【課題】電子ビームリソグラフィーシステム内の収差を補正する。
【解決手段】
一実施形態は、電子ビームリソグラフィーシステム内の収差を補正する装置に関する。内部電極は、パターン生成装置を取り囲み、その内部電極の周りには、少なくとも１つの外部電極がある。内部電極及び外部電極の各々は、パターン生成装置の平面内に、平坦な表面を有する。回路は、内部電圧レベルを内部電極に印加し、少なくとも１つの外部電圧レベルを少なくとも１つの外部電極に印加するように構成されている。電圧レベルは、電子ビームリソグラフィーシステム内の像面の反りを補正するように設定され得る。別の実施形態は、電子ビーム検査システム又は再検査システム又は計量システム等の電子ビーム基盤型システム内で利用される収差を補正する装置に関する。他の実施形態、態様及び特徴も開示される。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスのための基板の正確な位置決めの点で有利なマルチ電子線描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子線を基板に対して射出する荷電粒子光学系と、基板を保持し、荷電粒子光学系の光軸の方向と光軸に垂直な方向とにそれぞれ可動なステージ１０３と、基準反射面を含み、光軸の方向におけるステージの位置を計測する干渉計と、荷電粒子線の特性を計測する計測器２０１と、補正情報を用いて干渉計の計測結果を補正する制御部と、を備える。制御部は、光軸に垂直な方向におけるステージの複数の位置それぞれに関して干渉計による計測としての第１計測と計測器による計測としての第２計測とを並行して行わせ、複数の位置それぞれに関して得られた第１計測および第２計測の結果に基づいて、補正情報を求める。 （もっと読む）

【課題】回転する試料にビームを照射してパターンデータを露光する技術において、偏向による収差なく良好な長い直線が得ること。
【解決手段】円周位置補正信号生成手段（２７）は、直線パターンを形成する単位ドットに必要なドーズ量情報と、回転の線速度情報と、ビーム電流情報と、円周方向偏向感度情報と、ドット数設定情報とを入力情報として、単位ドットあたりの円周方向偏向量、照射時間、全ドット形成周波数を算出設定し、逐次露光するドット先頭が直線幅方向に整列するパターン信号を生成する。半径位置補正信号生成手段（２９）は、ドット数設定情報、半径方向偏向感度情報、単位ドットあたりの照射時間情報を入力情報として、直線パターンの長さ方向或いは幅方向の隣接ドットに任意の重なり率となる半径方向偏向量を算出してパターン信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マルチビームを用いた荷電粒子線装置においてビーム間の結像誤差を補正する簡便な方法を実現する。
【解決手段】複数の一次電子ビームレットの焦点を形成する粒子光学部品６０５に於いて、第１の多孔プレート６１３と第２の多孔プレート６１４の複数の対応する開孔が互いに整列配置されており、第１の開孔６１５の位置における第１の幅Ｗ１を第２の開孔６１５’の位置における第２の幅Ｗ２よりも少なくとも５％大きく形成する。 （もっと読む）

【課題】 静電型の荷電粒子線レンズは、開口が円形の場合の真円度のような開口形状の対称性に対する非点収差が敏感であり低収差とすることが困難。
【解決手段】 静電型の荷電粒子線レンズであって、前記荷電粒子線レンズは光軸方向を法線とする第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有する平板を含み、かつ、前記第１の面から前記第２の面に貫通する貫通孔を有する電極を有し、前記第１の面側である第１の領域における真円度と、前記第２の面側である第２の領域における真円度、が各々、前記第１の面と前記第２の面とで挟まれた前記電極の内部の領域である第３の領域における真円度よりも良い。 （もっと読む）

