【課題】走査フレームサイクル間でラスタ走査領域を調整することによって、画像標本上の電子露光を制御するためのシステムおよび方法
【解決手段】小さいズームイン走査領域および周囲領域は、走査フレーム間で複数回のフレームサイクルの間に正の電荷でフラッドされることによって走査領域と周囲領域との間の電圧差分を減少させ、それによって走査された画像中の小さい特徴を不明確にする傾向にある正の電荷蓄積を減少させる。標本上の画素エレメントへのピーク電流は、通例の映像と比較すると非常に短いライン時間でビームを走査するによって低減される。画像データのフレームは、さらに、任意のプログラム可能パターンで非逐次的に獲得され得る。あるいは、非活性ガスは、電子ビームが標本に当たる点で走査電子顕微鏡に注入されて、電子ビームによる不活性ガスのイオン化によって標本上の電荷蓄積を中和化し得る。 （もっと読む）

【課題】分解能の向上と焦点深度の向上の両立を可能とする走査形荷電粒子顕微鏡の提供する。
【解決手段】荷電粒子線の通過を制限する通過開口を、荷電粒子源と走査偏向器の間に配置し、当該通過開口は、その開口中心に荷電粒子線の通過を制限する部材を備えてなることを特徴とする走査形荷電粒子顕微鏡を提供する。 （もっと読む）

本発明は、粒子光学式走査顕微鏡のための位置決め装置、対応した位置決め補助装置を備える粒子光学式走査顕微鏡、ならびに粒子光学式走査顕微鏡で物体の焦点合わせおよび位置決めを行う方法に関する。焦点合わせおよび位置決め補助装置は、あらかじめ規定された位置で粒子光学ビーム軸線と交差する、粒子光学ビーム軸線に対して所定の角度で、コリメートまたは焦点合わせされた光ビームを生成する照明装置と、対物ステージに位置決めされた物体の画像を、粒子光学ビーム軸線に対して相対的な第２の角度で撮影する、光ビームの波長に対して感応性のカメラと、ディスプレイと、カメラによって撮影された画像を、画像内の粒子光学ビーム軸線の位置を示す標識と一緒にディスプレイ上に形成するための制御装置とを有している。
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【課題】試料室外と試料室内とで帯電電圧が異なるウェーハ表面の試料室内での帯電電圧を正確に、かつ、簡易迅速に自動測定することにより、高速なフォーカス合わせを行うことができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料上方に配置されるリタ−ディング電圧を印加するための電極板を２つの部分に分割し、分割した各々の電極の電位を切り替えることにより、両電極板間の静電容量から試料の帯電電圧を測定し、当該測定結果に基づいて光学系を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速、安定、高精度に検査可能とする。
【解決手段】被検査基板９に、高速に大電流の電子線１９を照射して回路パターンの部材の電位が変動する前に電子線画像を形成する。また、検査用画像を形成するための第一の電子線以外に第二の荷電粒子線１０４を被検査基板９に照射し、部材の電位状態を安定させた後に検査を実施する。また、二次電子検出信号をデジタル化してから転送し、高効率に高ＳＮ比で良質な電子線画像を取得する。
【効果】上記検査方法により、絶縁材料を有する回路パターンの検査が可能となった。これにより半導体装置など各種基板製造プロセスの過程で発生した従来技術では検知できない不良や異常を発見できるようになり、基板製造プロセスの不良率を低減し信頼性を向上した。 （もっと読む）

【課題】ケア領域が小さい場合に十分にスループットを向上させることができる評価方法を提供すること。
【手段】複数のダイ２が配列されたウェーハ１に電子ビームを照射して該ウェーハの評価を行う評価方法であって、それぞれのダイ２に、評価を要する小領域３−１〜３−Ｎを設定し、ウェーハ１を載置したステージを、電子ビームが小領域３−１〜３−Ｎを照射する期間には一定の速度で走行させ、電子ビームが小領域３−１〜３−Ｎでない領域を照射し得る期間には一定の速度よりも大きな速度で走行させることにより、スループットを向上させる。表面電荷の蓄積による試料損傷がなく且つスループットを向上させる実施の形態と、光軸上に複数のビームを形成してスループットを向上させる実施の形態についても開示している。 （もっと読む）

