【課題】帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出に、画像の均一性およびコントラストの質を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板２２上の一部の領域を画像化する前に、その画像形成領域の周囲の領域を検査装置１０で帯電させてその周囲領域の非対称帯電の悪影響を消去または軽減する。この検査装置１０は周囲領域の帯電と画像形成領域からの画像形成とを交互に行って、画像化領域の複数の画像を形成し、それら画像を平均化処理する。これによって、高度に均一でコントラストの改善された画像が得られ、欠陥検出の精度を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に生じている電荷分布をミクロンオーダーの高分解能で測定することを可能とする。
【解決手段】試料２３の表面電荷分布の測定方法。試料２３をスポット状に帯電する帯電工程と、電位鞍点の電位の実測値を求める工程と、構造体モデルとそれに対応する仮の空間電荷分布とを選択する工程と、構造体モデルと仮の空間電荷分布から電位鞍点の空間電位ポテンシャルを算出する工程と、空間電位ポテンシャルと実測値とを比較し、誤差が所定の範囲内であるとき仮の空間電荷分布を試料２３の空間電荷分布であると判定する工程と、判定された空間電位分布に基づき電磁場解析により試料２３の表面電荷分布を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型で、短時間で対物レンズの用途切替ができる走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の対物レンズの用途切替方法を提供することを課題とする。
【解決手段】対物レンズ５９の外側磁極片１０１に、第１ねじ部１２３を設けし、内壁面に第１ねじ部１２３と螺合可能な第２ねじ部１３９が設け、外壁面に、第２ねじ部１３９と同軸で、ねじ切り方向が逆方向の第３ねじ部１４１が形成され、外側磁極片１０１に着脱可能な補助外側磁極片１３３と、補助外側磁極片１３３の第３ねじ部１４１と螺合可能な第４ねじ部１１７を有し、第４ねじ部１１７の軸が試料ステージの回転中心と一致するように試料ステージ上に設けられ、補助外側磁極片１３３が着脱可能な着脱ホルダ１１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第１の成形開口板３（又は絞り）上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線を試料に向けて照射している状態において、当該荷電粒子線が試料へ到達しない状態（以下ミラー状態と称することもある）となるように、試料に電圧を印加し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームのスループット向上のための共通磁界による複数レンズを構成する方法において、磁界の非対称成分を補償して良好な分解能を得る。
【解決手段】複数レンズを構成するレンズシステム１は、第１ポールピース、第２ポールピース、及び荷電粒子ビームの夫々用の複数のレンズ開口部１６、及び、夫々のレンズ開口部へ第１磁束を供給する共通励磁コイル２０と、レンズ開口部１６間に配置される補償コイル３０を備え、夫々のレンズ開口部の少なくとも一部に第２磁束を供給して第１磁束の非対称性を補償する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対するビームの照射量を抑制しつつ、適正なコントラスト或いはブライトネスの調整を行うコントラスト・ブライトネス調整方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、本発明では、荷電粒子線装置等によって得られた信号からフォーカスずれ量を示す指標値を求め、当該指標値に基づいて、画像のコントラスト及び／又はブライトネスを調整する方法、及び荷電粒子線装置を提案する。このような構成によれば、フォーカスがずれた状態にて、コントラストとブライトネスを調整するに必要な情報を得ることができるため、試料へのビーム照射を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は対物レンズ絞り上で散乱する電子の量を制限し、主電子線軌道から外れ、分析点以外に照射される電子を制御することでシステムピークを抑制し、試料の元素スペクトルの信憑性または定量精度の高い走査電子顕微鏡または走査電子顕微鏡による試料検査方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、電子線から放出された一次電子線を集束レンズで集束し対物レンズ絞りに照射し、コンデンサー絞りで該照射のビーム径を絞り、対物レンズの孔中心を通過し集束させ、前記電子線の照射によって試料から発生した二次電子または散乱電子を検出し前記試料を検査する際に、前記対物レンズ絞り、前記コンデンサー絞り及び前記集束レンズを含む電子光学系の有するシステムピーク強度を抑制するように前記ビーム径を定めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】未知の組成/幾何学形状を有する試料に関する用途に適応できるSEM画像化法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭを用いた試料の調査方法に関し、複数(N)回の測定で探針電子ビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定はビームパラメータ(P)の値を有し、該ビームパラメータの値は、ある範囲の値から選ばれ、かつ測定毎に異なる、各測定間に前記試料によって放出される誘導放射線を検出し、該誘導放射線と測定量(M)とを関連づけ、記録することで、複数のデータ対(P_i,M_i)（1≦i≦N）からなるデータの組をまとめることを可能にする手順、を有する。統計的ブラインド信号源分離法を用いて、データの組(D)を自動的に処理し、複数の画像化対(Q_k,L_k)からなる結果として得られた組(R)に分解することを特徴とし、Q_kの値を有する画像化量(Q)は、表面Sを基準とした離散的な深さレベルL_kに関連づけられる。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭレンズに電流を流しながらイオン・ビームを操作することのできる二重ビーム装置を提供すること。
【解決手段】二重ビーム装置はイオン・ビーム装置および磁気対物レンズを備える走査電子顕微鏡を含む。イオン・ビーム装置がＳＥＭ対物レンズからの磁界の存在下で最適に動作するようにされるので、対物レンズはイオン・ビームの動作中に停止しない。任意選択的な二次粒子検出器および任意選択的な荷電中和フラッド銃が磁界の存在下で動作するようにされる。磁気対物レンズは、焦点を変化させたときに、レンズを構成する各部におけるエネルギー放散が時間的に略一定となるように設計されるので、磁界を変化させたとき装置を安定化させる時間を必要としない。 （もっと読む）

