【課題】動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行う。
【解決手段】CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード（PD）６１と、PD６１に蓄積された電荷を保持するメモリ部（MEM）６５と、MEM６５の電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域（FD）６７と、PD６１からMEM６５に電荷を転送する第１転送ゲート６４と、MEM６５からFD６７に電荷を転送する第２転送ゲート６６と、FD６７の電荷をリセットするリセットトランジスタ６８とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。単位画素５０は、第１転送ゲート６４のオン時に、MEM６５とFD６７との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルを、MEM６５から溢れた電荷がFD６７に転送されるようなポテンシャルとなるように駆動する。本発明は、例えば、動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行うCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子のバイアス電流量を検出する抵抗器の両端子間に電圧降下が発生して前記光電変換素子の感度が低下した場合においても、適切な出力電気信号を得ることができる放射線画像検出装置及び画質低下が抑制された放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】光電変換素子４８の電気信号の読み出しゲインが設定される第１増幅回路７１に直列に第２増幅回路７２を設け、第２増幅回路７２のゲインを、前記電圧降下による光電変換素子４８の感度の低下に応じて増加させることにより適切な出力電気信号を得る。 （もっと読む）

【課題】記憶部で発生するリーク電流を抑制した固体撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の画素回路１ａと、列信号線２１と、複数の単位記憶回路２ａとを備え、複数の単位記憶回路２ａのそれぞれは、書き込みトランジスタ３１と、記憶容量３２と、ｎ型の第１拡散領域１４３と、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成され、書き込みトランジスタ３１のソース又はドレイン領域に隣接する絶縁分離領域１４１と、絶縁分離領域１４１の周囲に、第１拡散領域１４３から所定距離離して形成された、ｐ型の第２拡散領域１４２とを有し、少なくとも第２拡散領域１４２の表面には、金属シリサイド層が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな画素数と信号処理回路を必要とし、Ｘ線の遮蔽に用いられるフォトダイオードアレイと物理的に分けられたＸ線スキャン検出器システムの実行に特に有利な、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）時間遅延積分（ＴＤＩ）構造を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】各画素がＮ段のＴＤＩステージにより形成された、Ｍ画素からなるＣＭＯＳ ＴＤＩイメージセンサの各ＴＤＩステージは、光電荷を収集するフォトダイオードと、光電荷を比例的に電圧に変換する前置増幅器を含む。各ＴＤＩステージはまた、キャパシタ、増幅器、積分信号電圧を蓄積するのに用いるスイッチを含み、相関二重サンプルホールド（ＣＤＳ）技術が（実際にあるいは擬似的に）光信号とリセット電圧を同時に維持する。このＣＤＳ信号電圧は、１行加算が行われるごとに、１つのＴＤＩステージから次のＴＤＩステージへと伝送される。差動増幅器はＭ画素の最後のＴＤＩステージのＣＤＳ信号電圧を読み出す。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ固体撮像装置において、複数のフローティングディフュージョン部を有する画素を備え、小信号、大信号に対応して、リセットノイズの除去を可能にする。
【解決手段】画素に複数のフローティングディフュージョン部を備える。複数のフローティングディフュージョン部をリセットした後、前段のフローティングディフュージョン部のリセットレベルの信号Ｎ１を後段回路に取り込む。次に、前段のフローティングディフュージョン部に光電変換部からの電荷を転送し、その信号Ｓ１を後段回路に取り込む。次に、前段と後段のフローティングディフュージョンを接続し、接続されたフローティングディフュージョン部の信号Ｎ２を後段回路に取り込む。次いで、光電変換部から残りの電荷を転送して、接続されているフローティングディフュージョン部の信号Ｓ２を後段回路に取り込む。そして、信号Ｓ１−Ｎ１の差分の信号、信号Ｓ２−Ｎ２の差分の信号をとる。 （もっと読む）

【課題】第２の駆動モードでの取り扱い電荷量を確保す際に、第１の駆動モードでの暗時白線等のノイズによる画質劣化が問題となる。
