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Fターム[5C094AA03]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 見易さ向上 (5,812) | 画質向上 (3,500) | 表示むら解消 (1,126)

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【課題】平坦化絶縁膜による平坦性を十分に確保して表示品質を向上できる表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、画素ごとに設けられるアノード電極51と、アノード電極51の周辺を覆い、画素の開口を規定する開口絶縁膜55と、アノード電極51の下方に平坦化絶縁膜65を介して配置され、画素を駆動するための電荷を蓄積する機能を有し、画素の開口より幅広の容量用電極33a、33bを備える蓄積容量33とを有する表示装置である。 (もっと読む)


【課題】不良品の発生を抑制して、歩留りの向上を図った情報表示用パネルの製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方が透明な2枚の基板間に隔壁によって仕切られた複数のセルを形成し、該セル内に粒子PA群からなる表示媒体を封入し、当該表示媒体を移動させて画像等の情報を表示する情報表示用パネルの製造装置30であって、基板1が載置される載置台32を内部に配備してある粒子充填槽31と、前記粒子充填槽31内に前記粒子群を散布するノズル40とを備えており、前記ノズルの先端部40FRに、当該ノズルから吐出される前記粒子群の凝集体を粉砕する粉砕手段43を設けてある。凝集体を確実に粉砕しながら均一化した粒子群の充填を行うことができるので、不良品の発生を抑制して、歩留りの向上を図った情報表示用パネルの製造装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、短板式で高品位のカラー表示を行い、高精細化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、複数の走査線(11)及びデータ線(6)と、R、G又はBに対応する複数のサブ画素部(70)と、一列に配列された三つのサンプリング回路(71)が、複数配列されてなるサンプリング手段とを備える。サンプリング回路は、薄膜トランジスタから構成されると共に、ゲート電極(72)を共用で有し、ソース又はドレインに電気的に接続されている画像信号線は、ゲート電極と重畳部分を含む。 (もっと読む)


【課題】色再現性が広く、且つ、カラーフィルタ顔料によるイオン性不純物の溶出による表示ムラ等のない高信頼性のカラーフィルタ及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】青色LEDと赤色発光蛍光体及び緑色発光蛍光体とを組み合わせて白色を呈するバックライト装置を備える液晶表示装置用のカラーフィルタにおいて、緑色画素の表示色度がCIE1931−XYZ表色系のxy色度座標において、0.280≦x≦0.300、0.600≦y≦0.605、N−メチルピロリドンへの単位面積あたりのBrイオンの溶出量が17ng/cm2以下で、緑色着色層の顔料含有量が43質量%以上、45質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】表示装置における表示品質の低下を抑制する。
【解決手段】表示装置10における複数の単位画素Cの各々は複数の組Sを含み、当該単位画素Cに含まれる複数の組Sのうち第1の組S1以外の組S(例えば第2の組S2)において、第1のサブ画素領域G1の表示色と同じ表示色である第3のサブ画素領域G3のY方向の長さYg3は、第1のサブ画素領域G1のY方向の長さYg1と等しく、かつ、第1のサブ画素領域G1の画像表示面積と第3のサブ画素領域G3の画像表示面積とは等しく、第2のサブ画素領域G2の表示色と同じ表示色である第4のサブ画素領域G4のY方向の長さYg4は、第2のサブ画素領域G2のY方向の長さYg2と等しく、かつ、第2のサブ画素領域G2の画像表示面積と第4のサブ画素領域G4の画像表示面積とは等しいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶化半導体層をチャネル領域に用いた薄膜トランジスタにおいて、トランジスタ特性の不均一性を低減すること。
【解決手段】本発明は、結晶化半導体層13におけるドレイン電極15bと接する端部からゲート電極11のドレイン電極15a側の端部と対応する位置までの距離をΔL1、結晶化半導体層13におけるソース電極15bと接する端部からゲート電極11のソース電極15b側の端部と対応する位置までの距離をΔL2、ドレイン電極15a側の不純物ドープ層14aにおける結晶化半導体層13と接する長さをドレイン側コンタクト長CT1、ソース電極15b側の不純物ドープ層14bにおける結晶化半導体層13と接する長さをソース側コンタクト長CT2とした場合、ΔL2がΔL1より長く、ソース側コンタクト長CT2がドレイン側コンタクト長CT1より長い薄膜トランジスタ1である。 (もっと読む)


