【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。
【解決手段】この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。１つのチップから放出させ、または２つ以上のチップから同時に放出させることを可能にするため、これらの放出器は全て、個別に制御することができる。１つの放出器だけが活動化されるモードは高輝度に対応し、複数の放出器が同時に活動化されるモードは、高い角強度およびより低い輝度を提供する。単一の放出器を逐次的に使用することによって源の寿命を延ばすことができる。全ての放出器に対する機械／電気組合せアラインメント手順が記載される。 （もっと読む）

【課題】アパーチャの寿命を長くでき、カラムバルブを閉じた際にも、コンタミの増加を防止し、また、再起動も短時間で行える集束イオンビーム装置を提供することにある。
【解決手段】高圧電源制御器１８１は、カラムバルブ１４の閉動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を下げ、または、制御電極１６に印加する制御電圧を下げて、エミッションを０μＡにする。また、カラムバルブ１４の開動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を元に戻し、または、制御電極１６に印加する制御電圧を元の電圧に戻す。 （もっと読む）

【課題】高いデータレート（Ｄａｔｅｎｒａｔｅｎ）と短い分析時間とによる二次イオン形成の高い効率を達成するために、二次イオン質量分析器の操作のための、クラスターイオンに関し改善された生成量を有するイオン源を提供すること。
【解決手段】液体金属層は純粋な金属ビスマスまたは低融点のビスマス含有合金からなり、その際電場の影響下でイオンエミッタ１を用いてビスマスイオン混合ビームを放射可能であり、該ビスマスイオン混合ビームから、それらの質量が単原子の１重または多重に電荷されたビスマスイオンＢｉ_１^Ｐ＋の複数倍となる複数のビスマスイオン種のうちの１種が、フィルタ手段により、質量の純粋なイオンビームとしてろ過可能であり、該イオンビームは１種類のＢｉ_ｎ^Ｐ＋イオンのみから成っており、その際ｎ≧２およびｐ≧１であり、かつｎとｐはそれぞれ自然数であることを特徴とする質量分析器。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。
【解決手段】本方法では、ＦＩＢシステムをミリング・モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第１のセットと、画像化モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第２のセットの２つのＦＩＢシステム動作パラメータ・セットが利用される。これらの動作パラメータは、ＩＣＰ源内のガス圧、ＩＣＰ源へのＲＦ電力およびイオン抽出電圧を含むことができ、いくつかの実施形態では、レンズ電圧およびビーム画定アパーチャ直径を含むＦＩＢシステム・イオン・カラム内のさまざまなパラメータを含むことができる。最適化されたミリング・プロセスは、基板の表面から材料をバルク（低空間分解能）高速除去する最大ミリング速度を提供する。最適化された画像化プロセスは、ミリング中の基板領域の画像化を改善するため、最小化された材料除去およびより高い空間分解能を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビーム制限アパーチャの寿命を延ばし、エミッションを長時間安定に維持することができ、再現良く安定な状態に回復することができる液体金属イオン銃を提供する。
【解決手段】タングステン（Ｗ）により形成され、液体金属ガリウム（Ｇａ）を保持するリザーバ３６と、Ｗにより形成されたエミッタ３５とを有する液体金属イオン源３１と、Ｗにより形成されたベース４６にＧａよりなる液体金属材４４を載せて形成され、液体金属イオン源３１から引き出されたイオンビーム２の通過を許容する開口４１を有し、イオンビーム２の径を制限するビーム制限アパーチャ３３とを備えた液体金属イオン銃３において、ビーム制限アパーチャ３３は、液体金属４４を開口４１の周囲に集める溝構造４５を備える。 （もっと読む）