【解決手段】画素部の飽和信号量を調整する基板バイアス調整部を利用し、第１の駆動モードと、第２の駆動モードとで、変換効率および出力回路ゲインを選択的に調整する機構により、第１の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを低く設定し、第２の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを高く設定する。 （もっと読む）

【課題】より精度良く焦点検出を行うことを可能にした撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体像を結像させる結像光学系の第１の瞳領域を通過する光束を受光する第１の画素群と、結像光学系の第２の瞳領域を通過する光束を受光する第２の画素群とを有する撮像素子と、結像光学系における結像光学系を通過する光束の外縁を規定する枠の情報である枠情報と、枠の種類を識別する識別情報とを結像光学系から取得する取得部と、枠情報と識別情報とに基づいて第１の画素群からの信号と第２の画素群からの信号とを補正する補正部と、補正部により補正された第１の画素群からの信号と第２の画素群からの信号とに基づいて、結像光学系の焦点状態を検出する焦点検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】シェーディングを発生させることなくランダム雑音を抑圧することが可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の単位画素４２と、垂直信号線９と、フィードバックアンプ１２と、フィードバック線１６と、画素リセット信号線７と、タイミング制御回路５０と、タイミング制御回路５０から出力されたリセット信号３６に含まれるリセットパルスの後縁の波形に傾斜を付与するようリセット信号３６の波形を調整するリセット信号制御回路６０とを備え、単位画素４２は、増幅トランジスタ４、選択トランジスタ５、リセットトランジスタ３及び光電変換部１を有し、リセットトランジスタ３のオンオフを制御するリセットパルスの後縁の変化の開始からリセットトランジスタ３がオフになるまでのソフトリセット時間は、同じ行の単位画素４２のそれぞれで揃えられている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質の向上を図る。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、複数の画素からの基準電圧と信号電圧とに対して信号処理を施して、前記基準電圧と前記信号電圧との差分値のデジタル値を出力するＡＤ変換回路と、所定のパルス波形Ｖｒｐ１，Ｖｒｐ２の参照電圧ＶＲＥＦをＡＤ変換回路に出力する参照電圧生成回路と、を具備する。参照電圧生成回路は、参照電圧ＶＲＥＦと基準電圧ＶＲＳＴとを比較する第１の信号処理において、電流源回路から第１の電流を供給し、パルス波形Ｖｒｐ１を生成し、第１の信号処理の後に、積分回路に電流源回路からの第２の電流を供給し、参照電圧ＶＲＥＦの電圧値を初期電圧にリセットし、参照電圧ＶＲＥＦと信号電圧ＶＳＩＧとを比較する第２の信号処理において、パルス波形Ｖｒｐ３を出力する。 （もっと読む）

【課題】画素情報の読出し速度を向上させることが可能な半導体装置および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】カラムＡＤＣは、ＰＧＡ２２と、縦列接続された２つの巡回型ＡＤＣとを含む。ＰＧＡ２２は、画素の黒レベルおよび信号レベルの差分を増幅した信号にＶｒｅｆを加算した電位をＰＧＡ画素情報として出力する。第１ＡＤＣ２４＿１は、Ｖｒｅｆを参照電位としてサンプリングして保持するとともに、ＰＧＡ画素情報を信号電位としてサンプリングして保持し、これらの差分信号であるｉ行の画素情報に応じてデジタル値の中の上位ビットを生成すると、（ｉ＋１）行の画素情報のサンプリングを開始する。第２ＡＤＣ２４＿２は、第１ＡＤＣ２４＿１が（ｉ＋１）行の画素情報をサンプリングして保持するのと並行して、第１ＡＤＣ２４＿１によって生成された上位ビットに応じて該デジタル値の中の下位ビットを生成する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路から発生するランダムノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光を電気信号に変換する光電変換素子を有する画素（１）と、可変の帰還容量に応じた増幅率で、前記画素の信号を増幅する帰還型の増幅回路（８）と、前記増幅回路の出力端子に第１のスイッチを介して接続される保持容量（Ｃｔｎ，Ｃｔｓ）と、前記増幅回路の出力端子に第２のスイッチを介して接続される負荷容量（Ｃｌ１，Ｃｌ２）とを有し、前記帰還容量をリセットする期間及び前記第１のスイッチがオンする期間のいずれか一方又は両方の期間において、前記第２のスイッチがオンすることを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線等の放射線の一部遮蔽等無しに撮影期間中においてもラインアーチファクト情報を正確に取得可能なラインアーチファクト検出器を提供する。
【解決手段】放射線センサ１１と、放射線センサ１１における複数本のゲートラインの１本毎に順次、駆動電圧を印加するゲート駆動回路１２と、駆動電圧が印加されたゲートラインと接続された複数の画素に接続される信号読み出しラインを介して画像信号情報を読み取る読取回路１４と、読取回路１４で読み取った画像信号情報のうち、光電変換作用を行う画素群からの画像信号情報を表示する有効画像表示領域１６と、光電変換作用を行わない画素群からの画像信号情報を表示する検査画像表示領域１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アーティファクトを低減した高画質な放射線画像を得る。
