【課題】高分解能、高スループットのマルチビーム検査装置を実現するために、ラングミュア限界を越える高輝度、かつ高エミッタンスの電子ビームを得る。
【解決手段】平面カソード、ウェーネルト、引き出し電極（又はアノード）を有する電子銃の後方に、レンズを設けてクロスオーバを形成することにより高輝度でエネルギー幅の小さい電子ビームを実現した。このビームを得るために、カソード電流Ieとカソード半径Rcは、単位をそれぞれmAとμｍとしたとき、シミュレーション結果に基づいて、0.5＋0.0098Rc＜Ie＜2.3＋0.026Rcとし、電子銃の輝度は前記レンズの強さを変えて調整する。輝度Ｂとカソード電流密度Ｊｃの関係を示すシミュレーション値５７１（破線）は実測値５７２と比較的良く一致し、かつ輝度はラングミュア限界５７３を超えている。 （もっと読む）

【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。
【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程（Ｓ４）と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程（Ｓ５）と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程（Ｓ６）とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。 （もっと読む）

【課題】
アスペクト比の大きなコンタクトホールの観察，検査、或いは測定を高精度に実現ならしめる方法、及び装置を提供する。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料に第１の電子ビームを走査して、試料上を帯電させた後に、第２の電子ビームを走査して試料の観察，検査、或いは測定を行う方法、及び装置において、第１の電子ビームのビーム径を、第２の電子ビームのビーム径より大きくする方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】非対称な高次の収差を発生させずに色収差，球面収差を補正することのできる荷電粒子ビーム反射装置と電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】直線光軸上１０Ａに所定間隔を隔てて配置されるとともに、電子銃１１から直線光軸上１０Ａに沿って放射された荷電粒子ビームを通過させる通過穴２１ａ，２２ａを有し、印加電圧に応じて荷電粒子ビームを反射させたり、通過穴２１ａ，２２ａを通過させたりする機能を有する少なくとも２つの静電ミラー２１，２２と、この２つの静電ミラー２１，２２に印加する電圧を制御する制御装置３０とを備え、この制御装置３０は、反射機能を与える反射電圧を静電ミラー２１，２２にそれぞれ所定のタイミングで印加し、電子銃１１からの荷電粒子ビームを静電ミラー２１，２２の間で複数回反射させる。 （もっと読む）

【課題】特にアライメント補正用のパターンを備えた試料でなくても、自動的にアライメント補正が行える場合にはアライメント補正を自動的に行えるようにする。
【解決手段】電子線装置の補正に際して、対物レンズの励磁状態に対応した複数のパターン像データを取得するパターン像データ取得ステップ（ＳＴ１１）と、観察領域のシフト量を求めるシフト量取得ステップとパターン像データが前記観察領域でレンズアライメントの補正に適しているかを判定する補正適否判定ステップ（ＳＴ１３，１６）と、前記シフト量取得ステップで求めたシフト量に基づいてレンズアライメント補正を実行する必要があるかどうかを判定する補正実行判定ステップと（ＳＴ１８）、前記シフト量からアライメント補正量を求める補正量算出ステップ（ＳＴ１９）と、前記アライメント補正量に基づいてアライメント補正を行うアライメント補正ステップ（ＳＴ２０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、永久磁石により構成されるコンデンサレンズを使用した走査電子顕微鏡において、プローブ電流の大きさを可変できる走査電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を解決するために、本発明の一実施態様は、コンデンサレンズが永久磁石により構成されている走査電子顕微鏡において、電子源とアノード電極との間の距離を可変可能とする機構を設けたことを特徴とする。さらに、電子源とアノード電極との間の距離を可変可能とする機構は、アノード電極の下部にスペーサを挿入可能な構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測すること。
【解決手段】感光体静電潜像の測定装置は、試料に対して、電子ビームを照射することで、試料上に帯電電荷を生成させる手段と、静電潜像を形成させるための露光光学系手段と、試料面を電子ビームで走査し、該走査で得られる検出信号により、試料面の静電潜像分布を測定する。また、試料の観察領域に対して、エミッタから放出される放射光照射による静電潜像変動を低減するための放射光遮光手段を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件を自動的に調整する装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、荷電粒子線を試料に向けて照射している状態において、当該荷電粒子線が試料へ到達しない状態（以下ミラー状態と称することもある）となるように、試料に電圧を印加し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び測定結果を基に自動的に装置条件を調整する装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、軸合せや強度の調整機能を省いたコンデンサレンズを使用した小型の走査電子顕微鏡において、散乱電子を制限して画像の分解能の低下を防止する。
【解決手段】本発明は、電子ビームが通過するインナーパイプ内部を真空とし、試料室との間に設けた対物絞りにより低真空観察が可能な走査電子顕微鏡において、対物絞りと試料との間にさらに第二の対物絞りを設けた２段対物絞りユニットをインナーパイプの端に設ける。また、２段対物絞りユニットを設けたインナーパイプと、対物絞りのみを設けた対物絞りユニットを設けたインナーパイプとを交換可能とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】走査形電子顕微鏡において、低倍像では深い焦点深度を、高倍像では高分解能像を得るために集束レンズの結像位置を高速に、再現性良く変更する。
【解決手段】試料を保持する試料保持部と、電子線源と、電子線源から放出された電子線を収束するための集束レンズと、集束された電子線を試料上に微小スポットとして照射する対物レンズと、電子線を試料上に走査する走査コイルと、電子線照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、検出器にて検出された試料信号を画像として表示する表示部とを備え、集束レンズが発生する磁界中には軸対称の電極を設置して電圧を印加する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】
電子源から発生した電子ビームが対物レンズによって試料に収束され、試料が電子ビームで走査され、それによって試料から荷電粒子が発生するように電子ビームが偏向され、走査の間試料を連続的に移動し、試料の移動中に試料の高さを測定して対物レンズの焦点距離を補正し、試料から発生した荷電粒子が対物レンズと試料との間から荷電粒子検出器によって検出されて電気信号に変換され、この電気信号が画像信号として記憶され、この記憶された画像信号を用いて画像比較が実行され、試料の欠陥が検出される。 （もっと読む）