【課題】イオン源内の損傷を抑えつつビーム照射電極の被膜を除去できるビーム照射電極の被膜除去装置、これを備えたイオン源、及びビーム照射電極の被膜除去用部材を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ビーム照射電極２５の先端と対向する位置で当該ビーム照射電極２５との間に電圧が加えられることによって、ビーム照射電極２５の先端部に供給されたイオン原料ガス又は液体金属を強電界により電界電離してイオン化しこのイオン化されたイオン原料ガス又は液体金属をイオンビームとして引き出し、このイオンビームと衝突して二次電子を放出する二次電子放出部５１が移動部材１５０に設けられ、この二次電子放出部５１は、ビーム照射電極２５の先端と対向して二次電子の放出が可能な放出位置Ｐ２にあるときにイオンビームの進行を遮る形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高加速から低加速に亘って従来の集束イオンビーム装置に比べはるかに大きいビーム電流が得、かつ、小さい収差で集束イオンビームを形成することに関する。
【解決手段】本発明は、液体金属イオン源と、液体金属イオン源からイオンビームを引出す引出電極と、イオンビームを加速する加速（アース）電極と、イオンビームを収束する静電レンズと、を備え、液体金属イオン源の加速電圧が液体金属イオン源のエミッション閾値電圧より低い場合は、引出電極の電圧を加速（アース）電極より低い電位とする集束イオンビーム装置において、引出電極に印加される電圧の極性に連動して静電レンズに印加する電圧の極性を切り換えることに関する。本発明によれば、高加速電圧では静電レンズの耐電圧から減速モード集束法で行い、低加速電圧では加速モード集束法を同じ焦点距離の静電レンズで実施できる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ液体金属イオン源(LMIS)のイオン放射(エミッション)を安定に、かつ、長寿命にする。
【解決手段】Ｇａ液体金属イオン源２−１のエミッタ２−１１は、構成材料として母材のＷ１２と、表面を覆うイオン源材料のＧａ９を含んで構成されている。スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】比較的長寿命で、幅広い活性または不活性な組成物が利用できるマイクロメーターサイズのイオンエミッション源を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁中空ニードル（１０）を有するエミッター部材を有するイオンエミッター装置に関し、前記中空ニードルはその先（１３）から突出す電気的に絶縁の突端（１６）を構成する。更に、前記ニードル（１０）は前記突端（１６）の近傍に開口する逃げオリフィス（１４）を構成するキャビティ（１１）を有する。また、本発明は、前記エミッター装置と引き出し電極とを用い、前記引き出し電極へ引き出し電圧をかける工程を有する集束イオンエミッション方法を提供する。更に、前記装置がレギュレータ電極を有する場合は、前記方法は前記レギュレータ電極へレギュレーション電圧をかける工程を有する。
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【課題】
本発明は、放電のリスクを抑制しつつ、小型，軽量な液体金属イオン源の提供を目的とするものである。
【解決手段】
上記目的を達成するために、液体金属イオン源において、加熱電源からフィラメントに電圧を印加するための第１の導入電極と、加熱電源と加速電圧電源からフィラメントに電圧を印加するための第２の導入電極を備え、第１の導入電極と加熱電源に通ずる配線との第１の接続個所と、第２の導入電極と、加熱電源及び加速電圧電源に通ずる配線の第２の接続個所が、異なる高さに位置する液体金属イオン銃を提案する。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム装置は第１軸１４２に沿って放射されるイオンビーム１７０を発生させるためのイオンビーム源１１０と、イオンビームを整形するよう適合された開口ユニットと、所定の質量のイオンビームのイオンを偏向角でもって偏向するよう適合された収差補正型偏向ユニット１６２を含む。収差補正型偏向ユニットは電場を発生させるための電場発生コンポーネントと、実質的に電場に直交する磁場を発生させるための磁場発生コンポーネントを含む。装置は所定の質量とは異なる質量のイオンをブロックし、かつ既定の質量を有するイオンがその内部に侵入可能となるよう適合された質量分離開口部１５４と、第１軸に対して傾斜した第２光軸を有する対物レンズ１２４を更に含む。 （もっと読む）

【課題】
表面に液体金属を塗布したイオンビーム光学系用絞りにおいて、絞りベースのスパッタ，再付着によるイオン源の不安定化を防止する。
【解決手段】
液体金属イオン源を使用する集束イオンビーム装置において、イオンビーム径を制限する絞りが、前記イオンビームが通過する絞り孔を表面最下点に持つ凹部を備えた容器に、前記液体金属イオン源に用いられる液体金属を載せたものである集束イオンビーム装置。絞りベース材料が露出する絞り孔内面の面積をイオンビームが通過する下流側にテーパ面を設けることにより最小化しても良い。 （もっと読む）

【目的】 MEMSや半導体デバイス半導体素子の構造解析や不良解析において、より高速、かつ高精度の加工と高分解能の像観察を実現する。
【構成】 イオン源１のエミッタ先端からイオン源に最も近い集束レンズ２を構成している接地電極までの距離が５〜１４ｍｍの範囲にある２段レンズ光学系をFIB装置に搭載する。 （もっと読む）

一次イオンビームを作り出すイオン源を有する質量分析器であって、イオン源は、加熱可能なイオンエミッタを有しており、イオンエミッタは、液体金属層で被覆されており、液体金属層は、主に純粋な金属性ビスマスまたは低融点の、主にビスマスを含有する合金からなり、電場の影響下でイオンエミッタを用いてビスマスイオン混合ビームが放射可能であり、ビスマスイオン混合ビームから、それらの質量が単原子の１重または多重に電荷されたビスマスイオンＢｉ_１^Ｐ＋の複数倍となる複数のビスマスイオン種のうちの１種が、質量の純粋なイオンビームとしてろ過可能であり、該イオンビームは１種類のＢｉ_ｎ^Ｐ＋イオンのみから成っており、その際ｎ≧２およびｐ≧１であり、かつｎとｐはそれぞれ自然数である。
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本発明は、後方スパッタリングされた材料がイオン生成源に到達する確率を大きく低減するために、１つまたは複数の表面輪郭をイオン・カラム内の衝突領域に追加する。傾斜表面、後方スパッタリングされた材料を捕獲するカップを画定する表面、事前にテクスチャ化およびフォレスト化された表面を含めて、いくつかの異なる表面輪郭が開示される。異なる表面は、任意に組み合わせて使用することができる。後方スパッタリングされた材料がイオン源に到達するのを低減することにより、安定するまでの時間が低減され、作業の安定性が大きく向上し、ソースの寿命が長くなる。 （もっと読む）