【課題】画素ごとの輝度のバラつきを改善することができるようにする。
【解決手段】駆動電流に応じて発光する発光素子34と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタ31と、駆動電流を発光素子に供給する駆動トランジスタ32と、所定の電位を蓄積する蓄積容量33とを備える画素101を行列状に配置するELパネルを製造するために、マスクMKoを用いて露光処理により予め形成された金属層Mのうち、書き込みトランジスタ31の部分の線幅Lpに基づいて、新規マスクMKにおける書き込みトランジスタ31の部分の線幅Lmが予め求められており、露光処理装置は、新規マスクMKを用いて、露光処理により金属層Mを形成する。
本発明は、例えば、ELパネルに適用できる。 (もっと読む)


【課題】第1領域と第2領域に違う結晶特性を有する第1多結晶シリコン層と第2多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第1領域と第2領域を有する基板層と、基板層の第1領域に形成された第1多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第2領域に形成された第2多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第1多結晶シリコン層と第2多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第1領域の非晶質シリコン層と第2領域の非晶質シリコン層から転化された。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、カラーフィルタを平坦化膜と共に、素子基板側に備えつつ、接続端子による良好な電気的な接続を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、画像表示領域(10a)に形成されたカラーフィルタ(26)と、平坦化膜(27)と、画像表示領域の周辺領域における、外部との間で信号を入出力される接続端子(102)とを備える。平坦化膜は、接続端子の表面が露出されるように除去されていると共に、接続端子の縁部分において画素領域に比べて薄く形成されている、又は除去されている。 (もっと読む)


【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板2上に、ストライプ状に形成された第一電極6と、有機EL層10と、有機EL層10上に第一電極6と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極12と、第一電極6および有機EL層10上の面のうち、第一電極6と第二電極12とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜8と、第二電極間を分離するために画素分離膜8上に第二電極12と平行に配設され、該第二電極12の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁22とを備えた有機ELディスプレイであって、各第二電極12と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁22との間に形成された2つの間隙の一方少なくとも2箇所以上に金属26が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ELディスプレイ。 (もっと読む)


【課題】コンタクト部を広げなくても、電極層と導電膜パターンを確実に電気的に接続することのできる有機EL装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】トップエミッションタイプの有機EL装置100において、支持基板110dには、第2電極層9aと接する複数本の補助配線8aが形成されている。絶縁膜115の下層側には、第2電極層9aに電位を印加するための下層側導電パターン6sが形成され、絶縁膜115の上層側には、第2電極層9aよりシート抵抗が小さい導電膜によって、第2電極層9aを下層側導電パターン6sに接続するための上層側導電パターン7sが形成されている。上層側導電パターン7sのベタパターン部7pは、コンタクト部115sを介して下層側導電パターン6sに接し、補助配線8aの端部は、ベタパターン部7pに重なってベタパターン部7pに接している。 (もっと読む)


【課題】湿式成膜法により作製される有機EL装置において、膜厚の均一性を高めた発光機能層を有し、リーク電流を低減した有機EL装置を提供する。
【解決手段】基板10と、基板10上に設けられる絶縁層(層間絶縁層102)と、該絶縁層上にパターン形成され稜部151が断面略角形形状である絶縁領域15と、該絶縁層上にパターン形成され絶縁領域15を区画する隔壁12と、絶縁領域15上に設けられる下部電極11と、下部電極11上に設けられる発光機能層13と、発光機能層13上に設けられる上部電極14と、から構成され、絶縁領域15が隔壁12と離間しており、下部電極11が絶縁領域15の稜部151に対して内側に設けられることを特徴とする、有機EL装置1。 (もっと読む)