【課題】残留応力を有する薄膜を用いて電極の静電引力による変形を低減し、収差を少なくすることが可能な荷電粒子線レンズを提供する。
【解決手段】荷電粒子線レンズは、荷電粒子源から放射された荷電粒子線の光学特性を制御する。光軸方向に沿って空隙を介して複数の対向電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃが設けられ、対向電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、光軸方向に対向電極を貫通する少なくとも１つの荷電粒子線通過用の開口３Ａ、３Ｂ、３Ｃを有すると共に、少なくとも１つの表面に薄膜４を有する。薄膜４は、光学特性を制御するための電圧を対向電極に印加することで生じる対向電極の変形を低減する残留応力を有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第１の成形開口板３（又は絞り）上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】加速電圧を小さくしてもビーム径の小さい集束イオンビームを照射可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】イオンビーム１１を発生するイオン源２と、イオンビーム１１を試料１３に集束させる第一の対物レンズを形成する第一の対物レンズ電極６、７、８と、第一の対物レンズ電極６、７、８よりも試料１３に近い位置に配置され、低い加速電圧で加速されたイオンビーム１１を試料１３に集束させる第二の対物レンズを形成する第二の対物レンズ電極９と、を有するイオンビーム鏡筒１０を備えた荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 クロスオーバの輝度均一性の点で有利な電子銃の提供。
【解決手段】 共通の軸に沿って順に配置されたカソードとバイアス電極とアノードとを有する電子銃であって、前記カソードの電子放出面は、前記軸上の点を含む第１領域の曲率半径（第１曲率半径）より該第１領域の外側にある第２領域の曲率半径（第２曲率半径）が大きく、かつ、前記第１領域および前記第２領域がともに前記第１曲率半径を有する場合よりクロスオーバの輝度が均一となる形状である、電子銃とする。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡装置の所望の結像解像度を維持しながら、一度に形成される一次電子ビームスポットの数や、密度を高める。
【解決手段】荷電粒子源と、ビーム経路中に配置された多孔プレートとを備えた粒子光学装置である。前記多孔プレートは、所定の第１のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、前記複数の小ビームにより、第２のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが前記粒子光学装置の像平面に形成される。前記粒子光学装置は、前記荷電粒子ビーム及び／又は前記複数の小ビームを操作するための粒子光学素子をさらに備える。前記第１のアレイパターンは、第１の方向に第１のパターン規則性を有し、前記第２のアレイパターンは、前記第１の方向に電子光学的に対応する第２の方向に第２のパターン規則性を有し、前記第１のパターン規則性よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置に関し、より高精度の描画方法を提供することを目的としている。
【解決手段】被描画材料上に、複数の描画面積率が異なるパターン及びそれを複数の露光量毎及び対物レンズ値毎にマトリクス状の配置で電子ビーム描画し、該被描画材料をベーク・現像処理して形成された評価パターンを作製する手段と、作製された評価パターンの描画線幅を計測した結果に基づいて対物レンズ値毎に露光量に対する描画線幅ＣＤデータを作成する手段と、前記描画線幅ＣＤデータをＣＤカーブ関数にフィッティングさせて描画線幅のブラーｔｂと、後方散乱係数ηと、描画材料を現像処理する時の解像しきい値Ｒｔｈを求める手段と、描画線幅のブラーｔｂが最小となる最適対物レンズ値を求め、対物レンズ値を設定する手段と、設定された対物レンズ値のもとで、近接効果補正を行ないつつパターンデータに基づく図形描画を行なう手段とにより構成される。 （もっと読む）

【課題】 エンハンストインテグリティー投影レンズアセンブリを提供することである。
【解決手段】 本発明は下流方向に位置づけられる画像平面上へ多数の荷電粒子ビームレットを導くための投影レンズアセンブリモジュール、および、このような投影レンズアセンブリを組立てる方法に関する。特に、本発明は、エンハンスト構造的完全性を有し、および／または、その最も下流の電極の配置精度を増加させたモジュラ投影レンズアセンブリを開示する。 （もっと読む）