【解決手段】放射線を電気信号へ変換し蓄積する蓄積部と、電気信号をサンプルホールドして画素回路ごとにアナログ信号として出力する出力部とを備える放射線撮像装置であって、同期信号検出部と、同期信号に応じた撮像間隔で放射線の曝射を開始し曝射時間経過後に電気信号をサンプルホールドするよう蓄積部と出力部とを制御する制御部と、アナログ信号を出力する画素回路位置を選択する選択部と、曝射時間と全ての画素回路のアナログ信号出力に要する出力時間との和が撮像間隔より大きいかを判定する判定部とを備え、和が撮像間隔より大きい場合、所定の画素回路数分のアナログ信号を出力した後、選択を停止し且つ出力を停止し、同期信号が改めて検出されたら蓄積をリセットし、放射線の曝射を開始してから所定時間経過後、曝射時間経過前に、選択を再開し且つ残りの画素回路位置での出力を再開する。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】光センサ、および光センサアレイにおいて、信号読出し用のスイッチングトランジスタを不要として、画素構造を簡素化する。
【解決手段】各光センサ画素は、金属膜から成る下部電極と、アモルファスシリコン膜と、ｎ型アモルファスシリコン膜と、上部電極とを有し、前記光センサ画素の上部電極に接続される複数の走査線と、前記光センサ画素の下部電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に各走査線に順次第１電圧の選択走査信号を供給する走査回路と、１水平走査期間のブランキング期間に前記複数の読出線に、前記第１電圧よりも高電位の第２電圧を入力した後、前記複数の読出線をフローティング状態とする手段１と、前記複数の読出線に接続され、１水平走査期間内の前記各読出線の電圧変化を、前記各読出線に前記下部電極が接続され、前記上部電極に選択走査電圧が入力される光センサ画素のセンサ出力電圧として出力する手段２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分を低減し、ＦＰＮ補正を精度良く行う。
【解決手段】放射線信号を電荷信号に変換して蓄積する複数の光電変換素子が配置された放射線検出手段を有する放射線撮像装置であって、前記複数の光電変換素子に対する電荷信号の蓄積を制御する蓄積制御手段と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷信号の読み出しを制御する読み出し制御手段と、前記蓄積制御手段による電荷信号の蓄積制御、及び、前記読み出し制御手段による電荷信号の読み出し制御のうちの少なくとも何れか一方が行われていない期間に、前記放射線検出手段で発生する不定電位の固定化を行う制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】静電気等に対する耐久性を向上するとともに、検査精度を向上し、かつ、検査時間を短縮した積分アンプを提供する。
【解決手段】演算増幅器OP、および、演算増幅器OPの反転入力端子と出力端子との間に接続したサンプリングキャパシタCfを備えた積分回路41を有する。入力端子部INと演算増幅器OPの反転入力端子との電気的接続の開閉を切り換え可能なモードスイッチSWtestを有する。移送キャパシタCT、および、移送キャパシタCTを充放電させるスイッチSW1〜SW4を備えた検査用回路42を有する。検査用回路42は、移送キャパシタCTの放電により、充電した電荷の一部をサンプリングキャパシタCfに送り込む。スイッチSW1〜SW4により移送キャパシタCTを充電させている状態でサンプリングキャパシタCfを放電させる放電スイッチSWinitを有する。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】パワーおよびエリア比により良い変換率を有するアナログ／デジタル変換器を提供する。
【解決手段】ハイブリッド・アナログ／デジタル変換器１００は、複数の変換回路１０１ａ〜１０１ｎを含む。それぞれの変換回路は、逐次近似変換の結果として、デジタル信号１０３ａ〜１０３ｎの第１の数のビットを得るために逐次近似変換を実行することによって、さらに、デジタル信号の第２の数のビットを得るために共通可変基準電圧１０５に基づいて傾斜変換をその後に実行することによって、アナログ入力信号１０４ａ〜１０４ｎに基づいてデジタル信号を提供するように構成され、第２の数のビットは、アナログ入力信号および逐次近似変換の結果間の残差に対応する。ハイブリッド・アナログ／デジタル変換器は、複数の変換回路のそれぞれの変換回路に共通可変基準電圧を提供するように構成される共通可変基準電圧プロバイダ１０２をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】 従来の構成では、光電変換装置の検出回路間の誤差がＡＦの特性に悪影響を及ぼす恐れがあり、精度を向上させることが困難であった。
【解決手段】 複数の単位画素の各々が第１および第２の光電変換部と、第１および第２の光電変換部に共通の画素出力部とを有し、複数の単位画素が配列される第１の方向とは異なるだい２の方向に、第１および第２の光電変換部を配置する。 （もっと読む）