【課題】散乱光による画像のぼやけを抑制するイメージセンサ及び撮像装置を提供する。
【解決手段】結像面４２に垂直な光電界成分より前記結像面に並行な光電界成分に弱く応答する第１光検出器３８と、前記第１光検出器の一面に設けられ且つ応答の偏波依存性が前記第１光検出器より小さい第２光検出器４０とを有する画素と、前記第１光検出器の出力信号に基づく第１画素信号と、前記第２光検出器の出力信号に基づく第２画素信号とを前記画素から読み出す周辺回路部を備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性の悪化を抑制し、画質の低下を抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置１は、行列状に配置され、受光量に応じた画素信号を出力する複数の画素１１を有する画素部１０と、複数の画素１１の列に対応して設けられた複数の列信号線１２と、複数の列信号線１２に対応して設けられた複数のカラムアンプ回路４０とを備え、複数のカラムアンプ回路４０のそれぞれは、画素信号を増幅する増幅器４１と、増幅動作とリセット動作とを切り替えるリセットスイッチ部５０を備え、リセットスイッチ部５０は、リセット動作中に導通状態となり、増幅動作中に非導通状態となるリセットスイッチ５１及び５２と、増幅器４１に並列に接続され、リセット動作中に、リセットスイッチ５１及び５２を介してカラムアンプ回路４０に入力されるノイズ成分を除去するためのローパスフィルタを構成するＬＰＦ容量５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源回路において、ソフトスタート回路による電源回路の回路規模を抑制する。
【解決手段】電源回路１の比較部１１は、参照電圧と入力電圧とを比較して電圧差信号を出力し、出力電圧生成部１２は、電圧差信号に基づいて出力電圧を生成し、入力電圧生成部１４は、出力電圧から入力電圧を生成する。抵抗素子１６は、電流出力部１５の参照電流により参照電圧を生成する。キャパシタ１７は、抵抗素子１６と並列に接続され、参照電流により充電される。このような電源回路１において、電流出力部１５は、起動する際の参照電流を、動作中の参照電流より小さくする。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を増大させることなく、焦点検出の高速化と高い検出精度とを実現することは困難であった。
【解決手段】 各単位画素に設けられた複数のメモリセル部に対して、共通のバッファ部を設ける。 （もっと読む）

【課題】高速化が容易なデータ選択回路、データ転送回路、ランプ波生成回路、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】遅延部100は、互いに接続されたn（nは3以上の自然数）段の同一構成の遅延ユニットを有し、各遅延ユニットに入力された信号を遅延させて各遅延ユニットから出力させる。遅延制御部101は、遅延ユニットの遅延量を制御する。出力部102は、iおよびj（i,jは、互いに異なる1以上n以下の自然数）段目の遅延ユニットから出力される信号を論理演算することにより、所定のタイミングで所定の論理となる信号を生成し、生成した信号を、m（mは2以上の自然数）個の第１のデータ選択パルス入力端子を有する機能回路のk（kは、1以上m以下の自然数）番目の第１のデータ選択パルス入力端子に出力する。 （もっと読む）

【課題】複数の画素でトランジスタ等を共有しても、画素自体の特性を落とすことなく、画素毎のばらつきを抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】各画素に設けられた光電変換領域１７と、各画素の光電変換領域１７に対して設けられた転送トランジスタ１１と、複数の画素の光電変換領域に対して共通に形成されたトランジスタ（リセットトランジスタ１２、増幅トランジスタ１３、選択トランジスタ１４）と、光電変換領域１７の、転送トランジスタ１１の転送ゲートＴＧとは反対側の部分上に形成された、絶縁材から成るダミー２１を含む、固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】高品質の撮像画像信号を得ることができる光電変換層積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】信号読出手段が表面部に形成された半導体基板１１０と、半導体基板１１０の光入射側上方に積層され第１電極膜１０４と画素毎に区分けされた複数の第２電極膜１１３との間に光電変換層１０３が形成された光電変換部と、該光電変換部の光入射側且つ有効画素領域の外側に形成され第１電極膜１０４との間に誘電材料（１１７，１１８）が介装された導電性の遮光膜１２１とを備える。第１電極膜１０４に接続される配線の抵抗Ｒと第１電極膜１０４―遮光膜１２１間に形成されるキャパシタＣとでローパスフィルタが形成されるため、第１電極膜１０４に電圧を印加する電源のノイズが第１電極膜１０４に伝搬するのが低減される。 （もっと読む）

