【課題】相対位置が固定された二段のコンデンサレンズから収束レンズが構成される場合に、各コンデンサレンズと対物レンズのそれぞれの中心に電子ビームの光軸が通るように軸合わせを行うことを可能とする。
【解決手段】それぞれ焦点調整が可能な二段の収束レンズ３１、３２と電子銃１との間に入口側ビーム偏向部２を、収束レンズ３１、３２と対物アパーチャ板５との間に出口側ビーム偏向部４を配置する。各ビーム偏向部２、４はそれぞれ軸Ｃ方向に配置された二段の偏向器からなる。収束レンズ３１、３２のレンズ中心が軸Ｃ上にない場合でも、入口側ビーム偏向部２でビームを二段階に偏向させることで両収束レンズ３１、３２のレンズ中心に光軸を合わせることができ、さらに、出口側ビーム偏向部４でビームを二段階に偏向させることで対物レンズ７の中心に光軸を合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】
一次電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥を低減する高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】
複数の一次電子ビームを有する半導体検査装置において、前記複数一次電子ビームが被検査試料を照射する位置を個別に設定調整手段を有する。前記複数一次電子ビームの試料上の照射位置を前記被検査試料の繰り返しパターン間隔に合わせて設定して、比較対象の繰り返しパターン画像を同時に取得する。同時に取得した複数の画像上に、比較する繰り返しパターンの処に一次電子ビームの走査ずれは同じである。そのため、差画像上に電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥がなくなって、高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】レンズにて球面収差が生じることを防止して、対象物上に荷電粒子線要素を精度よく照射する。
【解決手段】描画装置は、２次元的に配列された複数の出射源から複数の電子ビーム要素をそれぞれ出射する電子ビーム出射部、および、複数の電子ビーム要素を基板上に導く電子光学系を備え、電子光学系は、出射方向に平行な中心軸Ｊ１に対して回転対称のポテンシャルを生成する静電レンズ４１を有する。パターンの描画の際には、中心軸Ｊ１を中心としてリング状に出射される電子ビーム要素群を、リング半径を変更しつつ順次出射させるとともに、リング半径に関わらず電子ビーム要素群が中心軸Ｊ１上の同一の位置を通過するように、静電レンズ４１により電子ビーム要素群に作用する場がリング半径に応じて変更される。これにより、静電レンズ４１にて球面収差が生じることを防止して、基板上に電子ビーム要素を精度よく照射することができる。 （もっと読む）

【課題】観察試料又は欠陥部の帯電状態が最適になった時点で信号検出をできる荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法を提供する。
【解決手段】観察試料１００に対しての始めの帯電促進用の電子ビーム２１の照射から次の試料観察用の電子ビーム２１の照射までのを帯電待ち時間Ｔを、観察試料１００又は観察試料１００に発生する欠陥部１１２の状態に応じて設定し、この帯電待ち時間Ｔに基づいて観察試料１００に対して帯電促進用の電子ビーム２１の照射と試料観察用の電子ビーム２１の照射とを行う。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】従来のＳＥＭでは、帯電した試料においてフォーカスを合わせることができなかったり、倍率を正しく計算することができないために、正しいパターン寸法を計測することができなかった。
【解決手段】一次電子線が試料に到達しない状態のリターディング電圧と、一次電子が試料に到達する状態のリターディング電圧との間で、リターディング電圧を掃引させ、そのときの二次電子検出器の出力を検出し、リターディング電圧と二次電子検出器の出力の特性を取得し、リターディング電圧と二次電子検出器の出力の特性のシフトに基づいて試料表面の電位を求める。 （もっと読む）