【課題】精度の良い試料表面検査を行える方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子線式試料表面検査装置を用いて試料表面を検査する方法であって、前記試料表面検査装置の電子銃から発生した電子ビームを前記試料表面に照射し、前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面に向けて結像させ前記試料表面を検査する方法において、前記検出器の検出面における前記二次電子の結像条件を、前記試料表面の電位が前記試料表面に照射された電子ビームの量に応じて変化するように制御する。 （もっと読む）

【課題】
複数本の二次電子ビーム調整を、効率良く実施することのできる半導体検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物に複数の照射光を照射する照射光学系と、前記照射光学系により照射され、該被検査対象物から放出される複数の光を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出した複数の光に基づく信号の強度を比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づき該複数の光の位置と前記検出光学系における該複数の光の検出位置とのずれ量を算出する補正量算出部と、該複数の光に基づく信号を処理して該被検査対象物の検査を行う処理部とを備える演算処理部と、を備え、前記検出光学系は、さらに、前記補正量算出部で算出されたずれ量に基づき前記照射光学系を調整する制御部を有することを特徴とする検査装置である。 （もっと読む）

【課題】導入される収差を減少させると共にスループットを増大させる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置用のコラム（１）が開示される。コラムは、一次荷電粒子ビーム源として一次荷電粒子ビームを放出する荷電粒子ビームエミッタ（２）と、２つの仮想源が作られるように一次荷電粒子ビームに作用するようになったバイプリズム（６）と、荷電粒子ビームを２つの仮想源の像に対応した試料（８）の２つの位置に同時に集束させるようになった荷電粒子ビーム光学系（１０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡装置の所望の結像解像度を維持しながら、一度に形成される一次電子ビームスポットの数や、密度を高める。
【解決手段】荷電粒子源と、ビーム経路中に配置された多孔プレートとを備えた粒子光学装置である。前記多孔プレートは、所定の第１のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、前記複数の小ビームにより、第２のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが前記粒子光学装置の像平面に形成される。前記粒子光学装置は、前記荷電粒子ビーム及び／又は前記複数の小ビームを操作するための粒子光学素子をさらに備える。前記第１のアレイパターンは、第１の方向に第１のパターン規則性を有し、前記第２のアレイパターンは、前記第１の方向に電子光学的に対応する第２の方向に第２のパターン規則性を有し、前記第１のパターン規則性よりも高い。 （もっと読む）

