荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子源と、前記荷電粒子ビームのビーム経路中に配置された多孔プレートとを備えた粒子光学装置である。前記多孔プレートは、所定の第１のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、前記多孔プレートの下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、前記複数の小ビームにより、第２のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが前記粒子光学装置の像平面に形成される。前記粒子光学装置は、前記荷電粒子ビーム及び／又は前記複数の小ビームを操作するための粒子光学素子をさらに備える。前記第１のアレイパターンは、第１の方向に第１のパターン規則性を有し、前記第２のアレイパターンは、前記第１の方向に電子光学的に対応する第２の方向に第２のパターン規則性を有する。前記第２のパターン規則性は、前記第１のパターン規則性よりも高い。 （もっと読む）

本発明は、荷電粒子ビーム装置を提供する。この装置は、クロスオーバを生成する第１のレンズ（１０１、５１０）と、このクロスオーバの後に位置決めされた第２のレンズ（１０２、５１２）と、中心がクロスオーバと本質的に同じｚ位置にあり、ｘ−ｚ面内で集束的かつ分散的に作用する要素とを備える。さらに、ｘ−ｚ面内およびｙ−ｚ面内で作用する多極子要素が設けられる。第１の荷電粒子選択要素および第２の荷電粒子選択要素を使用して、荷電粒子の一部を選択する。それによって、例えば、荷電粒子ビームのエネルギー幅を狭めることができる。 （もっと読む）

粒子ビームがモノクロメータフィルタアセンブリに入る前にこの粒子ビームを成形するためのアパーチャプレートを有する粒子光学装置。この装置は、少なくとも１つのアパーチャを有し、かつ通常の動作状態において前記モノクロメータフィルタアセンブリに対して調節可能である。このため、前記粒子ビームを成形するために使用される前記アパーチャの大きさは変更することが可能であり、従って、前記モノクロメータフィルタアセンブリに入るビーム電流は変化させることができる。

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【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 （もっと読む）