【課題】高い縦分解能と高い横分解能を同時に実現する。
【解決手段】粒子ビーム顕微鏡は、リング状の円錐形状を有する粒子ビームを生成する照明系を備える。選択的検出系は、対象物領域を通過した粒子の２つの粒子グループにおける一方を選択的に検出するように構成する。第１粒子グループは、散乱せずに、または小さい散乱量で散乱して対象物領域を通過した粒子を含む。第２粒子グループは、対象物領域においてより大きい散乱量で散乱した粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の状態が変化した場合、高精度かつ高速に光軸調整を可能とする荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料に荷電粒子線を照射し、該試料から発生する二次信号から画像を生成する荷電粒子線装置として、荷電粒子線を試料へ集束させる電磁界重畳レンズと、荷電粒子線を試料に対して減速させるリターディング電極と、記試料から発生する二次信号を検出器へ引上げるブースティング電極と、荷電粒子線の光軸調整を、リターディング電極に印加する電圧の可変制御による調整とブースティング電極に印加する電圧の可変制御による調整のいずれかを選択的に実行するコンピュータとを搭載するものを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビーム条件が変化するごとにエネルギー幅や分解能等を測定することなく、これらのパラメータを容易に把握することが可能な電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、電子銃と、当該電子銃から放出される電子の条件を調整する調整素子と、当該調整素子条件を設定する設定装置を備えた電子顕微鏡において、前記設定装置によって設定される調整素子条件に対する前記電子銃から放出される電子のエネルギー幅、或いは分解能に関する情報、或いは前記調整素子条件と前記エネルギー幅、或いは分解能との関連式を記憶する記憶媒体と、前記設定装置による前記調整素子条件の設定に基づいて、前記記憶された、或いは前記関連式に基づいて演算されるエネルギー幅、或いは分解能に関する情報を表示する表示装置を備えたことを特徴とする電子顕微鏡を提供する。 （もっと読む）

【課題】対物レンズの励磁制御回路のノイズが小さいタイミングで高分解能な画像を取得できる荷電粒子線装置を得る。
【解決手段】荷電粒子線を試料に集束させる対物レンズと、対物レンズの強度を変えるために電圧を印加する対物レンズ制御電源と、対物レンズに印加される電圧の値を設定し制御する全体制御装置と、対物レンズに印加される電圧の値を計測する電圧計とを備え、全体制御装置は、電圧計で計測された電圧の値の時間的変化を全体制御装置に接続されたディスプレイへ表示する。 （もっと読む）

【課題】無限回転可能な試料ステージを有し、試料周辺の電界の乱れを抑制することで、試料全面を画像歪みなく観察可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料には回転ステージの回転中心にてホルダ受けと接触するリターディング電極を通じて電圧印加し、試料外周部には電界歪みを補正するための電界制御電極を備える。電界制御電極に電圧印加することで、電界制御電極上の等電位面を変化させ、それに伴い、試料端部における等電位面を補正し、試料端部まで観察可能とする。 （もっと読む）

【課題】セミインレンズ型の対物レンズを用いたＥＢＳＤ方式による試料の結晶方位観察を良好に行う。
【解決手段】電子線装置は、電子線１１を試料６上で集束させて照射するためのセミインレンズ型の対物レンズ４と、試料６上での電子線１１の走査に応じて走査像を取得するための信号検出手段と、試料６への電子線１１の照射に応じてＥＢＳＰを取得するためのＥＢＳＰ検出手段２２と、対物レンズ４を駆動する駆動回路４ａ中の増幅器の増幅率を切り換えるための増幅率切換手段３１と、対物レンズ４を駆動する駆動回路４ａへ供給される信号を手動にて微調整可能とする手動調整部９とを備えており、制御部７は、ＥＢＳＰの取得時における当該増幅器の増幅率が、走査像の取得時における当該増幅器の増幅率に対して小さくなるように増幅率切換手段３１を制御する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、走査型電子顕微鏡の実機の機能を可視化して制御する操作装置に関し、小中校、高等学校、大学等における教育用ＳＥＭや、ＳＥＭ操作の初心者用シミュレータ等として用いたり、電子線状態を実験パラメターとして問う場合が多い表面解析分野などに用いたりすることを目的とする。
【構成】走査型電子顕微鏡の実機の機能および電子線ビームの軌道を可視化した実機模式図上に表示された機能の形状あるいは表示された電子線ビームの位置を調整する操作手段と、操作手段により機能の形状あるいは表示された電子線ビームの位置が調整されたときに調整後の状態を表示する表示手段と、検出された調整後の調整された形状あるいは調整された位置に対応して、実機の機能に対する電圧あるいは電流を算出する算出手段と、算出手段によって算出された電圧あるいは電流を実機の該当機能に供給する実行手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、数多くの測定点が試料上に存在する場合であっても、ＦＯＶの位置、或いは大きさを容易に設定することが可能な荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に、複数の測定点を包含するように、荷電粒子線装置の視野を決定する画像取得条件決定方法であって、視野の４つの辺について、それぞれ測定点が重畳するか否かの判断を行い、当該各辺について測定点が、視野の内側、或いは外側に移動するように視野を移動させ、当該移動後の視野位置を、前記荷電粒子線装置の視野位置を決定することを特徴とする画像取得条件決定方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、前記４つの辺について、それぞれ測定点が重畳するか否かの判断を行い、各辺に前記複数の測定点が重畳しない範囲までＦＯＶの大きさを変化させる方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡において任意のサンプルの観察あるいは測定部位におけるチャージアップの検出を、ハードウェアの改造を必要とせずに、実施できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フォーカス値として走査型電子顕微鏡の観察サンプル載置用ステージの高さ方向の位置および／あるいは走査型電子顕微鏡の対物レンズの励磁電流値および／あるいは走査型電子顕微鏡のリターディング電圧値をフォーカス値とし、各パターンのフォーカス値が導電性膜リッチ領域と絶縁性部リッチ領域の境界付近で段差を持つ変化をする時にチャージアップが起こっていると判断する。 （もっと読む）