【課題】静電電極を用いたリフォーカスレンズによるリフォーカス時間を短縮するとともにリフォーカス精度を向上させることのできる電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光装置は、電子銃と、電子ビームを整形するための開口を有する整形手段と、電子ビームの焦点を補正する静電多重極電極からなるリフォーカスレンズと、リフォーカスレンズの各電極に印加する補正用の電圧を生成するフォーカス補正電圧発生回路と、補正用の電圧に加算するオフセット電圧を生成するオフセット電圧発生回路と、フォーカス補正電圧発生回路及びオフセット電圧発生回路をそれぞれ独立に制御する制御手段と、を備える。制御手段は、オフセット電圧発生回路を、電子ビーム露光装置の筐体を基準として動作させ、フォーカス補正電圧発生回路を、オフセット電圧発生回路により出力されるオフセット電圧を基準として動作させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】リフォーカス用の静電レンズの電極の配置誤差に起因する収差及び照射位置ずれを補正可能な電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光装置は、電子ビームを放射する電子銃と、電子ビームを試料面上へ結像させる投影レンズと、投影レンズの上方に設置され、電子ビームの焦点を補正する静電多重極電極からなるリフォーカスレンズと、リフォーカスレンズの各電極に対して光軸の回りに回転させて配置した静電多重極電極からなる寄生収差補正用レンズと、電子ビームの断面の面積に応じた電圧を、リフォーカスレンズを構成する電極及び寄生収差補正用レンズを構成する静電多重極電極に印加する制御手段とを備える。寄生収差補正用レンズを構成する多重極電極は、リフォーカスレンズを構成する電極に対し、隣接する２つの当該電極間の角度の１／２だけ光軸の周りに回転させた位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】
複合型電磁界レンズにおいて投影レンズの収差を抑制する荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線を投影する投影系を有し、投影された荷電粒子線で基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、投影系は、磁場を発生する対称型磁気ダブレットレンズと、対称型磁気ダブレットレンズが発生する磁場の中に電場を発生する静電レンズとを備え、静電レンズは、物体面側に配置された第１円筒電極と、像面側に配置された第３円筒電極と、第１円筒電極と第３円筒電極との間に配置された第２円筒電極と、を含み、第１円筒電極および第３円筒電極には、基板の電位と同一の電位を与え、第２円筒電極には、対称型磁気ダブレットレンズの瞳面に入射する荷電粒子線を加速する電位を与え、第２円筒電極は、対称型磁気ダブレットレンズの光軸の方向に分割された２つの円筒電極を含む、ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。 （もっと読む）

【課題】小型の造形物を造形する際に、金属パウダーを多量に準備する必要が無く、該造形物の寸法に応じた他種類のテーブルやエレベータを用意して取り替える必要が無く、広範囲の予備加熱を行う必要が無いような、電子ビーム造形方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート１５の表面よりも狭い開口１３１を有する第２テーブル１３を第１テーブル１２上に設置して予備加熱を行った後に、開口の範囲内でパウダー１１を供給，掻き均し，予備加熱する各ステップと、該パウダーに第２テーブルの開口に沿って電子ビームを走査して該パウダーを溶融することにより溶融壁１４１を形成する造壁ステップと、造形物の三次元ＣＡＤデータを所定の厚みにスライスした層別二次元データに基づいてパウダーに電子ビームを走査して該パウダーを溶融することにより溶融体１４を形成する造形ステップと、を含む造形処理を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】粒径の大きい金属パウダーを用いても従来より平滑な表面をもった造形物を製作可能な電子ビーム造形装置を提供する。
【解決手段】溶融ステップ（一次溶融）の後に、溶融体１４の上面が集束点６１に位置するように、エレベータにてベースプレイトをＨ１だけ上昇させて、該ベースプレイト上の溶融体に電子ビームを走査して該溶融体を再溶融（二次溶融）することにより、電子ビームの集束点を調整することなく、一次溶融と同一の集束径で電子ビームによる二次溶融を行うことができるので、粒径の大きい金属パウダーを用いても従来より平滑な表面をもった造形物を製作可能となる。 （もっと読む）

【課題】測定エラーが生じた場合であってもマップを作成し、その結果を基に荷電粒子ビームを試料の表面に正確に収束させることが可能な荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】マスク表面の高さを測定し、この測定で生じた測定エラーの数を求め、測定エラーの数が所定値より少ない場合にはマスク表面の近似曲面を作成する。次いで、測定データと、近似曲面から得られる高さデータとを比較し、その差分が所定の閾値を超えている点がなければ、近似曲面の信頼性は高いと判断する。そして、この近似曲面に基づいてマスク表面の高さを補正する。 （もっと読む）