【課題】モーションＭＴＦが改善され得る、ＴＤＩ機能性を有したＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】行及び列に配列された光電性画素Ｐｘのマトリックスと、画素の数個の行の蓄積された輝度レベルをメモリセルの行に格納する制御及び加算手段１８に接続されたメモリセルの第１のマトリックス１６ａと、を備える。第１のメモリセルマトリックス１６ａは、制御及び加算手段を用いて、その行に画素のマトリックスの第１の半分の行の蓄積された輝度レベルを格納するように設けられている。センサは、画素のマトリックスの第２の半分の行の蓄積された輝度レベルを第２のメモリセルマトリックスの行に格納する制御及び加算手段に接続された第２のメモリセルマトリックス１６ｂを備える。手段２０は、第１のメモリセルマトリックスの列に蓄積されたレベルを、第２のメモリセルマトリックスの対応する列に蓄積されたレベルと加算するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも撮像速度を向上させることができる画素周辺記録型撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素周辺記録型撮像素子は、ドライバの出力電極７１および７２からそれぞれ露光パルスφＰＤ１およびφＰＤ２を入力する入力電極５１および５２と、ドライバの出力電極７３〜７６からそれぞれ蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４を入力する入力電極５３〜５６と、ドライバの出力電極７７および７８からそれぞれ垂直転送パルスφＶ１およびφＶ２を入力する入力電極５７および５８と、画素の垂直方向列ごとに入力電極５３〜５６と所定電極とを電気的に接続するタングステン配線８０とを含み、蓄積転送パルスφＭ１〜φＭ４がそれぞれ供給されるＣＣＤメモリの転送電極ごとに複数本のタングステン配線８０が接続され、入力電極５１〜５８は隣接する入力電極と電気的に切断された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】
画素毎に固定した増幅器が割り当てられる撮像素子において、MOSFETの特性バラつきによる各増幅器の特性差を測定する際に、光を均一に当てるテスタを用いずに測定する手段を提供する。
【解決手段】
フォトダイオード1に蓄積された電荷をキャパシタ3に蓄積する代わりに、電荷注入スイッチ8を用いてキャパシタ3に電荷を蓄積する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射中にデータの読み出し処理を行って得られた画像データに基づいて、濃淡のない放射線画像を生成することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、放射線検出素子７からのフレームごとの読み出し処理を繰り返し行い、放射線が照射された時点で読み出し処理を行っているフレームを含む所定数のフレーム分の読み出し処理を行って、各フレームごとにデータＤを取得し、制御手段２２は、フレームごとの各データＤ(m)〜Ｄ(m+2)を加算して画像データｄを算出し、放射線が照射されていた間に読み出し処理が行われた各放射線検出素子７については、画像データｄから、当該放射線検出素子７が接続されている信号線６に接続されている各放射線検出素子７の画像データｄの総和Σｄに所定の定数ａ(z)を乗算した値を減算し、減算して算出した値を当該放射線検出素子７の画像データｄとする。 （もっと読む）

【課題】高品質、高Ｓ／Ｎの撮像画像信号を得ることができる積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子Ｐを含む有効画素１ａと、光電変換素子Ｐの暗時出力を取得するためのＯＢ画素２ａとを有する固体撮像素子１００であって、光電変換素子Ｐは、半導体基板１０上方に設けられた一対の電極１４，１６と、電極１４，１６の間に設けられた光電変換層１５とを含んで構成され、有効画素１ａは、半導体基板１０に形成され、光電変換素子Ｐで発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し回路１１を含み、ＯＢ画素２ａは、信号読み出し回路１１と同じ構成の信号読み出し回路１１’を含む。信号読み出し回路１１と信号読み出し回路１１’はそれぞれ遮光されており、信号読み出し回路１１の入力ノードは、光電変換素子Ｐの画素電極１４と電気的に接続され、信号読み出し回路１１’の入力ノードは、キャパシタ１９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】装置全体の駆動停止を防ぎながら、高い周波数で高速掃出しを実行する。
【解決手段】一眼レフカメラ１０はＴＧ１２、撮像素子駆動回路１５、電源回路１６、バッテリコネクタ１７、キャパシタ回路３０、および撮像素子４０を有する。電源回路１６はバッテリコネクタ１７を介して接続されるバッテリ２５から電力を取得する。電源回路１６は一眼レフカメラ１０の各部位を駆動するために用いる出力電力を生成する。キャパシタ回路３０はバッテリ２５の電力を用いて蓄電する。ＴＧ１２が高速掃出し信号を送信するときにキャパシタ回路３０は蓄電された電力を電源回路１６に供給する。ＴＧ１２が高速掃出し信号を送信するときに撮像素子駆動回路１５は撮像素子４０に高速掃出しを実行させる。 （もっと読む）

【課題】撮像すべき光の入射期間が極めて短い場合にも高精度の撮像を行うことができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、撮像用受光部１０、トリガ用受光部２０、行選択部３０、列選択部４０、保持部５０、画素データ出力部６０、トリガ用データ出力部７０および制御部８０を備える。固体撮像装置１におけるシャッター方式では、電荷蓄積期間の開始は撮像用受光部１０の全行で共通であるが、電荷蓄積期間の終了は撮像用受光部１０の行毎に異なり、撮像用受光部１０の各行で電荷蓄積期間に続いて信号読出し期間がある。 （もっと読む）