【課題】表示装置におけるモアレの発生を防止し、表示特性を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施例による表示装置は、格子パターンに形成された繊維組織を含んで互いに対向する第1及び第2基板と、第1及び第2基板の間に形成された画素層とを有し、第1基板の繊維組織は、第1方向及び第1方向と直交する第2方向に形成されており、第2基板の繊維組織は、第3方向及び第3方向と直交する第4方向に形成されており、第1方向と第3方向とが斜角を成すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来のLCOSを大きな光照射部を有する光変調装置に用いると、光照射部内に画素電極接続部が線状の影として現れてしまい、光の反射が不均一になるという不具合があった。また画素電極接続部の周囲からの光漏れにより画素電極を駆動する駆動素子が誤動作してしまうことがあった。
【解決手段】光照射部を有し、短辺同士が対向するように、2列に一定間隔離間して平面的に配置され、光変調物質を駆動する複数の矩形形状の画素電極と、画素電極の下方に配置され、前記画素電極を駆動する駆動素子と、画素電極と駆動素子とを電気的に接続する画素電極接続部とを備え、画素電極接続部が、光照射部の外側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】駆動用トランジスタの閾値補正を行った有機発光素子を用いた表示装置において、移動度ばらつきによる表示ムラが発生する。
【解決手段】駆動用トランジスタの閾値補正を行った後、ドレイン電流を駆動用トランジスタ11aに入力し、ドレイン電流により、駆動用トランジスタのゲート電圧を変化させる。ドレイン電流が多いほど、ゲート電圧の上昇が多くなり、ドレイン電流の減少幅が大きくなることで、同一信号電圧入力に対するドレイン電流のばらつきを小さくすることができ、移動度ばらつきがあっても表示ムラが小さくなる。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子を使用する表示装置において、電源供給線の電圧降下に起因するシェーディングやクロストークを抑制する。
【解決手段】各画素回路Pは、駆動トランジスタ121のドレインを引出し配線121DLを介して電源供給線105DSL に接続する。同一発光輝度条件下では、各駆動トランジスタ121のドレイン電位が同一となるように、引出し配線121DLの長さおよび幅の少なくとも一方を電源供給線105DSL の長手方向に沿って調整されたレイアウトにする。たとえば、駆動走査部105側では、細くかつ長くして高抵抗にし、遠ざかるほど、太くかつ短くすることで低抵抗にする。 (もっと読む)


【課題】有機EL表示装置において、有機EL素子のショート滅点を目立たなくする。
【解決手段】1画素内に同一の駆動トランジスタからの駆動電流Idsを分流した電流が供給される複数の有機EL素子を配置する。開口規定絶縁膜505のEL開口部127aの辺縁のテーパー角を逆テーパー部522と順テーパー部524で異ならせて上部電極508を個別化する。上部電極508は順テーパー部524の電極材を介して補助配線515に接続する。順テーパー部524は薄膜で細くヒューズ抵抗素子として機能する。ショート滅点の有機EL素子に駆動電流Idsが全て流れるが、順テーパー部524を流れ発熱し焼き切れて、ショートからオープンに自動的に変化する。同一画素内にある他の正常な有機EL素子に駆動電流Idsが流れ、総合電流は損傷していない場合と同様となり、画素全体としては滅点の存在に関わらず同等の輝度となる。 (もっと読む)


【課題】有機EL表示装置において、有機EL素子のショート滅点を目立たなくする。
【解決手段】1画素内に同一の駆動トランジスタからの駆動電流Idsを分流した電流が供給される複数の有機EL素子を配置する。各有機EL素子は、上部電極508が個別にパターン形成され、引出しパターン509で補助配線515上に引き出され、接続孔508aで接続される。引出しパターン509は薄膜で細くヒューズ抵抗素子として機能する。何れか1つの有機EL素子がショートしたとき、それに駆動電流Idsのほぼ全て流れるが、引出しパターン509を流れ発熱し焼き切れて、損傷のある有機EL素子がショートからオープンに自動的に変化する。同一画素内にある他の正常な有機EL素子に駆動電流Idsが流れ、総合電流は損傷していない場合と同様となり、1画素から得られる輝度は滅点の存在に関わらず同等の輝度となる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも少ないマスク数による薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第1のレジストマスクを用いて遮光層を形成し、遮光層上に下地膜を形成し、下地膜上に第1の導電膜と、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜と、を順に積層し、第2の導電膜上の第2のレジストマスクを用いて、第2の導電膜、不純物半導体膜、半導体膜、第1の絶縁膜に第1のエッチングを行い、第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、第3のレジストマスクを用いて、ソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成し、第1のレジストマスクと第2のレジストマスクは同一のフォトマスクにより形成することで薄膜トランジスタを作製する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、画像表示装置に関し、トップエミッション方式を採用した有機EL素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、トップエミッション方式の場合であっても、光フィードバック方式により各画素の発光輝度のばらつきを補正することができるようにする。
【解決手段】本発明は、各画素25に有機EL素子(10)の出射光の一部を受光素子27に導く光導光部ARを設ける。 (もっと読む)


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