲｅｓのソース領域ＳＤ、増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥ、および導電性要素のうち少なくとも１つと容量Ｃｓを構成するように配置されている。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、リセットトランジスタＲｅｓがオフ状態のときに、少なくとも２つの電位Ｖ１、Ｖ２を選択的に印加されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】煩雑な製造工程を必要とする反射層を設けることなく、シンチレータで発生する光の利用効率を高めつつ残像を消去できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】シンチレータ７１と光源９５からの光を導光する導光板６１との間に、シンチレータ７１により変換された光の少なくとも一部を反射し、光源９５からの光の少なくとも一部を透過するハーフミラー１０４を設ける。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化、高価格化することなく、オフセット電荷量の計測頻度を削減し、Ｘ線撮影を容易にする放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】基板上に、スイッチング素子、光電変換素子、及び電気的容量を有する素子を１組の要素として含む画素が二次元状に複数個配列され、画素上に、外部から入射したＸ線を光に変換する蛍光変換膜が積層された放射線センサ１１と、任意に選択した１本の行選択線に駆動電圧を印加するとともに、隣接行選択線に駆動電圧とは逆方向の電圧を印加するゲート駆動回路１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シーンの奥行き情報を取得するには少なくとも特殊な開口形状を有するマスクである構造化開口を光学系に配置する。すると、観賞用等としての通常の撮影画像を撮影するときには構造化開口を被写体光束から退避させ、距離情報を取得するための撮影画像を撮影するときには構造化開口を被写体光束に挿入する必要があった。
【解決手段】上記課題を解決するために、画像演算装置は、赤外光パターンを照射された被写体を撮像した赤外画像を取得する取得部と、赤外画像に写った赤外光パターンのエッジ情報に基づいて、被写体の奥行き情報を演算する演算部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光ノイズの除去に用いる信号を取得することができる。
【解決手段】垂直制御回路２６は、静止画を撮像する際には、画素部２４が備える全ての画素２８の光電変換部を一括露光させ、露光終了のタイミングで、画素部２４が備える全ての画素２８の第１の転送部を駆動させて光電変換部が蓄積した光電荷を第１の蓄積部のみに一括転送させ、当該第１の蓄積部に蓄積された電荷を、第１の増幅部と、第１の接続部と、第１の出力信号線とを介して、光信号として読み出すとともに、第２の蓄積部に蓄積された電荷を、第２の増幅部と、第２の接続部と、第２の出力信号線とを介して、光ノイズ信号として読み出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部及び電荷蓄積部の電荷蓄積期間の同時性を確保しつつダイナミックレンジを拡大することができる撮像装置、撮像システム及び撮像装置の制御方法を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により生じた電荷を蓄積する光電変換部と、前記光電変換部からの電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送する転送部と、前記転送部によって転送された電荷をリセットするリセット部と、前記転送部による転送動作、及び前記転送動作の後の前記リセット部によるリセット動作が、前記光電変換部での１回の電荷蓄積期間に複数回行われるように、前記転送部と前記リセット部とを制御する制御部と、を有することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行う。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード（PD）６１と、PD６１に蓄積された電荷を保持するメモリ部（MEM）６５と、MEM６５の電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域（FD）６７と、PD６１からMEM６５に電荷を転送する第１転送ゲート６４と、MEM６５からFD６７に電荷を転送する第２転送ゲート６６と、FD６７の電荷をリセットするリセットトランジスタ６８とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。単位画素５０は、第１転送ゲート６４のオン時に、MEM６５とFD６７との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルを、MEM６５から溢れた電荷がFD６７に転送されるようなポテンシャルとなるように駆動する。本発明は、例えば、動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行うCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】画素加算する場合の画素加算方法を２つの画素加算方法で切り換える。
【解決手段】隣接する同色フィルタを積層したペア画素を構成する２つの光電変換素子の各検出電荷に応じた撮像画像信号を個別に信号読出回路で読み出し、信号処理回路で信号加算させる第１画素加算駆動モード（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ５〜ステップ１１）と、ペア画素の２つの光電変換素子の各検出電荷を混合し、該混合した電荷量に応じた撮像画像信号を信号読出回路で読み出す第２画素加算駆動モード（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）とを、撮像素子で被写体画像を撮影するときの撮影状態に応じて切り換える。 （もっと読む）