【課題】
ＣＮＴ等の高輝度荷電電粒子線源からの荷電粒子線を安定に放出し、高分解能で長時間安定な荷電粒子線装置技術を提供する。
【解決手段】
本発明では、表面クリーニング（清浄化）手段を設け、これにより、例えば、ＣＮＴ表面に付着した非晶質のコンタミ膜を除去するよう構成する。そのために、表面クリーニング手段として、反応ガス導入手段５、６とガス活性化手段３０を備え、ＣＮＴ等の電子源１を入れるクリーナーを構成し、使用前に電子源１を処理する構造とする。あるいは、電子銃装置に、反応ガス導入手段とガス活性化手段を組み込み、装置内で表面クリーニングする構成とする。 （もっと読む）

【課題】像形成条件に連動して、最適な焦点ずらし量で複数画像を取得し、最小の画像取り込み数で、最大の焦点深度拡大効果が得る電子線装置の提供。
【解決手段】電子源から放出された１次電子ビーム４を対物レンズ７で細く絞るビーム収束手段５，６と、１次電子を試料１０上で走査するビーム走査手段と、該ビーム走査によって試料から発生する２次信号１２を検出する検出手段１３と、２次信号１２から試料像を形成する像形成手段を備え試料の走査像を得る電子線装置において、像形成条件に連動してビーム収束位置変化幅を決めるフォーカス制御量決定手段１５と、フォーカス制御量
に対応してビームのフォーカス条件を制御するフォーカス制御手段と、画像の枚数を決定する画像数決定手段と、該フォーカス制御手段１５で制御された異なる複数のフォーカス条件の画像を連続して取り込む画像取得手段と、複数画像を記憶する記憶手段とを有する電子線装置。 （もっと読む）

【課題】試料の表面情報が高分解能のＳＥＭ観察像で得られる走査型電子顕微鏡を得る。
【解決手段】試料を保持する試料ホルダ、電子線を加速させて放射する電子源、該放射された電子線を絞り込んで電子プローブを形成する電子レンズ系、該電子プローブを試料表面上で走査させる走査手段及び電子走査により試料から放出される二次電子を検出する検出器を有する走査型電子顕微鏡において、検出器と試料ホルダとの距離間隔を変化させる位置変更手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に電子線を所定の間隔で複数回照射して、接合リーク不良発生箇所を特定でき、半導体製造工程途中のウエハで本検査を実行することにより接合形成プロセス条件の最適化を行うことができる検査方法及び装置、半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】工程途中のウエハに対して、接合が逆バイアスになる条件で、電子ビームを所定の間隔で複数回照射し、逆バイアスにおける帯電緩和の時間特性の差をモニタする。接合リークが発生した箇所は正常部よりも短時間に帯電が緩和するので、正常部と不良部で電位差が生じ、電位コントラスト像で明るさの差として観察される。この画像を取得し、リアルタイム画像処理を施し、不良部の位置と明るさを記憶する動作を順次繰り返すことにより、指定領域の自動検査を実施できる。不良部の画像、明るさ、分布等の情報は、検査後自動的に保存・出力される。 （もっと読む）

【課題】小型の光学系でも高い効率で二次電子を検出する。
【解決手段】リターディング電位をウェーハＷに印加するときは、縮小レンズ６３とプリ主偏向器９５’との間に配設された二次電子検出器３１で二次電子を検出し、リターディング電位をウェーハＷに印加しないときは、対物レンズ６５とウェーハＷとの間に配設された二次電子検出器３３で二次電子を検出する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームの収差を抑えビーム径を小さくするとともに、低エネルギーで荷電粒子ビームを安定して照射することが可能な荷電粒子ビーム装置及びその照射方法を提供する。また、荷電粒子ビームの量及びエネルギー並びに荷電粒子ビームの集束を自在に調整することが可能な荷電粒子ビーム装置及びその照射方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置１は、加速電圧Ｅを印加された荷電粒子供給部３と、荷電粒子ビームＢを引き出し加速させる加速手段４と、荷電粒子ビームＢを集束し接地された試料表面Ｓに照射する集束手段５とを備えている。加速手段４及び集束手段５は、バイポテンシャルレンズ８、９を備える。出射側電極８ｃと入射側電極９ａは、荷電粒子ビームＢの極性と異なる極性の電圧を印加する中間加速電源１４と接続される。入射側電極８ａは引き出し電源１１と接続され、出射側電極９ｃは接地されている。 （もっと読む）