【課題】
走査電子顕微鏡において、実観察で得られる放出電子の検出値を高精度に推定する方法、実観察で得られるＳＥＭ像を高精度にシミュレーションする方法と模擬ＳＥＭ像が実際に得られるように電子光学系等が設定される装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡本体１内の電子光学系４の電磁場分布ＥＭを算出し、当該電磁場分布ＥＭにおける試料５からの第１放出電子５０及び第１放出電子の衝突によって電子光学系から放出される第２放出電子５２の検出値をモンテカルロ法によって算出する。試料５に対する電子線２の入射位置毎に検出値を求め、その検出値に応じたＳＥＭ像を作成する。該ＳＥＭ像の中から所望の像を選択し指定すると、電子光学系等がシミュレーションした条件に設定されてそのようなＳＥＭ像が実観察できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ等の基板に欠陥などを生じさせることなく、ウェハを帯電させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置製造プロセスで形成されるパターンの検査前に実行されるプリチャージの最適な条件を簡易に設定できるようにし、プリチャージの良否を自動判定し、その後の動作にフィードバックするようにして、検査結果の信頼性の低下を防ぎ、常に安定した検査ができるようにする。
【解決手段】
電子ビームを照射する前に、電子ビームを発生させる電子源とは別の第二の電子源から電子を発生させて基板の表面に帯電を形成させる帯電形成手段と、該帯電形成手段により基板の表面に帯電が形成された状態で、基板に流れる電流の値を計測する電流計測手段と、該電流計測手段により計測された電流の値が予め定められた目標値になるように帯電形成手段により形成される帯電を調整する調整手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】観察試料へのダメージと帯電を抑制するために、電子ビームの照射時のランディングエネルギーを下げ、且つ連続可変が可能な電子線応用装置を得る。
【解決手段】ランディングエネルギーとビーム電流の所望の設定において分解能と検出効率を適切に保つために、制御部２０１は、試料上のビーム開き角と二次電子の軌道に関する制御式又は制御リストを保持し、電子銃と２つのコンデンサレンズ１０９、１１１と対物レンズ１０６とステージ１１４の設定を、ランディングエネルギーとビーム電流の所望の設定に連動して自動制御することにより、低加速で高分解能な観察が可能な電子線応用装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビームスキャン範囲（視野、ＦＯＶ）を拡大し、ＦＯＶ面内の測定値がばらつかないようにＣＤの面内分布を均一又は略均一に分布させ、ローカルなＣＤのばらつき、縦線と横線のＣＤの違いなどのプロセス管理が容易な、電子ビームを用いる検査画像、検査方法、検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム検査の検査画像が、複数枚の画像の各々を細分割したサブフィールドについての最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わされて1枚の画像とする。対物レンズのフォーカス、若しくは、試料ステージの上下位置を所定の間隔で変化させ、複数枚の画像を取得する第１のステップ、取得した画像と設計データを比較し、ＦＯＶ内のＣＤ分布を計算する第２のステップ、ＦＯＶをサブフィールドに分割し、ＣＤ分布が均一になるように、各サブフィールドの最適フォーカス位置での分割画像をつなぎ合わせ、１枚の検査画像を得る第３のステップとを有する。 （もっと読む）