【課題】ディスプレイ自体内部にエネルギ・センサを含むディスプレイを開示する。
【解決手段】有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は発光器とエネルギ検出器との両方として動作させ得る。適切な駆動信号によって前方バイアスされた場合、ＯＬＥＤは電界発光によって光を放出し、ディスプレイ上で画像の一部分を構成するのに用い得る。別の態様では、ＯＬＥＤは光電効果によって入射光子又はエネルギを電気信号に変換することによってエネルギを検出し得る。ディスプレイにおけるＯＬＥＤを放出モードとセンス・モードとの両方にて動作することによって、外部ソースからのような、ディスプレイ上に照射するエネルギを、画像が表示されるのと同時に検出し得る。更に、ＯＬＥＤを含むディスプレイはディスプレイ自体によって生成された光エネルギを検出し得る。 （もっと読む）

【課題】発光装置の各部に寄生する容量の影響を低減する。
【解決手段】単位素子Ｐは、第１電極２１と第２電極２２との間に発光層２３が介在する発光素子Ｅと、発光素子Ｅに供給される電流量を制御する駆動トランジスタＴｄｒと、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極に電気的に接続された容量素子Ｃ１と、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極の電位をデータ信号に応じて設定するための選択トランジスタＴｓｌと、駆動トランジスタＴｄｒのゲート電極とドレイン電極との接続を制御するための初期化トランジスタＴｉｎｔとを含む。第１電極２１は、容量素子Ｃ１と重なり合う一方、選択トランジスタＴｓｌや初期化トランジスタＴｉｎｔとは重なり合わない。 （もっと読む）

【課題】複数の画素に電源を供給する電源線による開口率の減少を最小化し、電源線の電圧降下によるクロストークの発生を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が行列状に配列される画素領域を含む表示装置は、前記画素領域の一側及び前記一側に対向する他側に設けられる複数の主電源線、前記画素領域の一側に設けられる第１主電源線に接続して、前記画素領域に延長される複数の第１副電源線、及び前記画素領域の他側に設けられる第２主電源線に接続して、前記画素領域に延長される複数の第２副電源線を含み、前記複数の第１副電源線及び前記複数の第２副電源線は、互いに異なる画素列に沿って延長され、一つの画素列に含まれる複数の画素は、隣接した第１副電源線及び隣接した第２副電源線に交互に接続される。 （もっと読む）

【課題】封止材料を均一に加熱溶融することが可能な構成の電気装置を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に設定される封止領域内に設けられる電気回路と、前記支持基板上において、前記封止領域内から封止領域外に延在して設けられ、外部の電気信号入出力源と前記電気回路とを電気的に接続する電気配線と、前記封止領域を取囲んで前記支持基板上に設けられる封止部材と、前記封止部材を介して、前記支持基板に貼合される封止基板とを有する電気装置であって、前記電気回路は、有機層を有する電子素子を備え、平面視において前記電気配線と前記封止部材とが交差する交差領域では、前記電気配線が透光性電気配線によって構成されている、電気装置。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なＥＬ表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】画素１０４に設けられたＥＬ素子１０９の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用ＴＦＴ１０８の特性バラツキによる影響を防ぐ。また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 （もっと読む）