【課題】カメラの合焦精度を高める。
【解決手段】撮影画面内の複数の焦点検出領域から任意の焦点検出領域を選択する選択手段１０１と、複数の焦点検出領域の各々に配置されており、且つ該各焦点検出領域内の互いに異なる複数の位置に配置された複数の受光センサを含むセンサ列を有し、選択手段１０１で選択された焦点検出領域に対応するセンサ列から得られる像の位相差に基づいて撮影光学系の焦点調節状態を検出する焦点検出手段１０８と、撮像センサ２２９の画像情報に基づいて撮影シーンを認識するシーン認識手段１０２と、シーン認識手段１０２による認識結果に基づいて、選択手段１０１に選択された焦点検出領域に対応する複数の位置のセンサ列の中から位相差検出に用いるセンサを選択し、該選択された受光センサからの信号を用いて焦点調節状態を検出するように焦点検出手段１０８を制御する制御手段１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 CMOSセンサの画素を複数のグループに分割する分割方法と、分割して読み出した画像の合成方法を制御することで、分割した画像間で歪みの程度が違うことによる画像の劣化を低減する。
【解決手段】 光を受光し画像信号に変換する複数の画素を有するCMOSセンサと、前記CMOSセンサの蓄積及び読み出しを制御する駆動制御手段と、前記CMOSセンサから読み出された画像信号に現像処理を行うカメラ信号処理手段を備え、前記駆動制御手段は前記CMOSセンサから読み出す画素を第１の画素グループと第２の画素グループに分けて、第１の画素グループを読み出した後に第２の画素グループを読み出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
従来、暗電流によるシェーディング補正を精度良く行うことができなかった。
【解決手段】
本発明では、複数の画素が二次元状に配列され、露光後に前記複数の画素から少なくとも２つの異なる読み出し時間で信号が読み出される画素部と、前記画素部における単位時間当たりの暗電流増加量を求め、前記画素部の各画素の信号読み出し時間に応じた暗電流補正量を求める演算部と、前記演算部が求めた前記暗電流補正量を用いて前記画素部の各画素から読み出される信号の暗電流補正を行う補正部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より精度良く焦点検出を行うことを可能にした撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体像を結像させる結像光学系の第１の瞳領域を通過する光束を受光する第１の画素群と、結像光学系の第２の瞳領域を通過する光束を受光する第２の画素群とを有する撮像素子と、結像光学系における結像光学系を通過する光束の外縁を規定する枠の情報である枠情報と、枠の種類を識別する識別情報とを結像光学系から取得する取得部と、枠情報と識別情報とに基づいて第１の画素群からの信号と第２の画素群からの信号とを補正する補正部と、補正部により補正された第１の画素群からの信号と第２の画素群からの信号とに基づいて、結像光学系の焦点状態を検出する焦点検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】撮像用画素の間に焦点検出用画素を配置した撮像素子において、焦点検出用画素が配置されていることに起因する画質劣化を抑制する。
【解決手段】撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する撮像用画素と撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する焦点検出用画素ＳＨＡ、ＳＨＢとが配列された撮像素子と、撮像用画素の信号を垂直方向に出力する第１の垂直出力線５０３ａと、焦点検出用画素の信号を垂直方向に出力する第２の垂直出力線５０３ｂと、複数の撮像用画素の信号を垂直方向に加算する垂直加算部５０２と、垂直加算部により複数の撮像用画素の信号を加算する加算読み出しモードにおいて、加算の対象に焦点検出用画素が含まれる場合は、焦点検出用画素を除く撮像用画素の信号のみが加算されるように垂直加算部を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。
【解決手段】画素に複数のフローティングディフュージョン部を備える。複数のフローティングディフュージョン部をリセットした後、前段のフローティングディフュージョン部のリセットレベルの信号Ｎ１を後段回路に取り込む。次に、前段のフローティングディフュージョン部に光電変換部からの電荷を転送し、その信号Ｓ１を後段回路に取り込む。次に、前段と後段のフローティングディフュージョンを接続し、接続されたフローティングディフュージョン部の信号Ｎ２を後段回路に取り込む。次いで、光電変換部から残りの電荷を転送して、接続されているフローティングディフュージョン部の信号Ｓ２を後段回路に取り込む。そして、信号Ｓ１−Ｎ１の差分の信号、信号Ｓ２−Ｎ２の差分の信号をとる。 （もっと読む）

【課題】外部環境、特に温度変化に対応し得るＯＢ段差の調整技術を提供する。
【解決手段】メカシャッター３を開状態に制御し、予め有効画素領域４１と垂直ＯＢ領域４２、水平ＯＢ領域４３とが設定された撮像部４にて撮りこまれ取得した画像データを、一時的にワークメモリ１１に格納させ、この画像データが格納された時、温度センサー８が取得した温度が予め設定された所定値以上か否かを判断する。そして、所定値以上と判断すると、メカシャッター３を閉状態にするようメカシャッター制御部７を制御し、その時に撮像部４にて撮りこまれた画像データを取得するよう制御する。そして取得された画像データにおける有効画素領域４１の画像データを切り出し、ワークメモリ１１に格納されている画像データの垂直ＯＢ領域４２にこの切り出された画像データを上書して新たに書き込み、この黒レベルを検出してオプティカルブラック段差を補正する。 （もっと読む）

【課題】シェーディングを発生させることなくランダム雑音を抑圧することが可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の単位画素４２と、垂直信号線９と、フィードバックアンプ１２と、フィードバック線１６と、画素リセット信号線７と、タイミング制御回路５０と、タイミング制御回路５０から出力されたリセット信号３６に含まれるリセットパルスの後縁の波形に傾斜を付与するようリセット信号３６の波形を調整するリセット信号制御回路６０とを備え、単位画素４２は、増幅トランジスタ４、選択トランジスタ５、リセットトランジスタ３及び光電変換部１を有し、リセットトランジスタ３のオンオフを制御するリセットパルスの後縁の変化の開始からリセットトランジスタ３がオフになるまでのソフトリセット時間は、同じ行の単位画素４２のそれぞれで揃えられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない光電変換装置、及びその動作方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積容量部、フォトダイオード、及び複数のトランジスタを含む光電変換装置であり、電荷蓄積容量部をリセット後に充電し、フォトダイオードまたはフォトダイオードに接続されたカレントミラー回路を介して電荷蓄積容量部を一定期間放電させた後に電荷蓄積容量部の電位を読み取る。電力は充電時のみに消費するため、低消費電力化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】横線ノイズを低減した高画質固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置の１形態は、行単位に選択される単位画素Ｐｎｍから画素信号を読み出す固体撮像装置であって、各単位画素に含まれる増幅トランジスタＭ４と、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタＭ４にバイアス電流を供給する第１トランジスタＭＬｍと、基準バイアス電圧を発生する電流源の１次側ミラートランジスタＭＦと、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子から、第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子に基準バイアス電圧を伝達する第１のバイアス信号線と、電流源の１次側ミラートランジスタＭＦのゲート端子と各第１のトランジスタＭＬｍのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入されたサンプルホールド回路２５０とを備える。 （もっと読む）