【課題】光電変換により得られた電荷量の差分演算ができ、かつ高集積化が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置３０は、ＡＤ変換器３６を備え、ＡＤ変換器３６は、レベルが漸次変化する参照電圧を生成する参照電圧生成部５２から供給される前記参照電圧と前記第１画素１０ａ又は１０ｂの第１のアナログ信号とを比較することで、該第１のアナログ信号に応じた信号を出力する第１比較器６０と、前記参照電圧生成部５２から供給される前記参照電圧と前記第２画素１０ｃ又は１０ｄの第２のアナログ信号を比較することで、該第２のアナログ信号に応じた信号を出力する第２比較器６２と、前記第１のアナログ信号に応じた信号と、前記第２のアナログ信号に応じた信号とを差分して差分信号を出力する差分回路６４と、前記差分信号に応じたパルス列のパルス数をカウントして、前記差分信号をデジタル信号に変換する第１のカウンタ回路６８とを有する。 （もっと読む）

【課題】並列に読み出す場合、間引き率に応じて同時に読み出すカラムを適切に選択することができるデータ走査回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】データを転送する複数の転送線１４‐０，１４‐１と、入力レベルに対応したデータを保持する複数の保持部ＡＤＣ１０〜ＡＤＣ１１１と、複数の転送線と複数の保持部との間に、通常読み出しおよび間引き率が異なる複数の間引き読み出しに対応可能に接続され、選択信号に応答して上記保持部に保持されたデータを対応する上記転送線に選択的に転送する複数のスイッチＮＴ１０〜ＮＴ１１１と、クロックに同期して、通常読み出しおよび間引き率が異なる複数の間引き読み出しに対応する選択信号を生成する走査部１４０と、選択信号を受けて、通常読み出しおよび間引き率が異なる複数の間引き読み出しに対応するように、スイッチを選択的にオン、オフするセレクタ部１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光学特性を低下させずに、光電変換部で発生した電荷を保持する電荷保持部の最大蓄積電荷量を大きくする。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。フォトダイオードからメモリ部への電荷の転送を終了するとき、転送ゲートＴＲＸをオフし、ＴＲＸバリアの高さがＰＤ空乏電位より高くなった後、電源ＶＤＡの電位をＶＤＡ（Ｌ）に設定し、フォトダイオードの電位を、ＴＲＸバリアの電位とＰＤ空乏電位との間の電位に設定する。本発明は、例えば、グローバルシャッタに対応したＣＭＯＳイメージセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】撮像準備期間中の消費電力を抑制でき、薄膜トランジスタの閾値変動を抑制できる電磁波情報検出装置および電磁波情報検出方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３４６と複数の第２の電極３３６と光電変換層３４０とを有する複数の光電変換器３０４と、複数の第２の電極に接続された複数のノーマリーオン型のトランジスタ３２０と、複数のトランジスタ３２０のゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段２４２と、第１の電極３４６に所定の電位を供与する電位供与手段２４６と、ゲート電圧制御手段２４２と電位供与手段２４６とを制御する制御手段２１０とを備え、制御手段２１０は、撮像準備期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を０Ｖとし、撮像期間に、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧にオフ電圧を供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】比較器とカウンタ値を取り込むラッチ回路で構成される列並列ＡＤ変換回路において、ＳＲＡＭ構成またはＤＲＡＭ構成のラッチ回路ではクロック周波数を高くすると入力するカウンタデータ信号の駆動回路の消費電力が大きくなる。
【解決手段】正帰還構成の２組のCMOSインバータで構成されるラッチ回路のそれぞれのインバータに、差動のデータ信号D1,D1xが与えられる差動入力トランジスタM11a,M21aと、比較器出力で制御されるスイッチトランジスタM31a,M41aとを直列に設けたラッチ回路構成とする。また、データ信号振幅を小さくする。 （もっと読む）

【課題】グローバル露光を実現している従来技術と比較して、暗時や低照度時における撮像画像の画質を悪化させずに、飽和電荷量をより多く確保できるようにする。
【解決手段】単位画素６０_A内に、第１、第２の２つの電荷蓄積部６６、６７を設け、第１の電荷蓄積部６６として埋め込み型ＭＯＳキャパシタを用い、第２の電荷蓄積部６７として第１の電荷蓄積部６６よりも単位面積当たりの容量値が大きいキャパシタを用いる。そして、グローバル露光時には、フォトダイオード６１の飽和電荷量以下の光電荷をフォトダイオード６１に蓄積し、当該飽和電荷量を超える光電荷を第１の電荷蓄積部６６及び第２の電荷蓄積部６７に蓄積する。グローバルシャッタ時には、第１の電荷蓄積部６６の飽和電荷量以下の低照度時の光電荷は、第１の電荷蓄積部６６に蓄積し、当該飽和電荷量を超える高照度時の光電荷については、第２の電荷蓄積部６７に蓄積する。 （もっと読む）