【課題】データ信号を伝送する信号線の寄生容量を低減する。
【解決手段】発光装置１００は、複数の発光素子Ｐを含む有効領域Ａと、各発光素子Ｐに供給されるデータ信号を伝送する複数の信号バス配線３０と、信号バス配線３０から分岐して各発光素子Ｐにデータ信号を供給するための信号供給線３０１と、各発光素子Ｐに電源電圧を供給するための電源配線２０とを有する。信号バス配線３０は有効領域Ａの一辺と同じ方向に配設される。電源配線２０は主電源配線２０Ａと副電源配線２０Ｂとを有し、主電源配線２０Ａは信号供給線３０１を挟んで有効領域Ａの反対側に配設される。これにより、信号供給線３０１と主電源配線２０Ａとは交差しない。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰと、半導体層１２の一部を含み画素電極ＥＰへの映像信号Ｖｓの書き込みを切替えるスイッチＷと、半導体層１２と対向して補助容量Ｃｓを形成する補助容量線ＣｓＬと、を備えた第１基板ＡＲと、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリアＤＳＰの両端部に配置された端部画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰは、他の画素電極ＥＰよりも大きくなるようにアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤ側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を形成するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップと、島状絶縁膜１８の周囲に露出した第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７をアルカリ溶液に浸すステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】薄型でコンパクトな駆動装置と、薄型の情報表示器を用いて情報を表示できる情報表示システムを提供する。
【解決手段】 情報表示器１Ａは、第１基板１１及び第２基板１２の間において電界で駆動する表示媒体を備え、画素電極３４が配置されたＴＦＴ基板３１を備える駆動装置３０を用いて第１基板１１と画素電極３４との間に形成させた電界によって、表示媒体が駆動されて情報表示画面領域に情報を表示するように構成されており、情報表示システムは、第１基板１１側の外側に、弾性変形する弾性体層６１が配置される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えばウェット処理工程における電蝕の発生を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の画素領域（１０ａ）に設けられた走査線（１１）及びデータ線（６）と、走査線及びデータ線よりも上層側に、走査線とデータ線との交差に対応して設けられ、透明導電材料からなる画素電極（９）と、画素電極と、前記走査線及び前記データ線との間の層に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなり、データ線と電気的に接続された第２容量電極（６２０）とを有し、画素領域の外周と基板の外周の間の領域に設けられた付加容量（６００）と、前記領域に設けられるとともに第１容量電極と電気的に接続されており、画素電極と同一層からなる端子（１０６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電流駆動能力を増大するとともに負荷である配線容量を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第１信号配線と、前記ゲート電極及び前記第１信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２絶縁膜上に形成されるとともに前記第１信号配線と交差する第２信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造とすることなく、従来よりも密閉性に優れた空間に発光素子を備え、
かつ作業性に優れた封止技術を提供することにより、発光素子の劣化を防ぎ、信頼性の向
上を図ることを目的とする.
【解決手段】本発明では、密閉性に優れた封止構造を形成するために二重構造の封止を行
う。なお、この場合において、素子が形成される素子基板（以下、第１の基板ともいう）
と、封止に用いる封止基板（以下、第２の基板ともいう）にそれぞれサイズの異なる基板
を用いて、両基板が重ならない領域（以下、オフセット領域という）を設けることにより
、二重構造における外側のシールパターンを形成する場合における作業性を良くすること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 指先等の接触位置の検出感度を向上させ、動作正確性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された表示画素ＰＸを含む表示部ＤＹＰと、表示画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥが配列する行に沿って延びる走査線ＧＬおよびセンサ用電極ＣｓＬと、画素電極ＰＥが配列する列に沿って延びる信号線ＳＬと、アレイ基板１０と、複数の画素電極ＰＥと対向するように配置された対向電極ＣＥを備えた対向基板２０と、センサ用電極ＣｓＬおよび信号線ＳＬを駆動する駆動回路ＸＤ、ＹＤと、駆動回路ＸＤ、ＹＤへセンサ用信号を出力するとともに、センサ用電極ＣｓＬおよび信号線ＳＬからの信号を受信してセンサデータを出力するセンサ用回路３０と、を備え、表示部ＤＹＰの周囲の領域において、信号線ＳＬが延びる方向に並ぶ複数のセンサ用電極が電気的に接続されている表示装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触を確保でき、更に十分な耐熱性を有する表示装置用金属配線膜を提供する。
【解決手段】Ｍｏを２０原子％以上含有しており、且つ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、及びＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種を５原子％以上含有しているＡｌ合金膜５３と、純ＣｕまたはＣｕ合金膜２８，２９とからなる積層膜であって、前記Ａｌ合金膜が、半導体層３３と直接接続していると共に、前記ＣｕまたはＣｕ合金膜が透明導電膜５５と直接接続している表示装置用金属配線膜。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、新規の構成を有する画素回路を用いることにより、従来の構成の画素よりも高い開口率を実現することを目的とする。
【解決手段】ｉ行目を除くゲート信号線の電位は、ｉ行目のゲート信号線１０６が選択されている以外の期間においては定電位となっていることを利用し、ｉ−１行目のゲート信号線１１１をｉ行目のゲート信号線１０６によって制御されるＥＬ素子１０３への電流供給線として兼用することで配線数を減らし、高開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）