【課題】観察像の歪みを簡単に低減することができる試料観察装置とその補正方法を提供すること。
【解決手段】電磁レンズ系１３を透過した電子ビームEBを、補正用パターン１０１が形成された標準試料Sに当てるステップS1と、標準試料Sに当てられた電子ビームEBをSTEM検出器１７で検出することにより、補正用パターン１０１の観察像を得るステップS2と、電磁レンズ系１３に起因して発生した観察像の歪みにより、該補正用パターン１０１の複数の交点（基準点）P_stが前記観察像においてどの程度位置ずれしたかを算出するステップS3と、上記位置ずれが無くなるように、観察像の画像データD₂を補正するステップS4とを有する試料観察装置の補正方法による。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム型の荷電粒子線応用装置において、試料の特性に応じて試料表面における電界や電圧を変更すると、試料表面における複数の一次ビーム、検出器上における複数の二次ビームの配置が変化する。
【解決手段】
試料の特性に応じて試料表面における電界や、試料に印加する電圧などの検査条件等の動作条件の変更に対応し、試料表面における一次ビーム110を理想的な配置に調整するため、キャリブレーションを行う。試料表面における一次ビーム110の配置を、画像表示部136に表示した、ステージ117上の基準マーク116の画像として取得する。この画像から、基準マーク116の理想状態からのずれ量を計測し、一次電子光学系108他の調整によって補正する。同様に、複数の二次ビームが二次ビーム検出器121に照射される位置を、二次ビーム検出器121の出力を用いて調整して、キャリブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】高分解能、高スループットのマルチビーム検査装置を実現するために、ラングミュア限界を越える高輝度、かつ高エミッタンスのビームを得る。
【解決手段】電子銃は光陰極のカソード、平面の一部の形状の引出し電極又はアノード、及び円錐台形状のウエーネルト電極を有し、カソード電流Ieとカソード半径Rcの単位をそれぞれmAとμｍとしたとき、カソード電流をシミュレーション結果に基づいて、0.5＋0.0098Rc＜Ie＜2.4＋0.026Rcとする。輝度Ｂとカソード電流密度Ｊｃの関係は、シミュレーション値５７１（破線）と実測値５７２は比較的良く一致し、かつ輝度はラングミュア限界５７３を超えている。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム照射に起因する帯電の影響を簡便な構成で除去する。
【解決手段】 電子線走査の振り戻し変更時、一次電子線のランディングエネルギーを変えることで、帯電の影響を除去または抑制する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得し、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する方法の提供。
【解決手段】半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハ１８を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ１８表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ１８面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極走査電子顕微鏡において、２次電子収集効率やスピン偏極度を維持しながら、試料に１ｋＯｅレベル以上の高磁場を印加しながら測定できる装置を提供する。
【解決手段】電子銃から出射される１次電子線を磁性体試料２０２に照射する照射光学系と、試料を載置する試料載置手段と、１次電子線の照射により試料から放出される２次電子を搬送する搬送光学系と、搬送された２次電子のスピン偏極度を信号として検出するスピン検出器とを有し、スピン偏極度にかかる信号をもとに試料の磁区像を観察するスピン偏極走査電子顕微鏡において、試料載置手段は、試料に磁界を印加する磁場印加機構２０３、２０６、２０７を有し、該磁場印加機構は、１次電子線および２次電子２１０が通過する開口部を備えた磁気シールド部材２０３を有し、該磁気シールド部材を試料の電子銃側表面に配置して、試料面上の浮遊磁界を封じるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
二次粒子を所望のエネルギー領域でバンドパス弁別し，なおかつ高収量で検出できる走査電子顕微鏡を提供することを課題とする。
【解決手段】
対物レンズ１８より電子源側にレンズ２３を設け，このレンズより電子銃側で一次電子線がいかなる光学系を形成していた場合でも，一次電子線を特定の位置である収束点２４に収束させるように動作させる。一次電子線の収束点２４には，試料２から発生する二次粒子の軌道に作用する場を供給する検出部用ExB１６を設け，特定のエネルギー範囲の二次粒子のみを検出部１３に導く。二次粒子の軌道に作用する場が供給される位置が一次電子線１９の収束点であるため，一次電子線１９の収差を拡大させずに所望のエネルギーの二次粒子のみを検出部に導くこと，更にはエネルギーのバンドパス弁別を効果的に行うことが可能になり，観察目的に応じた信号電子を弁別して検出することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、対物レンズの磁界や電極板の電界に吸い寄せられ、対物レンズ表面や電極板表面に付着した異物が試料観察時に試料表面に落下し付着することを防止することにある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、走査電子顕微鏡の対物レンズ、或いは電子ビームを加速するための加速円筒への励磁電流、或いは印加電圧を、測定対象試料を対物レンズ下から離間させたときに、励磁電流をオフ、或いは離間させる前に比べて弱励磁、又は印加電圧をオフ、或いは離間させる前に比べて低電圧とする電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）