【目的】本発明は、正確かつ迅速なフォーカス制御を必要とする荷電粒子線装置、特に半導体ウェハやフォトマスク等の表面の観察、検査を行う荷電粒子線装置および荷電粒子線フォーカス制御方法に関し、静電レンズの可変電圧を極めて小さくして正確にフォーカス制御することを目的とする。
【構成】 磁界型対物レンズのレンズ磁界内に配置した静電レンズと、静電レンズを構成する電極に電圧を印加し、磁界型対物レンズの磁界中を通過する荷電粒子線ビームを加速あるいは減速して磁界型レンズによるレンズ作用を弱めあるいは強めさせると共に、静電レンズで荷電粒子線ビームをフォーカスさせ、フォーカス制御するフォーカス制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
繊維状炭素物質先端部を破壊することなく、その先端部に存在するアモルファスカーボンを除去することができる手段を有する電界放出型電子銃およびその運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の課題を解決するための手段は、単一の繊維状炭素物質とそれを支持する導電性基材から構成される電界放出型陰極と、電子を電界放出させる引出装置と、電子を加速させる加速装置を有する電界放出型電子銃に、該電界放出型陰極を加熱する手段および該電界放出型陰極に電子を電界放出させない極性の電圧を印加する手段を具備することにある。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡のトータルスループットを向上させる。
【解決手段】
ロードロック部１５に設けた高さ検出器や光学顕微鏡３０といった試料情報取得手段によって、試料室２２で観察する試料の高さ情報やアライメント情報といった試料情報の取得を、ロードロック部１５から試料５を試料室２２への搬送するに際して実行されるロードロック部１５の減圧作業と並行して、ロードロック部１５に収容されている試料５に対して実行する。 （もっと読む）

【課題】電子線による半導体装置やフォトマスク等のパターン検査・計測技術に関し、従来技術に比べて高い精度で試料の帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置、検査・計測方法を提供する。また、簡単な構成で帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置を実現する。
【解決手段】各検査・計測対象となる半導体装置に対して、S字カーブを観測する際に、照射する一次電子線のエネルギーを最適化することにより、被検査試料表面の帯電電位の変動を抑制できる。
【効果】半導体装置の表面電位を測定する際，絶縁膜表面本来の帯電電位にほとんど影響を及ぼさずに、従来より正確な電位測定が可能となる。また、エネルギーフィルタ等、ウェハ表面電位測定用の専用装置を搭載せずに表面電位測定が可能であるため、装置のコストダウンに繋がる。 （もっと読む）

【課題】
検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】
電子源から発生した電子ビームが対物レンズによって試料に収束され、試料が電子ビームで走査され、それによって試料から荷電粒子が発生するように電子ビームが偏向され、走査の間試料を連続的に移動し、試料の移動中に試料の高さを測定して対物レンズの焦点距離を補正し、試料から発生した荷電粒子が対物レンズと試料との間から荷電粒子検出器によって検出されて電気信号に変換され、この電気信号が画像信号として記憶され、この記憶された画像信号を用いて画像比較が実行され、試料の欠陥が検出される。 （もっと読む）

【課題】電子カラムにおいて電子放出源と第１の電極との間で低電圧差の方法を使用しながら電子ビームエネルギーを自由に調節することができるように、試料上の最終電極（レンズ層またはフォーカスレンズ）をフローティングさせる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電子ビームを発生させる電子カラムにおいて電子ビームのエネルギーを効率よく変換させるための方法に関する。この方法は、電子ビームが試料に到達するときにエネルギーを自由に調節するために、試料に到達する最終電子ビームが所要のエネルギーを持つように、電圧を電極にさらに印加する段階を含む。
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【課題】複数の電子線間のクロストークを防止し、放出される２次電子を効率良く検出器に導くことができ、スループットを向上した欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】２次電子の像面1005での開口角度と拡大倍率から、対物レンズから見た試料面1010での見掛けの角度を求め、該見掛けの角度と、２次電子の初期エネルギーと、対物レンズのビームポテンシャルから試料面での受け入れ角度を求め、該受け入れ角度を基に、２次電子の収率を求め、所要のＳ／Ｎ比と、開口角で決まる分解能に基づいて、隣接１次電子線の照射間隔をクロストークが問題にならないような距離以上に離す。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームで試料を照射して走査し、質量に対応して多くなる反射電子を検出・増幅して反射電子線像を生成する検査装置および検査装置の照射ビームサイズ調整方法に関し、電子線ビームで試料を照射して走査し、質量に対応して多くなる反射電子を検出・増幅して生成した反射電子線像を生成する際に、電子線ビームで試料を照射して走査する条件を倍率変更前と倍率変更後でほぼ同じにし、倍率可変しても適切な濃淡を持つ反射電子線像を生成することを目的とする。
【構成】 倍率の変更指示があったときに、変更指示された倍率にしたときに変更前の条件がほぼ同一となるように電子線ビームのスポットサイズを調整する手段と、調整された後の電子線ビームで変更指示された倍率に対応して試料を照射して走査する手段とを備えた検査装置である。 （もっと読む）