【課題】複数のカラムを備える粒子ビーム装置に於いて、試料との相互作用粒子の高エネルギー分解能と検出効率を実現する。
【解決手段】第１粒子ビームカラム２、第２粒子ビームカラムおよび少なくとも１つの検出器３４を有する粒子ビーム装置に於いて、検出器は第１中空体３６，３７内部の第１吸入口３９，４０を有する第１キャビティ３５，３８内において、第１粒子ビームカラム２および第２粒子ビームカラムが配置される平面とは異なる平面上に配置される。第１粒子ビームカラム２上には少なくとも１つの制御電極４１が配置され、第２粒子ビームカラムは終端電極を有する。第１相互作用粒子および／または第２相互作用粒子が第１吸入口３９，４０経由で第１中空体３６，３７内部の第１キャビティ３５，３８に入射するように、第１中空体電圧、制御電極電圧、および／または終端電極電圧を選択する。 （もっと読む）

【課題】予め決められた磁界強度の範囲に亘って実質的に一定量の平均熱起電力を発生することが可能な磁界レンズを提供する。
【解決手段】このレンズは非対称（異なる巻き数の）のマルチコイル部を有し、所望の範囲の磁界強度を生成すると共に、同時に、全平均起電力が一定に維持されたとき十分一定の温度サインを維持し、それによって、磁界強度が変化したときにレンズ動作の過度の遅延を回避する。非対称のレンズ構造のうちのより少ない巻き数のコイルの方が比較的に小さなインダクタンスを有し、それによって、より反応性が速くなり、ＡＣ駆動信号に迅速に反応し、必要ならば、ダイナミックフォーカスレンズにも適合する。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子ビームを用いる荷電粒子装置における多光軸磁気レンズの固有の構造上の非軸対称性による非軸対称横磁界及び軸対称磁界の差異を低減し、シンプルでコンパクトな多光軸磁気レンズシステムを提供する。
【解決手段】各サブレンズモジュールの夫々のホールに円形磁気導体リングと円形非磁性体間隙を挿入させる。磁気導体リングと磁気導体板の間には十分な磁気結合が保持され、磁気導体リング内壁上では十分な軸対称スカラーポテンシャル分布が得られる。結果として、共通励起コイルに励起される各サブレンズの磁界はビームのフォーカスに必要な軸対称の磁界成分を適当な程度に留保し、余計な非軸対称横磁界成分をほとんど含まない。さらに、磁気遮蔽管などの磁気遮蔽ものを導入し、各サブレンズモジュールを通過する以前及び以後の荷電粒子ビーム経路上での非軸対称横磁界を取り除く。 （もっと読む）

一実施形態は、基板の欠陥検査及び／又は点検、或いは基板上の特徴部の限界寸法を測定する電子ビーム装置に関する。この装置は、電子銃及び電子柱を含む。電子銃は電子源及び調整可能なビーム制限開口部を含み、電子源は、電子ビーム用の電子を発生させるように構成されており、調整可能なビーム制限開口部は、多様な開口部サイズから１つの開口部サイズを選択して使用するように構成されている。別の実施形態は、装置に電子ビームを供給することに関する。高感度と高処理能力の両方を得るように大きいビーム電流を維持しながら、本開示の装置及び方法はスポットのぼやけを有利に低減する。 （もっと読む）

【課題】試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のＳＴＥＭ観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。
【解決手段】ＦＩＢ照射系１６の照射軸とＳＴＥＭ観察用電子ビーム照射系５の照射軸をほぼ直交させ、その交差位置に試料７を配置して、試料のＦＩＢ断面加工面をＳＴＥＭ観察用試料の薄膜面にとる。透過・散乱ビーム検出手段９ａ，９ｂは、電子ビーム照射軸上で電子ビーム照射方向からみて試料の後方に配置する。 （もっと読む）